新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

 基于硅材料和CMOS工藝制備光電子器件及其集成技術，可實現低成本、批量化生產，并具有和微電子單片集成的潛力，是目前國際光電子前沿研究領域。該技術不僅可以用于片上光互連，也可為骨干網、光接入網和數據中心提供高性能、低成本收發模塊。 在國家973計劃項目《超高速低功耗光子信息處理集成芯片與技術基礎研究》的支持下，針對硅基材料不具備線性電光效應、而利用自由載流子等離子色散效應實現電光調節效率低、功耗高等科學難題，提出了一系列解決思路和具有創新性的器件結構，形成了硅基光電子集成器件設計方法和基于CMOS工藝的制備工藝流程，成功制備了一系列硅基光電子集成芯片。 該技術不僅為我國硅基光電子集成技術的發展和華為等知名電信設備企業新一代產品提供了有力的技術支撐，也引起了國際同行的密切關注。美國光學學會《Optics & Photonics News》曾出版專題報道“Integrated Photonics in China”，對本項目的部分工作進行了介紹。2014年底，Nature Photonics將本項目首次在硅基上研制成功的大容量可編程光緩存芯片作為Research Highlight加以報道。高速低功耗16*16光交換芯片版圖大容量可編程光緩存芯片（左：芯片照片，中：封裝后的結構，右：性能測試結果）為華為公司研制的400G可調光模塊。

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結果近期發表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。

產品詳細介紹

產品詳細介紹更多產品及合作咨詢請用以下聯系方式：1、請回復我要咨詢或合作2、撥打熱線電話：023—68315688 152234316123、QQ：2082863815 4、微信公眾平臺：聚知寶其他聯系方式：售后服務熱線：023—68315696傳真：023—68269777E-mail：[email protected]聯系地址：重慶市北碚區蔡家崗鎮鳳棲路15號基礎設施 多媒體講臺 調整角度，臺面四角需進行安全處理，有防水功能學生工作臺 "臺面可組合式正六邊形，直徑1200-1500mm，或長方形，1200-1800 mm；高720mm。采用≥28mm硬質實木齒接精致加工。臺身：鋼木結構，立腿為40×60mm矩管或￠50mm圓管，厚度不小于1.2mm。  每張桌子帶6根凳：實木凳或鋼木凳或塑鋼凳，具體技術參數見“課桌凳配備標準”。"專用工具操作邊臺 1200×450×720mm，臺面：采用≥40mm硬質實木齒接精致加工，配臺面防滑透明耐磨塑膠墊；臺身：鋼木結構，立腿為40×60mm矩管或￠50mm圓管，厚度不小于1.8mm，電源：配裝五組獨立空開，臺下面裝防水五孔插座一個（帶安全防護蓋）、一盞節能日光燈。沿墻面采用PVC線盒將電源接至操作邊臺。保管陳列柜 基本規格：鋼質家具，兩節儀器柜1100×450×2000mm，上柜玻璃對開門，內設三層可調節隔板；下柜鋼質對開門，內設兩層可調節隔層。所有儀器柜鎖通用一把鑰匙。科普圖版 寫真膜、壓克力，基本規格：850×600mm勞動保護用品 手套、護目鏡教學掛圖及軟件 符合行業標準初中等級技術教學掛圖 符合行業標準初中等級技術教學光盤 符合行業標準器材設備 通用工具 金工工具 符合國家安全標準。專用工具箱配套55件套，含26種必備常用工具，工具箱內定點定位雙折雙開，規格尺寸不小于：450mm×350mm，方便使用和管理。工具包括：鋼絲鉗，1把，7"，45#鋼；尖嘴鉗，1把，6"，45#鋼；鋼直尺，1把，300mm鋼直尺；扁銼刀，1把，200mm尖頭；半圓銼刀，1把，200mm半圓；三角銼，1把，200mm三角；圓銼刀，1把，200mm圓銼；劃針，1把，200mm；劃規，1把，150mm劃規；樣沖，1把，GP100C-2ΦD2mm，L100mm；什錦銼，6件/套（軸承鋼，半圓銼、三角銼、方銼、圓銼、尖頭扁銼、齊頭扁銼)。箱體設計合理科學，便于使用。木工工具 符合國家安全標準。專用工具箱配套20件套，含18種必備常用工具，工具箱內定點定位雙折雙開，規格尺寸不小于：400×300mm，方便使用和管理。工具包括：木工鑿子，1把，3/4”；美工刀，1把，包膠；木工銼，1把，8"半圓；剪刀，1把，多用；羊角錘，1把，0.5KG木柄；鳥刨，1把；手推刨，1把；鋼角尺，1把，300mm；螺絲刀，2把，6*125+-鉻釩鋼，芝麻柄；老虎鉗，1把，8"黃黑雙色柄；鋼卷尺，1把，3000×12.5mm×；G形夾，2把，3"；有機玻璃鉤刀，1把，鉤刀帶兩把刀片；木工折疊鋸，1把，錳鋼三面齒，磨齒鋸；木工鉛筆，1支。電工工具 符合國家安全標準。專用工具箱配套34件套，含22種必備常用工具，工具箱內定點定位雙折雙開，規格尺寸：400×300 mm，含零件內盒，方便使用和管理。工具包括：電工膠布，1卷，5mPVC電工膠布；芝麻柄螺絲批，2把，6×100mmPH2# 十字一字各一支；芝麻柄螺絲批，2把，5*75mmPH1#，十字一字各一支；芝麻柄螺絲批，2把，3×150mmPH0# 十字一字各一支；鋼卷尺，1把，3000×12.5mm公制白色涂脂尺帶；吸錫器，1個，鋁塑吸錫泵；剝線鉗，1把，磨齒剝線鉗、剝線經0.6-2.6mm、后面切線功能；刷子，1把，軟毛刷；焊錫絲，1卷，電烙鐵：100瓦1個。微型機床 "符合國家安全標準。每套含鋸床、車床、銑床、磨床、鉆床各一臺鋸床：1.功能：可以直線、曲線任意切割；2.技術參數：工作臺面不小于120×120mm;線鋸加工最大的切鋸深度不得小于：硬木4 mm、三夾板7 mm、軟木18 mm、薄鋁片0.5 mm、有機玻璃2 mm;    車床：1.功能：能加工木材、工程塑料、軟金屬（鋁、銅等），車刀為高速鋼材質；2.技術參數：加工材料的最大直徑不小于30 mm，加工的材料長度不小于150 mm;    銑床：1.功能：可以X.Y.Z三維空間操作，能夠變換立銑、臥銑、手銑；能加工木材、工程塑料、軟金屬（鋁、銅）等；2.技術參數：銑刀的側面和前面都有刀刃；行程不小于40×60 mm；夾頭不小于1-6 mm；    磨床：1.功能：可以用于拋光、打磨和進行各種角度的研磨，可以根據不同的工作要求選用和替換各種砂紙；能加工木材、工程塑料、軟金屬（鋁、銅）等；2.技術參數：加工中心高度不小于25 mm；工作臺面不小于120×120mm;    鉆床;1.功能：操作要靈活、簡便，能夠改裝為手鉆或手磨，工作的角度可以在180度內調整，可以鉆出等分的孔徑；能加工木材、工程塑料、軟金屬（鋁、銅）等；2.技術參數：工作臺面不小于120 mm *120mm；滑塊行程不小于40×60mm；夾頭不小于1-6mm。產品所有結構部件是原生產廠家生產。"專用工具 臺虎鉗 鉗口寬度不小于60mm  最大開口不小于60mm  ,可旋轉360°，帶砧臺鉗。臺  鉆 電壓:220V頻率:50HZ功率:240W。鉆削行程:不小于25mm,工作臺為鑄鐵臺面.尺寸不小于17×17mm,重量：不低于６公斤。臺式砂輪機 砂輪直徑Φ125 mm；轉速：2840+-10%RPM  配用電機：200W  電壓：220V 50Hz；附件：專用工作臺（架）。轉速：可調手電鉆 功率：500W，通用夾頭，最大夾持10mm,含鉆頭鉚槍 至少有4個規格頭鉗工錘 高碳鋼游標卡尺 分度值0.02mm千分尺 分度值0.01mm手工制作工具材料 手工制作工具 專用配套工具10件以上，工具包括：鋼質剪刀1把；鋼質直尺1把；鋼質鑷子1把；鋼質12mm美工刀1把；2mm皮尺1條；鋼質頂針1個；縫紉線線圈1個；大小規格各一鋼針1盒；竹質毛衣針1副；鋼質繡花針1盒；手持式縫紉機1個。手工制作材料 三層板200×400mm10塊、五層板200×400mm10塊，8mm實木板200×400mm10塊，12mm實木板200×400mm10塊，15mm實木板200×400mm10塊、20×30mm實木條400mm長10條；高分子塑料軟片1.0厚200×400mm10塊、PVC板2.0mm厚200×400mm10塊，有機玻璃板200×400mm10塊,金屬片200×400mm10塊，亞克力板200×400mm10塊，泡沫板200×400mm10塊等10種以上泥塑制作工具 木質泥塑刀6寸1把、木質陶藝刀6寸1把、木質造型刀6寸1把、不銹鋼鑷子6寸1把、木質雕塑刀6寸1把。種殖專用工具設備包 容量500ml噴壺1個；直徑約150 mm 高度約60 mm篩子1個；壺身是加厚塑料，無毒，防摔．霧化，直射，噴灑等噴霧器1個；手持10X放大鏡1個；不銹鋼全長200mm刃長65mm 手柄寬度28mm嫁接刀1把；大扇硬度HRC54以上　小扇硬度HRC51以上修枝剪1把；鋸片長130mm 180mm；210mm果枝鋸各1把、規格：592×340×70mm；塑料花盆、托盤各1個；木柄鐵質鋤、鏟、鎬、鍬各1個更多產品及合作咨詢請用以下聯系方式：1、請回復我要咨詢或合作2、撥打熱線電話：023—68315688 152234316123、QQ：2082863815 4、微信公眾平臺：聚知寶其他聯系方式：售后服務熱線：023—68315696傳真：023—68269777E-mail：[email protected]聯系地址：重慶市北碚區蔡家崗鎮鳳棲路15號

所設計的頭盔顯示器目鏡畸變系數低于5%，色差小，視場角達到120度，放大率合適。配合光路結構達到非常理想的成像效果。結構采用2k分辨率的高z清顯示屏。 所設計的相關控制電路模塊精確簡單，并且對頭盔姿態響應敏感、準確。高清顯示屏顯示內容準確，刷新速率滿足要求。整個驅動電路在響應速度上延遲不超過20ms，人眼難以察覺。