新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

IECUBE-3100集成電路測試實訓平臺是一個源于繼承廣電路行業實際工業應用場景，基于集成電路行業國際領先的NI測試測量技術，針對集成電路測試技能培養而專門開發的實訓平臺，可以完成典型集成電路的測試實訓，包括ADC、DAC、PA、數字邏輯IC以及晶體管等。

本發明公開了一種基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅控信號輸入端口、以及第二驅控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結構，且上下層之間順次設置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、網孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網孔狀共地電極板分

本發明提供一種基于 IPOVERCCSDS 標準的新一代飛船高速通信處理器上行鏈路的地面測試系統 及方法，首先模擬產生地面測控中心需要發送至飛船的所有數據，包括視頻/話音數據、網絡數據和遙控 數據；再將數據封裝成 CCSDS 數據包；將封裝好的 CCSDS 數據包先進行信道編碼、加擾，然后根據 模擬數據產生速率生成填充數據，從而以恒定速率通過 LVDS 接口將所有數據發送給飛船高速通信處理 器；最后通過對模擬數據和飛船高速通信處理器輸出數據的比

本發明公開了一種基于雙路電流平衡及隧道掘進機的地質超前 探測方法，其包括以下步驟:(1)提供位于待測地質體內的隧道掘進機 及光纖電流傳感器，所述隧道掘進機包括護盾、刀盤及連接所述護盾 及所述刀盤的主驅動軸承;所述光纖電流傳感器纏繞在所述主驅動軸 承上，其用于測量流經所述主驅動軸承的電流值;(2)提供雙路恒流源，所述雙路恒流源的兩路電流同時分別施加于所述護盾及所述刀盤;(3) 調節兩路電流的大小，使所述光纖電流傳感器的示數保持為 0;(4)根 據電壓與電流的關系分別計算出所述隧道掘

本發明公開了一種適用于低用戶密度小區上行鏈路的能效優化方法，具體為：首先基站初始化計算用戶密度臨界值λ0(α)，根據用戶發送的導頻信號確定當前路徑損耗因子α0，然后基站根據已經使用的信道個數計算當前小區用戶密度λ′，最后判斷如果當前小區用戶密度λ′小于λ0(α0)時，則調用等功率控制算法，否則調用信道反轉功率控制算法。本發明適用于用戶端配備單天線，基站端配備任意天線的小區場景，能夠提高低用戶密度小區上行鏈路的能量效率，從而提升整個網絡上行鏈路的能效。

渡眾機器人為滿足智能駕駛實訓系統演示需求，開發了各種定制化智慧交通模型行駛系統沙盤。模型車輛搭載實車使用的各類傳感器，模擬在實際交通場景中車輛自動啟停、信號燈自動識別、障礙物識別等智能駕駛行為。自動駕駛實訓沙盤構建主要分為智能路側系統、微縮沙盤系統、基于V2X的自動駕駛三部分內容。車路協同自動駕駛演示沙盤為各高校提供必要的實踐環境與研發平臺，可完成當前智能網聯技術的理論學習和工作實踐。  

主要應用領域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續波電場測量系統 主要要技術指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結果近期發表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對微鉆在使用過程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結成微鉆硬質合金的過程中，出現WC晶粒異常長大，帶來性能的明顯降低這個問題，研究了添加特種晶粒長大抑制劑的作用和燒結過程優化研究。現已能批量生產Ф3.75標準微鉆生產用納米晶硬質合金棒材，該棒材強度高、硬度高、壽命長、加工性能好、實物質量水平已達同類產品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進水平。市場前景分析：硬質合金生產廠家生產納米硬質合金制品，特別是為國內需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質合金棒材的生產。 2005年消耗量超過1000萬只的PCB企業有16家，超過500萬只的企業近40家。國內PCB行業2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購資金超過40億元，微鉆使用壽命短和鉆機換刀頻繁已成為制約整個PCB業提升利潤空間和產出效率的瓶頸。市場迫切需要鉆孔質量好、使用壽命高、價格適中的PCB微鉆產品。目前國內PCB微鉆生產用硬質合金棒材每年需求量約200萬公斤，一半以上需要進口，需求量巨大。與同類成果相比的優勢分析：橫斷面彎曲強度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國內領先。