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以咔唑?yàn)橹行模谄?，7，9號(hào)為分別進(jìn)行芳基化，制備了新型的二維、三維的螺旋槳狀芳香性兩親物， 并通過(guò)折疊芳香性平面的組裝制備了空心球。與傳統(tǒng)的基于一維芳香性分子的超分子多孔材料相比，二、三維π-共軛組裝體在水溶液中提供了疏水性碳環(huán)境，可以吸附回收水中的有機(jī)污染物。研究結(jié)果表明，制備的介孔球?qū)τ袡C(jī)污染物—乙炔雌二醇（Eo）和雙酚A（BPA）的回收率分別為92％和90％。值得注意的是，介孔球可以識(shí)別鹽的濃度。隨著鹽的加入，折疊的芳香性分子被觀察到逐漸變得平坦，誘導(dǎo)強(qiáng)的π-π相互作用，使多孔球體融化并相連一起形成實(shí)心的纖維。這種多孔向無(wú)孔材料的轉(zhuǎn)變引發(fā)被吸附的污染物從多孔結(jié)構(gòu)中自發(fā)釋放，而隨后的透析使超分子多孔結(jié)構(gòu)恢復(fù)吸附容量。

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高超積累植物東南景天對(duì)重金屬超積累能力的方法，包括：將離體的東南景天植株切成含有完整腋芽的莖段，浸入無(wú)菌秋水仙素溶液中，密封避光，并放入溫度為25℃±1℃的搖床中振蕩；取出處理后的離體帶腋芽莖段經(jīng)無(wú)菌水沖洗后接種于分化培養(yǎng)基上，培養(yǎng)至腋芽處長(zhǎng)出叢生芽；將叢生芽接種于生根培養(yǎng)基中，生根培養(yǎng)為完整植株；取完整植株的嫩葉在流式細(xì)胞儀上檢測(cè)所獲得株系的倍性，選擇變異植株；取變異植株，切成莖段，在生根培養(yǎng)基中培養(yǎng)獲得無(wú)菌苗；變異植株與對(duì)照株在加鎘的培養(yǎng)基中進(jìn)行鎘處理，檢測(cè)其體內(nèi)鎘積累量。本發(fā)明通過(guò)誘導(dǎo)東南景天染色體加倍，再經(jīng)過(guò)檢測(cè)獲得加倍材料，提高東南景天對(duì)重金屬的超積累能力。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開(kāi)了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過(guò)超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過(guò)超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，作為各類(lèi)半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場(chǎng)被美國(guó)、日本等國(guó)壟斷，使我國(guó)半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來(lái)在國(guó)家863計(jì)劃和國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測(cè)試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國(guó)外技術(shù)的封鎖，為我國(guó)半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。

本發(fā)明屬于超材料設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種適用于具 有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟: (1)采用加權(quán)法建立每層的、同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛 度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型;(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個(gè)方向上 的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布;(3)計(jì)算每層設(shè)計(jì)域上的微觀 位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性;(4)基于計(jì)算獲得 的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計(jì)變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否 收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時(shí)考慮微觀結(jié)

專(zhuān)利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達(dá)100µm以上。

本發(fā)明公開(kāi)一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹(shù)脂、磺化聚合物樹(shù)脂和糖類(lèi)高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對(duì)LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過(guò)程:將膜用聚合物樹(shù)脂、磺化聚合物樹(shù)脂、糖類(lèi)高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過(guò)濾、真空脫泡后，通過(guò)浸沒(méi)沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡(jiǎn)便安全、原材料廉價(jià)易得等優(yōu)點(diǎn)。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái) 說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量 的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無(wú)線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)