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IECUBE-3100集成電路測試實訓平臺是一個源于繼承廣電路行業(yè)實際工業(yè)應(yīng)用場景，基于集成電路行業(yè)國際領(lǐng)先的NI測試測量技術(shù)，針對集成電路測試技能培養(yǎng)而專門開發(fā)的實訓平臺，可以完成典型集成電路的測試實訓，包括ADC、DAC、PA、數(shù)字邏輯IC以及晶體管等。

本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口、以及第二驅(qū)控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分

本發(fā)明提供一種基于 IPOVERCCSDS 標準的新一代飛船高速通信處理器上行鏈路的地面測試系統(tǒng) 及方法，首先模擬產(chǎn)生地面測控中心需要發(fā)送至飛船的所有數(shù)據(jù)，包括視頻/話音數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)和遙控 數(shù)據(jù)；再將數(shù)據(jù)封裝成 CCSDS 數(shù)據(jù)包；將封裝好的 CCSDS 數(shù)據(jù)包先進行信道編碼、加擾，然后根據(jù) 模擬數(shù)據(jù)產(chǎn)生速率生成填充數(shù)據(jù)，從而以恒定速率通過 LVDS 接口將所有數(shù)據(jù)發(fā)送給飛船高速通信處理 器；最后通過對模擬數(shù)據(jù)和飛船高速通信處理器輸出數(shù)據(jù)的比

本發(fā)明公開了一種基于雙路電流平衡及隧道掘進機的地質(zhì)超前 探測方法，其包括以下步驟:(1)提供位于待測地質(zhì)體內(nèi)的隧道掘進機 及光纖電流傳感器，所述隧道掘進機包括護盾、刀盤及連接所述護盾 及所述刀盤的主驅(qū)動軸承;所述光纖電流傳感器纏繞在所述主驅(qū)動軸 承上，其用于測量流經(jīng)所述主驅(qū)動軸承的電流值;(2)提供雙路恒流源，所述雙路恒流源的兩路電流同時分別施加于所述護盾及所述刀盤;(3) 調(diào)節(jié)兩路電流的大小，使所述光纖電流傳感器的示數(shù)保持為 0;(4)根 據(jù)電壓與電流的關(guān)系分別計算出所述隧道掘

本發(fā)明公開了一種適用于低用戶密度小區(qū)上行鏈路的能效優(yōu)化方法，具體為：首先基站初始化計算用戶密度臨界值λ0(α)，根據(jù)用戶發(fā)送的導(dǎo)頻信號確定當前路徑損耗因子α0，然后基站根據(jù)已經(jīng)使用的信道個數(shù)計算當前小區(qū)用戶密度λ′，最后判斷如果當前小區(qū)用戶密度λ′小于λ0(α0)時，則調(diào)用等功率控制算法，否則調(diào)用信道反轉(zhuǎn)功率控制算法。本發(fā)明適用于用戶端配備單天線，基站端配備任意天線的小區(qū)場景，能夠提高低用戶密度小區(qū)上行鏈路的能量效率，從而提升整個網(wǎng)絡(luò)上行鏈路的能效。

渡眾機器人為滿足智能駕駛實訓系統(tǒng)演示需求，開發(fā)了各種定制化智慧交通模型行駛系統(tǒng)沙盤。模型車輛搭載實車使用的各類傳感器，模擬在實際交通場景中車輛自動啟停、信號燈自動識別、障礙物識別等智能駕駛行為。自動駕駛實訓沙盤構(gòu)建主要分為智能路側(cè)系統(tǒng)、微縮沙盤系統(tǒng)、基于V2X的自動駕駛?cè)糠謨?nèi)容。車路協(xié)同自動駕駛演示沙盤為各高校提供必要的實踐環(huán)境與研發(fā)平臺，可完成當前智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)的理論學習和工作實踐。  

主要應(yīng)用領(lǐng)域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標：能夠?qū)ι仙龝r間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標：能夠?qū)ι仙龝r間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續(xù)波電場測量系統(tǒng) 主要要技術(shù)指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實現(xiàn)光子學和電子學的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現(xiàn)三維光電混合集成，可以實現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關(guān)文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對微鉆在使用過程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結(jié)成微鉆硬質(zhì)合金的過程中，出現(xiàn)WC晶粒異常長大，帶來性能的明顯降低這個問題，研究了添加特種晶粒長大抑制劑的作用和燒結(jié)過程優(yōu)化研究。現(xiàn)已能批量生產(chǎn)Ф3.75標準微鉆生產(chǎn)用納米晶硬質(zhì)合金棒材，該棒材強度高、硬度高、壽命長、加工性能好、實物質(zhì)量水平已達同類產(chǎn)品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進水平。市場前景分析：硬質(zhì)合金生產(chǎn)廠家生產(chǎn)納米硬質(zhì)合金制品，特別是為國內(nèi)需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質(zhì)合金棒材的生產(chǎn)。 2005年消耗量超過1000萬只的PCB企業(yè)有16家，超過500萬只的企業(yè)近40家。國內(nèi)PCB行業(yè)2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購資金超過40億元，微鉆使用壽命短和鉆機換刀頻繁已成為制約整個PCB業(yè)提升利潤空間和產(chǎn)出效率的瓶頸。市場迫切需要鉆孔質(zhì)量好、使用壽命高、價格適中的PCB微鉆產(chǎn)品。目前國內(nèi)PCB微鉆生產(chǎn)用硬質(zhì)合金棒材每年需求量約200萬公斤，一半以上需要進口，需求量巨大。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：橫斷面彎曲強度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國內(nèi)領(lǐng)先。