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一種超大長徑比深孔類零件的金屬增材制造方法
本發(fā)明公開一種超大長徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過程。其特 點是在增材制造每層金屬的過程中進行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長徑比深孔無法加工的問題，避免了傳統深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術難題，制造成本較低，零件成形
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法
本發(fā)明公開了一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法， 該方法包括以下步驟：建立金屬零件 CAD 幾何模型，然后提取 STL 模型，利用分層切片軟件以分層厚度為單位對 STL 模型進行合理分層 并提取各層的輪廓信息，由計算機根據這些輪廓信息生成控制指令； 通過切割裝置用該層對應的數控指令沿該層的輪廓軌跡切割該層板 料；按照各層的排列次序通過焊料依次將各層板料進行粘合，以此完 成整個零件的粘合處理；粘合處理后的整個零件進行加熱，以實現固 熔復合熔接成形，以此方式，完成復雜零件的增材成形。本發(fā)明與現 有
華中科技大學
2021-04-14
高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節(jié)電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實用新型/：發(fā)明授權 簡介：本發(fā)明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動調控系統及其控制方法
本發(fā)明公開了一種梯度溫度場主動調控系統及其控制方法，系 統由溫度場監(jiān)控系統、加熱系統和控制系統；溫度場監(jiān)控系統用于測 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統，加熱系統根據控制系統指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區(qū)獨立實時調節(jié)，以實現在加工過程中整 個加工區(qū)域的溫度場恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應力導致構件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法
本發(fā)明屬于結構優(yōu)化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結構拓撲優(yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法
本發(fā)明屬于結構優(yōu)化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優(yōu)化設計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構建基 于參數化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結構
華中科技大學
2021-04-14
西安交通大學能源與動力工程學院金屬增材制造設備競爭性磋商
西安交通大學能源與動力工程學院金屬增材制造設備競爭性磋商
西安交通大學
2022-06-01
Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結構的 Fe2O3/PPy 柔性復合材 料及制備和應用
本發(fā)明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結構的 Fe2O3/PPy 柔性復合材料及其二者的制備方法和應用，屬于材料領域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規(guī)格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復合材料采用氣相原位化學聚合法復合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡單、易實現，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結構，具有比表面高
華中科技大學
2021-04-14