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噬菌體抗菌制劑在防控奶牛乳腺炎中的應用
上海交通大學
2021-04-13
鮮食玉米病蟲害一體化系統 生物防控技術
上海交通大學
2021-04-13
一種用于五軸數控加工的刀具軌跡防過切的方法
本發明公開了一種用于五軸數控加工的刀具軌跡防過切的方法， 包括以下步驟:(1)將刀具沿刀軸方向向曲面投影，并得出新刀位點、 新刀觸點;(2)檢測所述新刀觸點在所述刀具上的位置;(3)調整所述刀 軸方向，轉而執行所述步驟(1);(4)輸出所述刀軸方向 T 作為所述刀具 的刀軸方向，使該刀具的軌跡防過切。本發明通過對關鍵的過切種類 判定方式、刀具刀軸的調整方式等進行改進，能夠有效根據預先判定 的過切的具體位置，采用相應的調整手段防止五軸數控加工的刀具軌 跡發生過切。
華中科技大學
2021-04-14
一種基于形狀記憶合金的螺栓連接結構的防松方法
本成果來自有重大應用前景的橫向項目。研究團隊在多年螺栓連接結構松動機理研究的基礎上，通過改變螺母的幾何結構，并利用形狀記憶合金的超彈性和記憶性，改變螺紋的受力情況，以此達到防松的目的，從而解決工程實際。此外，理論計算結果表明，常規螺栓連接結構的前三圈工作螺紋承載總軸向力的70%以上，使用該螺栓連接結構，能將軸向力較為均勻的分布在各工作螺紋上，有效提高螺栓連接結構的疲勞壽命。該防松方法擬申報國家發明專利，并逐漸推廣使用。
西南交通大學
2016-06-27
汽車類工廠用抗防疲勞地腳墊 20mm黑色黃邊
產品詳細介紹可定制多種規格尺寸厚度一、產品介紹：產品名稱：防靜電抗疲勞地墊產品性能:采用工藝，精心制作而成，以滿足現代人工作舒適的要求。 1、防靜電或不防靜電可選。 2、柔韌、反彈力強、清潔方便、易于移動。 3、表面為柳葉紋防滑設計，使用方便。 4、可耐酸堿溶劑，弱酸弱堿。二、產品規格：厚度：20mm 寬度和長度可選 三層合一定制色彩：黑色黃邊棉層: 耐撕耐壓回彈快執行標準GB/T 17794-2008三、靜電值： 表面電阻測試儀檢測為10的9次方歐姆。底部為10的3-5次方歐姆。四、保質期：16個月。正常8個小時連續作業踩踏。適用于需長時間站立的防靜電工作場所，起到有效緩沖腳部壓力、緩解疲勞的作用。五、注意事項： 避免使用易揮發性液體在表面清洗，如酒精、苯類、香蕉水等溶劑。⒈ 產品表面嚴禁接觸強酸堿性溶劑或易揮發性溶劑，此舉可能導致產品表面變色，褪色和電阻值衰退。不能用高溫鐵器和鋒利物器在表面接觸和劃傷。因為產品中間為棉層，連續12-24小時作業會有所下陷或有所損耗。地址：深圳市寶安西鄉黃麻布第二工業區第5棟四樓電話：0755-29165652傳真：0755-27490894郵箱：[email protected]
深圳市龍之凈科技有限公司
2021-08-23
一種合歡葉片中的內生菌H6菌株分離方法及其應用
本發明涉及一種合歡葉片中的內生菌H6菌株分離方法及其應用，該分離方法包括：采用75%（體積分數）酒精浸泡2min，再用10%次氯酸鈉溶液浸泡3min，無菌水沖洗2?3次，可達到合歡葉片表面最佳的消毒效果和內生菌H6分離的最適條件。本發明經試驗證明H6菌株、發酵液、無菌株發酵液及其從H6發酵液中分得的活性組分對供試的植物病原菌蘋果腐爛病菌，葡萄黑痘病菌、西瓜枯萎病菌、小麥赤霉病菌等均具有較強的抑制作用。本發明采用液?液萃取法對內生菌H6的代謝液提取，得10個組分，其中活性高的組分1、2和8樣品硅烷化衍生后進行GC?MS檢測，鑒定出其中脂肪酸、芳香酸、環二肽、甾醇類等25種具抗菌活性的物質。
青島農業大學
2021-04-13
植物響應重金屬脅迫時伴隨著內源H2S含量的變化
內源H 2 S參與植物對重金屬脅迫的抵御，植物響應重金屬脅迫時伴隨著內源H 2 S含量的變化。但是關于脅迫對內源H 2 S的誘導機制仍然知之甚少。翟繼先課題組該項研究發現Cr6+脅迫增加CaM2的基因表達以及蛋白豐度，進而Ca 2+ /CaM2信號與bZIP轉錄因子TGA3互作，并增強TGA3與H 2 S產生酶編碼基因LCD啟動子中含“TGACG”的順式作用元件結合，從而上調LCD的轉錄，促進內源H 2 S產生，誘導擬南芥適應并抵御Cr 6+ 脅迫。本研究首次發現鈣信號對LCD基因的轉錄調控機制，并揭示了重金屬脅迫誘導內源H 2 S產生的信號通路，對氣體信號分子的研究具有指導意義。此外，該項研究還為遺傳改造以培育高產安全的作物品種提供了新思路，為最大程度地降低耕地重金屬污染造成的農業經濟損失提供新的科學依據。
南方科技大學
2021-04-13
煙臺港萬華工業園1500t/h橋式抓斗卸船機
煙臺港萬華工業園1500t/h橋式抓斗卸船機
青島海西重機有限責任公司
2021-09-02
1435C/D/E/F/H/L信號發生器9KHz~400GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法
（專利號：ZL 201510578254.6） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法，屬于儲氫材料技術領域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結得到母合金，母合金的化學成分范圍為：Mg的原子百分數為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分數為10～20％；然后將燒結合金置于氫化爐中氫化獲得目標儲氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲氫材料具有高的儲氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優良的放氫動力學性能。本發明制備方法具有工藝簡單、高效、產率高、無污染的顯著特點。
安徽工業大學
2021-04-11