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水產(chǎn)品加工行業(yè)是典型的高耗水行業(yè)，其廢水產(chǎn)生量大，對(duì)環(huán)境污染嚴(yán)重。水產(chǎn)品加工廢水具有有機(jī)物濃度高、氨氮濃度高、總磷濃度高、鹽度高和水溫低這“四高一低”的特點(diǎn)。廢水中較高的鹽度會(huì)導(dǎo)致滲透壓升高，使微生物發(fā)生質(zhì)壁分離，影響廢水的處理效果；另外，由于較高的廢水密度，更容易導(dǎo)致活性污泥的上浮流失，導(dǎo)致常規(guī)污水處理工藝一般難以達(dá)到國(guó)家或地方規(guī)定的污水處理排放標(biāo)準(zhǔn)。本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，尋求設(shè)計(jì)提供一種新型工藝和原理的水產(chǎn)品加工廢水的同步脫氮除碳方法，該方法以水產(chǎn)品加工過(guò)程中排放的各種廢水為對(duì)象，采用生物新技術(shù)對(duì)廢水進(jìn)行處理。本發(fā)明屬于污水處理技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種海洋水產(chǎn)品類物質(zhì)和產(chǎn)品加工過(guò)程中排放廢水的處理工藝技術(shù)，特別是一種水產(chǎn)品加工廢水的脫氮除碳方法。具有良好的環(huán)境效益、社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。 

化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業(yè)排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質(zhì)，常規(guī)的物化、生化處理工藝很難把這些行業(yè)的廢水處理到國(guó)家一級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)。為此，很多企業(yè)不得不通過(guò)稀釋手段來(lái)實(shí)現(xiàn)COD達(dá)標(biāo)排放的目標(biāo)。但是，隨著節(jié)能減排計(jì)劃的實(shí)施，各地都加大了對(duì)COD總量的控制力度。同時(shí)，地方政府也給企業(yè)下達(dá)了COD減排任務(wù)。此外，一些地方政府還頒布了高于國(guó)家廢水排放標(biāo)準(zhǔn)的地方標(biāo)準(zhǔn)。為了完成COD減排任務(wù)或達(dá)到更加嚴(yán)格的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，大部分企業(yè)都必須對(duì)現(xiàn)有污水處理設(shè)施進(jìn)行技術(shù)改造。華東理工大學(xué)環(huán)境工程研究所針對(duì)化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水的特點(diǎn)，研究開(kāi)發(fā)了多項(xiàng)難降解有機(jī)廢水處理技術(shù)，包括各種預(yù)處理技術(shù)、生物處理技術(shù)、深度處理技術(shù)，及多項(xiàng)處理技術(shù)的組合與集成。目前，這些技術(shù)已成功應(yīng)用于多個(gè)化工、精細(xì)化工、制藥企業(yè)的廢水改造工程或新建工程，為這些企業(yè)解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業(yè)在較低的成本下實(shí)現(xiàn)了達(dá)標(biāo)排放的目的，并超額完成了COD減排任務(wù)。（1）處理有機(jī)廢水的BCB組合工藝，授權(quán)發(fā)明專利，專利號(hào)：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應(yīng)催化劑可循環(huán)使用的廢水處理方法，授權(quán)發(fā)明專利，專利號(hào)：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長(zhǎng)和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無(wú)法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。

項(xiàng)目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺(tái)，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件

近年來(lái)，隨著市場(chǎng)對(duì)油品質(zhì)量要求的提高和原油質(zhì)量的下降，國(guó)內(nèi)煉化企業(yè)對(duì)加氫工藝逐步重視。對(duì)油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉(zhuǎn)向加氫型，加氫工藝逐漸已經(jīng)成為主流的深加工工藝。企業(yè)內(nèi)氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價(jià)格的攀升，采用先進(jìn)的優(yōu)化技術(shù)對(duì)煉化企業(yè)的氫氣系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化，最大限度地合理利用氫氣資源已經(jīng)成為提高企業(yè)效益，節(jié)能降耗的重要途徑之一。 本項(xiàng)目目的在于為煉化企業(yè)氫氣系統(tǒng)提供系統(tǒng)分析和優(yōu)化集成的方案。根據(jù)用氫裝置實(shí)際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設(shè)置氫氣梯級(jí)分配網(wǎng)絡(luò)的中間等級(jí)，提高氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網(wǎng)絡(luò)中局部用氫裝置的增減和操作變動(dòng)不改變氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的整體結(jié)構(gòu)和操作特性。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 沉積物的污染修復(fù)是徹底改善水體環(huán)境質(zhì)量，整治流域水污染的 前提和關(guān)鍵。項(xiàng)目根據(jù)相平衡分配理論，利用沉積物污染仿真模擬裝 置，建立并優(yōu)化能夠模擬不同水文特征的可準(zhǔn)確量化沉積物中污染物 釋放規(guī)律的數(shù)學(xué)模型，用于后續(xù)項(xiàng)目的原位修復(fù)關(guān)鍵技術(shù)的材料篩選、 修復(fù)工程實(shí)施及修復(fù)效果評(píng)估。篩選經(jīng)濟(jì)可行的強(qiáng)化降解沉積物中典 型污染物的活性格柵材料；篩選對(duì)沉積物中污染物具有強(qiáng)吸附和絡(luò)合 等作用的固化覆蓋材料，在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出沉積物中典型污染物的原 位活性覆蓋技術(shù)，用于受污染的湖泊和河流沉積物的原位修復(fù)。 該成果已成功助力天津市新生態(tài)城漢沽污水庫(kù)和天津大沽排污 河先鋒河段等污染治理工程的成功實(shí)施。

本項(xiàng)目針對(duì)工程機(jī)械行業(yè)開(kāi)展逆向物流的瓶頸約束問(wèn)題，對(duì)工程機(jī)械產(chǎn)品 回收體系及其逆向物流關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)研究，為回收體系的高效運(yùn)作提供基 礎(chǔ)數(shù)據(jù)；為回收產(chǎn)品的物流流向提供決策依據(jù)；為逆向物流網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計(jì)和 運(yùn)行提供決策支持；在此基礎(chǔ)上，建立與企業(yè)現(xiàn)有信息平臺(tái)有效集成和融合的 逆向物流信息平臺(tái)；同時(shí)，結(jié)合具體企業(yè)開(kāi)展實(shí)踐，為工程機(jī)械回收產(chǎn)品逆向 物流技術(shù)的應(yīng)用和示范提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

面向海綿城市，研發(fā)一種新型種植屋面，自上而下分為六層： 1.建筑屋頂；2.防水涂層；3.阻根防水卷材；4.排水板；5.過(guò)濾層； 6.種植土層。可提前生產(chǎn)好種植屋面的模塊，在施工現(xiàn)場(chǎng)直接拼接。 施工方便，減少施工現(xiàn)場(chǎng)的作業(yè)時(shí)間，降低對(duì)住戶的影響。可通 過(guò)拆卸模塊，實(shí)現(xiàn)破損模塊隨取隨換，維護(hù)簡(jiǎn)單。通過(guò)將種植土 層中對(duì)于水分分離排除，有效緩解防水涂層的壓力。通過(guò)種植土 層及過(guò)濾層的過(guò)濾，對(duì)雨水進(jìn)行初步處理，改善雨水質(zhì)量，增加 雨水可利用性。

1.本成果突破了1項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)（近閾值集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)體系）、2項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)領(lǐng)先（工作電壓最低、處理能效最高）、實(shí)現(xiàn)了3類應(yīng)用（近閾值單元庫(kù)、低功耗芯片、定制流程），解決了我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片，低功耗近閾值設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)不再受制于人。 2.近閾值技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于國(guó)內(nèi)多家集成電路企業(yè)，新增產(chǎn)值6.3億元，新增利潤(rùn)1.7億元。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)電源電壓從1.1V降低到0.6V，讀寫(xiě)能耗降低了80%。大幅度提成了國(guó)產(chǎn)工藝在物聯(lián)網(wǎng)芯片方面的競(jìng)爭(zhēng)力。 3.該成果在保證良率的前提下，降低電源電壓至閾值電壓附近。在國(guó)內(nèi)首次系統(tǒng)性研究低電壓（近閾值）集成電路設(shè)計(jì)方法，突破了低電壓片上靜態(tài)存儲(chǔ)器、同步電路的彈性設(shè)計(jì)方法、模擬/射頻低功耗主從結(jié)構(gòu)等三項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，研制的40nm 0.6V低電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和存儲(chǔ)器獲得中芯國(guó)際的任何，研制的0.6V 6mW低電壓導(dǎo)航芯片獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先移動(dòng)互聯(lián)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)-珠海全志的認(rèn)可。 4.本成果應(yīng)用效果顯著：1）江蘇東大集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)有限公司整體應(yīng)用本項(xiàng)目技術(shù)，以低功耗核心技術(shù)提升物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，研制并規(guī)模量產(chǎn)65nm低功耗系統(tǒng)芯片，開(kāi)發(fā)工業(yè)級(jí)物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，研制并且規(guī)模量產(chǎn)65nm低功耗系統(tǒng)芯片，開(kāi)發(fā)工業(yè)級(jí)物聯(lián)網(wǎng)移動(dòng)終端7系列共474580臺(tái)，近兩年新增銷售額45976萬(wàn)元，新增利潤(rùn)13793元，在國(guó)內(nèi)物流快遞領(lǐng)域應(yīng)用于順豐等行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，取代國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手優(yōu)勢(shì)地位。2)深圳市國(guó)微電子采用本項(xiàng)目技術(shù)，研發(fā)國(guó)內(nèi)最大容量低功耗軍用存儲(chǔ)芯片，近兩年新增銷售額5000萬(wàn)元。