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具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。

超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?

木質，共13件，與教材一致。

產品詳細介紹名稱：光纖拉伸-壓電陶瓷環形壓電陶瓷的特點? 多層共燒一體? 軸向響應頻率大? d31和d33可靠運行? 在力傳感器/發電機中的廣泛應用? 小的驅動電壓到50 V可以驅動非常高負荷? 溫度范圍：－273°C　～ + 130°C ? 表面絕緣：鍍銀電極，表面無涂層PZT陶瓷材料常數? d31： -240 picometer(皮米)/Volt(伏)? d33 ：+580 picometer(皮米)/Volt(伏)? 電介質常數ε：1900? 居里溫度:250°C? 密度: 7.5 g/cm33? 彈性順度s33: 20x10-12 m2/N 單片壓電陶瓷微位移致動器選型表　　　     參　數型 號 外形尺寸φA×φB×L［mm］  標稱直徑位移Ｌμ［um@300V］ 　無位移推力／最大推力［N@300V］ 剛度［N/um］ 壓電陶瓷     諧振頻率f 0 [kHz] 靜電容量［nF］（±20%）Rps300/20×18/20 φ20×φ18×20 0.5 120 24 44 20Rps300/32×23/25 φ32×φ23×25 0.6 180 30 32.4 7.3Rps300/24×22/26 φ24×φ22×26 0.55 140 30 31.77 26Rps300/20×18/20 φ24xφ22x12.5 0.55 140 30 35 12Rps300/20×18/20 φ21xφ17x20 0.53 120 24 36 9Rps300/20×18/20 φ21.5xφ18x20 0.53 120 24 45 1.4Rps300/20×18/20 φ13xφ11x3 0.34 110 33 45 18Rps300/20×18/20 φ18xφ16x25 0.43 110 25 76 11Rps300/20×18/20 φ18xφ16x7 0.43 110 25 65 10Rps300/20×18/20 φ18xφ15x7 0.43 110 25 66 5.8Rps300/14×12/8 φ14xφ12x8 0.34 80 27 52 16Rps300/20×17/25 φ20xφ17x25 0.52 120 24 54 11Rps300/21×18 /16 φ21xφ18x16 0.54 120 24 66 13Rps300/21.5×18/25 φ21.5xφ18x25 0.54 120 24 64 16Rps300/21.5×18/30 φ21.5xφ18x30 0.54 120 24 12 18Rps300/21.5×18.5/30 φ21.5xφ18.5x30 0.54 120 24 62 16Rps300/21.5×18/30 φ21.5xφ18x30 0.54 120 24 55 15Rps300/26×22/25 φ26xφ22x25 0.58 180 36 33 18Rps300/25×23/5 φ25xφ23x5 0.56 140 28 38 14Rps300/33×29.5/20 φ33xφ29.5x20 0.69 180 30 28 44Rps300/61.5×47/40 φ61.5xφ47x40 0.98 360 36 18 13Rps300/62×48/30 φ62xφ48x30 0.86 370 36 19 9Rps300/82×75/34 φ82xφ75x34 0.98 470 46 11 66Rps300/60×50/40 φ60xφ50x40 0.86 180 17 18 15Rps300/25.5×20/30 φ25.5xφ20x30 0.56 140 81 51 25Rps300/51×41/38 φ51xφ41x38 0.96 290 29 18 15官網：http://rznxkj.com/

鉚接模型：3件/套；有色透明有機玻璃材質；搭鉚、單搭板鉚接、雙搭板鉚接三種類型。焊接模型：3件/套；金屬材質；坡口型式、搭焊、對焊、角焊。粘接模型：3件/套；有色透明有機玻璃材質，搭粘、角粘、單搭板對粘。

本發明公開了一種基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅控信號輸入端口、以及第二驅控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結構，且上下層之間順次設置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、網孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網孔狀共地電極板分

電力設備輸入電壓不穩定，將造成電力設備使用壽命縮短。電力系統電壓 可能偏離額定值，過高的電壓將造成電能損耗加大、效率降低。改變電力變壓 器分接頭的方式進行電壓調節是電力部門廣泛采用的調壓措施。在變壓器有負 荷電流（有載）的條件下，把變壓器某一個電壓的分接頭切換為另一個電壓的 分接頭，且保證切換過程電力用戶不停電，需要使用高技術含量的有載分接開 關來實現。 目前，現有的有載分接開關切換器中的兩個開關都采用先合后開的切換次 序，采用電阻過渡的方式實現兩個開關的無縫切換過程。該方式的缺點是：為 了保證兩個開關先跳后合之間的時間足夠短，以免燒毀電阻，需要復雜的機械 凸輪滑動機構和壓縮儲能機構，操作振動大、噪音大、可靠性差；開關切換過 程有電弧；整體切換時間長（4 秒）；復雜機械機構決定有載分接開關不允許 頻繁切換。