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一種聚氧化乙烯基電解質(zhì)及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明提供了一種聚氧化乙烯基電解質(zhì)及其制備方法與應(yīng)用， 該 聚 氧 化 乙 烯 基 電 解 質(zhì) 具 有 如 式 I 所 示 的 化 學(xué) 結(jié) 構(gòu) 式 <img file=""DDA0000976130770000011.GIF"" wi=""1309"" he=""430"" /> 其 中，每個(gè) Ar 各自獨(dú)立的為苯基或被磺酸基取代的苯基，在所有 Ar 中， 磺 酸 基 的 取 代 率 為 1/36 ～ 1/12 ， 所 述 磺 酸
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法
本發(fā)明公開了一種抗高溫氧化耐磨鈷基合金絲材及其制備方法。合金刷絲成分為Ｃｒ １３～１７％、Ｎｉ １１～１５％、Ｗ １０～１４％，Ｍｏ ２．４～４．３％、Ａｌ １．２～１．６％、Ｔｉ ２．８～３．６％，Ｎｂ ０．１～０．５％、Ｔａ １．２～１．８％、Ｒｅ ０．０３～０．０６％、Ｃｅ ０．０１～０．０５％、Ｃ ０．０２～０．１％、Ｂ ０．００５～０．０１５％、Ｚｒ ０．０２～０．０７％、Ｃｏ為余量。該合金的制備工藝路線為：真空熔煉?重熔?鍛造?熱軋?拉拔?固溶處理?時(shí)效處理。將原材料按質(zhì)量百分比配料熔煉
東南大學(xué)
2021-04-14
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耐高溫腈基聚合物的分子構(gòu)建與先進(jìn)功能材料
該成果通過分子設(shè)計(jì)構(gòu)建了一系列芳腈基聚合物，發(fā)明了熒光性、磁性、導(dǎo)電/介電性的芳腈基聚合物與先進(jìn)功能材料，獲得了中國發(fā)明專利25項(xiàng)。突破了合成控制、產(chǎn)品純化、環(huán)保處理與規(guī)模裝備等關(guān)鍵技術(shù)，形成了1000噸級(jí)聚芳醚腈產(chǎn)業(yè)化合成成果及其系列先進(jìn)復(fù)合材料、薄膜、纖維應(yīng)用技術(shù)；獲得了500噸級(jí)的鄰苯二甲腈樹脂合成裝備及耐高溫先進(jìn)復(fù)合材料應(yīng)用技術(shù)。取得的大部分發(fā)明成果近三年共產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益超過10億元，取代了部分相關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)口。 左圖：芳腈基聚合物，復(fù)合材料及加工型材的實(shí)物照片 右圖：芳腈基聚合物材料的工業(yè)化生產(chǎn)裝置圖
電子科技大學(xué)
2021-04-10
耐高溫腈基聚合物的分子構(gòu)建與先進(jìn)功能材料
該成果通過分子設(shè)計(jì)構(gòu)建了一系列芳腈基聚合物，發(fā)明了熒光性、磁性、導(dǎo)電/介電性的芳腈基聚合物與先進(jìn)功能材料
電子科技大學(xué)
2021-04-10
一種聚合物基復(fù)合材料及其制備方法
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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聚合物基電子封裝材料用高性能助劑的制備技術(shù)
隨著電子封裝技術(shù)向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發(fā)展，對聚合物 基電子封裝材料的各項(xiàng)性能提出了更高要求。目前，我國在先進(jìn)電子封裝材料的 研究和應(yīng)用上與日本、韓國及歐美發(fā)達(dá)國家相比仍有較大差距。團(tuán)隊(duì)通過與無錫 創(chuàng)達(dá)新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業(yè)開展產(chǎn)學(xué)研合 作，研發(fā)了一系列具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關(guān) 鍵助劑，包括環(huán)氧樹脂增韌劑、環(huán)氧樹脂固化促進(jìn)劑、高性能有機(jī)硅樹脂等，并 獲得江蘇省相關(guān)科技計(jì)劃項(xiàng)目及人才項(xiàng)目的立項(xiàng)支持。相關(guān)功能助劑的應(yīng)用可有 效提升電子封裝材料的性能，對突破國內(nèi)高檔電子封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的技術(shù)瓶頸， 提升我國微電子封裝產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，具有積極作用。
江南大學(xué)
2021-04-13
耐高溫腈基聚合物的分子構(gòu)建與先進(jìn)功能材料
該成果通過分子設(shè)計(jì)構(gòu)建了一系列芳腈基聚合物，發(fā)明了熒光性、磁性、導(dǎo)電/介電性的芳腈基聚合物與先進(jìn)功能材料，獲得了中國發(fā)明專利25項(xiàng)。突破了合成控制、產(chǎn)品純化、環(huán)保處理與規(guī)模裝備等關(guān)鍵技術(shù)，形成了1000噸級(jí)聚芳醚腈產(chǎn)業(yè)化合成成果及其系列先進(jìn)復(fù)合材料、薄膜、纖維應(yīng)用技術(shù)；獲得了500噸級(jí)的鄰苯二甲腈樹脂合成裝備及耐高溫先進(jìn)復(fù)合材料應(yīng)用技術(shù)。取得的大部分發(fā)明成果近三年共產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益超過10億元，取代了部分相關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)口。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
聚合物基電子封裝材料用高性能助劑的制備技術(shù)
隨著電子封裝技術(shù)向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發(fā)展，對聚合物基電子封裝材料的各項(xiàng)性能提出了更高要求。目前，我國在先進(jìn)電子封裝材料的研究和應(yīng)用上與日本、韓國及歐美發(fā)達(dá)國家相比仍有較大差距。團(tuán)隊(duì)通過與無錫創(chuàng)達(dá)新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業(yè)開展產(chǎn)學(xué)研合 作，研發(fā)了一系列具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關(guān)鍵助劑，包括環(huán)氧樹脂增韌劑、環(huán)氧樹脂固化促進(jìn)劑、高性能有機(jī)硅樹脂等，并獲得江蘇省相關(guān)科技計(jì)劃項(xiàng)目及人才項(xiàng)目的立項(xiàng)支持。相關(guān)功能助劑的應(yīng)用可有效提升電子封裝材料的性能，對突破國內(nèi)高檔電子封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的技術(shù)瓶頸，提升我國微電子封裝產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，具有積極作用。
江南大學(xué)
2021-04-13
一種鈣基二氧化碳/二氧化硫吸收劑及其制備方法
本發(fā)明公開了一種鈣基二氧化碳/二氧化硫吸收劑及其制備方 法，該制備方法為將含有鈉鹽化合物或鉀鹽化合物配制成質(zhì)量百分濃 度為 5％～25％的鹽溶液；接著，將含氧化鈣的粉末投入到該鹽溶液 中；然后，在 20℃～90℃干燥，接著，在 700℃～950℃煅燒即得到鈣 基二氧化碳/二氧化硫吸收劑。本發(fā)明通過對制備方法中關(guān)鍵的工藝步 驟，如水合反應(yīng)與浸漬反應(yīng)的時(shí)機(jī)、鹽溶液的濃度與施加量、氧化鈣 原料的粒徑大小等進(jìn)行改進(jìn)，能夠制備組織均勻的鈣基吸收劑，該吸 收劑還具有高循環(huán)轉(zhuǎn)化率以及穩(wěn)定的孔隙結(jié)構(gòu)，尤其在多次循環(huán)中該 吸收劑的吸收容量比天然的吸收劑可以提高 130％以上。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
一種二氧化碳/二氧化硫鈣基吸收劑及其制備方法
本發(fā)明公開了一種高性能二氧化碳/二氧化硫鈣基吸收劑顆粒的制備方法，將含鈣的前驅(qū)體和有機(jī)物溶于水中，將溶液在 60～90℃條件下持續(xù)攪拌成溶膠，經(jīng)過 110～200℃干燥 1 小時(shí)以上得到干凝膠；再將干凝膠在 600～900℃條件下空氣中煅燒 0.5 小時(shí)以上，得到白色鈣基吸收劑粉；最后將粉末與水泥以及微量水混合成泥狀后，經(jīng)過擠壓成型得到所需鈣基吸收劑顆粒。有機(jī)物的燃燒可以使鈣基吸收劑的表面具有豐富的孔隙，水泥的添加可
華中科技大學(xué)
2021-04-14