新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂低溫控溫儀TESK301型低溫控溫儀是有北京錦正茂科技有限責任公司自主研發的高精度單回路低溫溫度控制系統，可以實現從20K-600K的溫度控制輸出。該溫控系統具有一路傳感器輸入和一路加熱輸出功能，傳感器輸入和加熱輸出組成了一個控制回路。TESK301單通道設計能滿足大部分實驗室科研以及工業低溫控溫使用。配合適當的傳感器低溫度測量低至1.4K，高溫達到600K以上，分辨率高達10mK。加熱輸出功率分為三檔可調節，低檔低至0.8W，可達80W，能滿足大部分低溫設備加熱需求。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！  TESK301內置了一個標準恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經16位A/D轉換，自校準，數字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經與設定溫度比較后，實時PID運算給出控制信號，通過機內固態繼電器周期控制加熱電壓來實現溫度的控制。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售  各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！  

本發明公開了一種兼具 pH 值和離子強度響應的光子晶體水凝膠 薄膜、其制備方法及應用。所述光子晶體水凝膠薄膜包括 Fe3O4 納米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝膠；所述 Fe3O4 納米粒子均勻分散 于水凝膠中，呈一維鏈狀排列，納米粒子在薄膜中的濃度為 1～ 50mg/mL。所述的光子晶體水凝膠薄膜的制備方法，包括將 Fe3O4 納 米粒子和水凝膠單體均勻混合，通過紫外光使其發生固化反應，最后 浸于可溶性碳酸鹽水

提供一種高分辨率光學推掃衛星穩態重成像傳感器校正方法及系統，包括構建單片TDICCD非穩態嚴密幾何模型和虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型，根據虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型得到有理函數模型，建立單片TDICCD影像與虛擬CCD重成像影像的一一映射關系，從而根據原始的單片TDICCD影像生成傳感器校正后影像。本發明技術方案結合虛擬CCD成像原理，利用多片TDICCD非穩態幾何模型與虛擬單線陣CCD穩態幾何模型定位的一致性，實現多片CCD影像的無縫拼接的同時，校正由平臺震顫引起的影像變形，提供用戶標準景影像和對應高精度RPC參數，便于后續圖像應用。

核孔復合物（nuclearporecomplex,NPC）是真核細胞的核膜上負責物質雙向運輸的唯一通道，同時也是真核細胞中最龐大、最復雜的分子機器之一。其功能異常與包括癌癥在內的多種疾病的發生相關。

本發明公開了一種適用于 4.2K-4.5K 溫區的高分辨率超導溫度計，包括感應線圈、隔離元件、超導體、互感線圈、超導量子干涉儀以及熱阻開關，其中感應線圈為平面無骨架線圈的形式，并通過隔離元件與超導體予以分隔處理，互感線圈由初級線圈和次級線圈共同組成，并且該初級線圈用于與感應線圈構成第一回路,次級線圈則用于與超導量子干涉儀相連并構成第二回路，并且在第一回路和第二回路中各自串聯有熱阻開關。通過本發明，可根據回路中電流的變化值反推溫度的變化，其在 4.2K-4.5K 溫區間的測量分辨率可達 0.5μK。&

本發明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發明可在江河湖泊,生物醫學領域(如血液,體液),工業廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.

本發明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結構不同的光子晶體疊加構成，其結構為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉換效率。制備工藝簡單。

中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學物理學院的司良教授合作，在鈣鈦礦結構過渡金屬氧化物薄膜的磁輸運性質研究中取得重要進展。

本發明公開了一種 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強化學氣 相沉積法沉積異質結，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽 能電池，本方法中通過設置混合原料的比例，并設定反應源加熱溫度 數值 T 與反應沉積時間數值 t 的關系，就能在一次實驗過程中先后沉 積出質量比較優異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽能電 池的核心部件 p-n 結，大大