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產品詳細介紹

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產品詳細介紹教學用調溫電阻爐是為便于學生完成常規熱處理實習、實驗而專門設計的一種小型熱處理電阻爐。該設備對比原來用于教學實習的設備，具有體積小、重量輕、功率小、升溫快，無需特別安裝，移動方便，投資小，教學面大，實習操作性強等優點。是熱處理教學實習、實驗的理想教具。其特征是臥式直通敞開式雙爐口型，在一個爐架上配備有相互獨立的兩組電爐和兩組可調溫控裝置，可獨立控制。爐溫調節范圍為0～880℃。可放置于普通實驗桌上，供4～8名學生同時進行實習。一個自然班學生，一般采用5～10臺即可滿足。本系列教學用調溫電阻爐以新型鐵-鉻-鋁高溫合金絲為發熱元件，爐膛最高溫度有880℃、1100℃兩種，測溫元件采用K分度熱電偶，控溫方式有自動恒溫型和程序控溫型兩種。該設備改變了以往學生進行熱處理實習時，只能看，不能進行全過程動手操作的狀況。學生可完成如榔頭、鋸條、彈簧等小零件的退火、正火、回火和淬火的全過程。在操作過程中，學生通過敞開式的爐口，還可以隨時觀察到不同溫度時，材料顏色的變化以及機械性能的改變。使看不見摸不著的熱處理工藝過程變得直觀、生動、清晰、簡便。1、最高溫度：880℃；2、電源及功率AC220V/2.5KW；3、爐膛尺寸：∮40×300mm；4、測溫：K分度號熱電偶+數顯控溫儀；5、控溫：自動恒溫，控溫精度：±8℃；

大粒徑硅溶膠是一種重要的無機膠體材料，以其獨特的物理化學性質在多個領域得到廣泛應用。 一、定義與特性 定義：硅溶膠是一種含有二氧化硅（SiO2?）的膠體溶液，通常呈現為透明或半透明的液體。大粒徑硅溶膠指的是粒徑在100納米以上的硅溶膠，其粒徑范圍可以從100納米到500納米不等。 特性： 物理性質：大粒徑硅溶膠具有較高的粘度和良好的流動性，能夠在高溫和高壓環境下保持其性能。 化學性質：硅溶膠無毒無味，耐高溫、耐酸堿，具有穩定的物理和化學性質。 光學性能：大粒徑硅溶膠具有較好的光散射能力，可以在涂料中產生優良的遮蓋效果，提升涂料的遮蓋力和白度。 機械性能：干燥后能形成堅韌的薄膜，具有一定的耐磨性和耐化學性。 二、制備方法 大粒徑硅溶膠的制備方法多種多樣，常見的包括： 溶膠-凝膠法：通過控制反應條件，如溫度、pH值和反應時間等，調節硅溶膠的粒徑和分布。是目前應用最廣泛的一種方法。 離子交換法：也稱粒子增長法，以水玻璃為原料，通過離子交換反應去除雜質，生成聚硅酸溶液，再經處理得到大粒徑硅溶膠。 水熱合成法：在高溫高壓條件下合成硅溶膠，能夠獲得較為均勻的顆粒分布。 直接酸化法：采用稀水玻璃，經離子交換樹脂去除雜質，制備活性硅酸溶膠，再加熱保溫、直接酸化，控制反應條件使晶粒長大，得到大粒徑硅溶膠。 三、應用領域 大粒徑硅溶膠因其獨特的性質，在多個領域展現出廣泛的應用前景： 涂料行業：作為填料和增稠劑，改善涂料的流動性和刷涂性能，提高涂層的附著力和耐磨性。其透明性也適用于透明和半透明涂料的生產。 建筑材料：作為粘結劑，提高水泥和砂漿的強度及耐久性，改善建筑材料的抗滲性能。在混凝土中加入適量的大粒徑硅溶膠，可以增強混凝土的抗壓強度和耐磨性。 電子行業：用于電子封裝材料和絕緣體，提高材料的熱導性和電絕緣性，減少電子元件之間的干擾，提高電子設備的性能和可靠性。 陶瓷材料：作為添加劑，改善陶瓷的成型性和燒結性能，增強陶瓷制品的強度和韌性，提高陶瓷產品的表面光潔度和色澤。 橡膠行業：作為填充劑和增強劑，提高橡膠的耐磨性和抗老化性能，改善橡膠的加工性能，降低加工難度，提高生產效率。 紙張和紡織行業：作為涂布劑和助劑，提高紙張的光滑度和印刷適應性，改善紡織品的手感和強度，提高紡織品的耐水性和耐污性。 環境保護：作為吸附劑，有效去除水中懸浮物和重金屬離子，改善水質。在土壤改良方面也展現出一定的應用前景。 化妝品行業：被廣泛應用于粉底、遮瑕膏等產品中，提供良好的滑爽感，使化妝品在涂抹時更加順滑，且不易出現結塊現象。 四、使用注意事項 在使用大粒徑硅溶膠之前，應準備好所需的工具和材料，包括攪拌器、量筒、噴槍等。 注意施工環境，高濕度環境可能導致涂層干燥不良，而低溫環境則可能延長干燥時間。 在大規模應用前，建議進行小面積的兼容性測試，確保硅溶膠與基材之間的相容性，避免因不兼容造成的涂層脫落或起泡。 使用后應及時清洗工具和設備，避免硅溶膠固化在工具上，影響下次使用。 五、總結 大粒徑硅溶膠以其獨特的物理化學性質，在涂料、建材、電子、陶瓷、橡膠、紙張、紡織、環境保護及化妝品等多個領域展現出廣泛的應用前景。隨著科技的不斷進步和生產工藝的改進，大粒徑硅溶膠的應用范圍和潛力將進一步拓展，為各行業的發展提供更為強大的支持。

本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。

基于“介電體超晶格”制備技術，開發了一套適合量產的超晶格材料制備工藝。超晶格材料在激光非線性波長變換、量子糾纏源產生、聲學濾波換能等領域有重要應用。以超晶格材料為核心材料，開發出紅光、綠光、藍光、準白光、鈉黃光、皮秒鎖模以及中紅外等多種新型激光器。

為了滿足超三代移動通信技術B3G項目對高速背板傳輸的需求，2004年10月東南大學與深圳華為技術有限公司中央硬件部開展合作，共同研制了符合PICMG3.0國際規范的AdvancedTCA全網格標準機箱與背板，實現了超過3.125Gbps的雙向傳輸速率。

近年來，超材料雖然取得了長足發展，但仍存在一些瓶頸問題：1)基于等效媒質超材料的新物理現象和新應用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理學家的領地，以驗證新物理現象為主；3) 超材料對電磁波的凋控大多是靜態的，一旦制備成型其功能即被㈣化，+能實時地調控電磁波。為解決上述問題，該項對微波超材料進行了系統性研究。 在等效媒質超材料方而，提出并制備了柱坐標系下各向異性零折射率超材料，突破了h然界域小輻射單元（電偶極子和磁偶極子）雙定向輻射的限制，實現了完美的電磁波全向輻射及高效空間功率合成。提出?種三頻段超材料完美吸波器，可在三個設計頻段實現電磁波在大角度范圍內、 對極化不敏感的近乎完美吸收。基于變換光學原理，提出一種低損耗電磁幻覺器件，可按照需求有0的地操控0標對電磁波的雷達散射特征。提出并制備了寬帶、低損耗的全介質超材料放人透鏡，打破衍射極限的限制，實現了超分辨率的微波成像。該研究促進了等效媒質超材料的發展。