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產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類非水碳硫分析儀，非水碳硫分析儀器，碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測(cè)儀，碳硫聯(lián)測(cè)分析儀,  化驗(yàn)室儀器，碳分析儀器，硫分析儀器，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動(dòng)分析儀器，智能化驗(yàn)儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、分析儀器，化驗(yàn)儀器，化驗(yàn)設(shè)備，不銹鋼成分測(cè)定儀,化學(xué)元素分析儀, 電化學(xué)分析儀,實(shí)驗(yàn)室分析儀器, 智能元素分析儀，微機(jī)元素分析儀，三元素分析儀器，可測(cè)定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測(cè)量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗(yàn)儀器、鑄造化驗(yàn)設(shè)備、機(jī)械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com)  025-57357222 13851978239)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級(jí)等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤(rùn)性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

主要功能：1. 無(wú)感體征監(jiān)測(cè)通過UWB雷達(dá)及多光譜相機(jī)即可實(shí)現(xiàn)較為準(zhǔn)確的體溫心率呼吸血壓等參數(shù)，患者無(wú)需任何穿戴傳感器。多終端數(shù)據(jù)集成顯示，提高患者就診體驗(yàn)。2. 輔助手環(huán)條件允許的情況下還可佩戴手環(huán)輔助其他模塊測(cè)量體征，內(nèi)置定位芯片，第一時(shí)間掌握病人位置，可通過手環(huán)與AI語(yǔ)音助理進(jìn)行交互。3. 意外預(yù)判多光譜相機(jī)和其他部件通過綜合參數(shù)檢測(cè)到用戶姿態(tài)異常、體征異常時(shí)，預(yù)警可能出現(xiàn)的意外與急癥4. 智能輔助診斷全病癥知識(shí)圖譜科學(xué)輔助診斷、指導(dǎo)用藥

 1988年國(guó)際上提出的MEMS(MicroElectroMechanical System)技術(shù)是將IC工藝和機(jī)電設(shè)計(jì)相結(jié)合制造微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的新技術(shù)，也稱硅MEMS。作為對(duì)硅MEMS的補(bǔ)充和發(fā)展，非硅材料種類繁多、性能各異，能滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，我們?cè)趪?guó)家863 計(jì)劃等項(xiàng)目支持下于九十年代初首先提出并創(chuàng)立了非硅MEMS技術(shù)。 提出非硅MEMS新概念和總體思路；開發(fā)了以金屬基為主的多種材料兼容的非硅表面微加工、高深寬比三維微加工等成套非硅微加工技術(shù)，為非硅MEMS發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ)；把經(jīng)典原理和非硅微加工結(jié)合，開發(fā)了一系列壓電、靜電、磁電、微流體、慣性等種類的微器件和微系統(tǒng)，形成若干具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利群；并將非硅MEMS應(yīng)用于生物芯片、微引信、信息、光器件、復(fù)合膜模具、國(guó)防武器、非硅MEMS生產(chǎn)線等眾多領(lǐng)域，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益，推動(dòng)和引領(lǐng)了我國(guó)非硅MEMS技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。  非硅MEMS技術(shù)及其應(yīng)用獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（2008，2000），省部一等獎(jiǎng)4項(xiàng)，獲2009年中國(guó)工業(yè)博覽會(huì)創(chuàng)新獎(jiǎng)；授權(quán)發(fā)明專利200多項(xiàng)；出版MEMS專著6部。

? 非損傷微測(cè)技術(shù)（Non-invasive Micro-test Technology，NMT）源于美國(guó)MBL實(shí)驗(yàn)室（54位諾貝爾獎(jiǎng)得主的搖籃），由神經(jīng)學(xué)家Lionel F. Jaffe（美國(guó)揚(yáng)格公司創(chuàng)始人之一）于1974年發(fā)明，2001年，美國(guó)揚(yáng)格公司正式推出現(xiàn)代NMT。NMT是一種研究活體材料的底層核心技術(shù)，研究人員基于NMT能夠建立自己獨(dú)有的Me-Only 研究平臺(tái)，從而獲得極具創(chuàng)新的研究成果。 ? NMT可在不接觸、不損傷樣品的情況下，檢測(cè)分子/離子進(jìn)出生物活體的流速（流動(dòng)速率和方向），可測(cè)樣品種類繁多，小到菌、單細(xì)胞、液泡，大到組織、器官、整體都可檢測(cè)。基于NMT商業(yè)化的設(shè)備統(tǒng)稱為非損傷微測(cè)系統(tǒng)。 ? 揚(yáng)格/旭月的非損傷微測(cè)系統(tǒng)包含BIO系列、CONFLUX系列（共聚焦/熒光NMT）、NMT100系列、NMT200系列、NMT100S系列、NMT200S系列、NMT150系列、NMT活體工作站系列、NMT Physiolyzer?系列等，已發(fā)展至第七代自動(dòng)化智能產(chǎn)品。揚(yáng)格/旭月的NMT系統(tǒng)全部采用從美國(guó)揚(yáng)格（旭月北京）研發(fā)中心自主研發(fā)的imFluxes智能操作軟件，將十余年的NMT應(yīng)用大數(shù)據(jù)與設(shè)備實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合，并且在產(chǎn)品一體化、自動(dòng)化、智能化、擴(kuò)展升級(jí)等諸多方面都有大幅提升。 ? 揚(yáng)格/旭月已取得基于NMT的數(shù)十項(xiàng)專利及軟件著作權(quán)，擁有完善的專利保護(hù)體系，所有產(chǎn)品全部通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證和ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證。揚(yáng)格/旭月所銷售的NMT專用耗材，已通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證，所有耗材是揚(yáng)格/旭月研發(fā)中心結(jié)合十余年的經(jīng)驗(yàn)、摸索并自主研發(fā)生產(chǎn)的。NMT專用耗材較傳統(tǒng)的通用型耗材保質(zhì)期更長(zhǎng)，性能更穩(wěn)定、可靠，所有對(duì)外銷售的耗材全部經(jīng)過嚴(yán)格的生產(chǎn)、檢驗(yàn)流程。 ? 揚(yáng)格/旭月的NMT研究平臺(tái)已經(jīng)幫助國(guó)內(nèi)外科研單位取得近百項(xiàng)各類專利，以及包含Nature、Cell在內(nèi)的500多篇論文。同時(shí)，已銷往歐洲的瑞士蘇黎世大學(xué)（擁有包括愛因斯坦在內(nèi)10余位諾貝爾獎(jiǎng)得主），以及中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)林科院、中國(guó)農(nóng)科院、農(nóng)業(yè)部下屬的眾多科研院所與高校，以及北大、上海交大等知名高校。 ? 美國(guó)揚(yáng)格公司推出新產(chǎn)品熒光非損傷微測(cè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)非損傷性地同時(shí)獲取活體樣品內(nèi)外離子分子種類、濃度、流速和運(yùn)動(dòng)方向的信息，是生理功能鑒定的直接手段。 測(cè)量方式和特點(diǎn)：活體、動(dòng)態(tài)、實(shí)時(shí)、內(nèi)外兼測(cè)、長(zhǎng)時(shí)間多維掃描與測(cè)量。 所測(cè)離子和分子：IAA、O2、H2O2、Ca2+、H+、K+、Na+、Cu2+、Pb2+、Cd2+、Cl-、NH4+、NO3-、Mg2+。 測(cè)量材料：整體、器官、組織、細(xì)胞層、單細(xì)胞、（富集）細(xì)胞器。 擁有熒光功能。 產(chǎn)品型號(hào)：非損傷微測(cè)系統(tǒng)NMT-IE系列（美國(guó)原裝整機(jī)進(jìn)口或進(jìn)口原件，國(guó)內(nèi)組裝） 參數(shù)請(qǐng)來(lái)電咨詢：82622628 按1 營(yíng)銷中心

產(chǎn)品詳細(xì)介紹中廣上洋U-EDIT 100HD    中廣上洋U-EDIT專業(yè)視頻編輯產(chǎn)品提供了您所需要的一切，它沿襲了大洋非線性編編產(chǎn)品模塊齊全、功能強(qiáng)大的優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)過優(yōu)化的工作流程完全滿足SD及HD的應(yīng)用，同時(shí)采用高質(zhì)量的視音頻處理技術(shù)、行業(yè)領(lǐng)先的創(chuàng)意與剪輯工具、強(qiáng)大的字幕動(dòng)畫創(chuàng)作模塊和實(shí)用的音頻處理模塊，幫您更快、更輕松、更專業(yè)地創(chuàng)作出最好的作品。處理器：英特爾@酷睿@高速處理器圖形顯卡：專業(yè)圖形處理顯卡數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：2*1TB尺寸（單位mm）：570*430*176硬件板卡：Cutelink系列板卡視頻輸入輸出接口： HDMI高標(biāo)清/C復(fù)合音頻輸入輸出接口：立體聲線路輸入輸出立體聲話筒輸入立體聲耳機(jī)輸出其他接口：支持OHCI1394

成果簡(jiǎn)介： 在含有苯硼酸和納米金的溶液體系中加入含糖樣品，樣品中的糖類物質(zhì)與苯硼酸結(jié)合從而抑制苯硼酸和納米金的結(jié)合，使溶液顏色發(fā)生變化，通過檢測(cè)或者觀測(cè)溶液顏色的變化實(shí)現(xiàn)樣品中糖類物質(zhì)的定量、半定量或定性檢測(cè)。

本發(fā)明涉及一種金納米環(huán)的制備方法，包括如下步驟：將鈀納米片，抗壞血酸和分散劑溶解于溶劑中；所述的鈀納米片中鈀原子在溶液中的濃度為2.0×10?4～1.4×10?3mol/L；所述的抗壞血酸在溶液中的濃度為0.1～0.5mol/L；然后將氯金酸水溶液注入到上述的溶液，在0～35℃下反應(yīng)，得到金納米環(huán)；所述的氯金酸與鈀納米片中鈀原子的摩爾比為7 : 1～25 : 1。該制備方法簡(jiǎn)單，重復(fù)性高，成本低，制備得到的金納米環(huán)具有空心結(jié)構(gòu)，尺寸均勻、分散性好，而且尺寸與壁厚都可以調(diào)控。

內(nèi)容介紹： 針對(duì)飛機(jī)數(shù)字化制造中的飯金工藝智能設(shè)計(jì)、曲面類零件展開和平板 類零件排樣問題，建立了仮金零件工藝知識(shí)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)了飯金零件典型工 藝的智能設(shè)計(jì)；提出了曲面類零件展開的等變形協(xié)調(diào)解法，實(shí)現(xiàn)了飛機(jī) 飯金曲面類零件的快速、準(zhǔn)確展開；設(shè)計(jì)了面向飛機(jī)銀金零件多種下料 方式的排樣算法，實(shí)現(xiàn)了仮金零件的綜合優(yōu)化排樣；開發(fā)了面向航空數(shù) 字化制造的使能工具軟件，實(shí)現(xiàn)飛機(jī)飯金工藝設(shè)計(jì)的智能化和快速化。