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用于預(yù)測(cè)多元拼合靶材制備的
薄膜
成分的預(yù)測(cè)方法
一種用于預(yù)測(cè)多元拼合靶材制備的薄膜成分的預(yù)測(cè)方法 一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 現(xiàn)有物理氣相沉積(PVD)制備多元薄膜材料采用合金靶材作為靶源,生產(chǎn)過(guò)程中,薄膜成分的調(diào)控范圍受安裝的合金靶材的成分比例的限制。如果預(yù)期獲得納微復(fù)雜結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜,按照常規(guī)技術(shù)路線需要上百塊成分連續(xù)變化的合金靶材,這顯然是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。同時(shí),采用合金靶材制備某些多元薄膜時(shí),需要特高純度的或極端成分比例的靶材作為靶源,這類特殊靶材以現(xiàn)有技術(shù)難以制造。 為此,本發(fā)明研發(fā)出一種用于預(yù)測(cè)多元拼合靶材制備的薄膜成分的預(yù)測(cè)方法,利用本發(fā)明技術(shù)有助于新材料的研發(fā)和促進(jìn)半導(dǎo)體器件、切削刀具涂層等高新技術(shù)的發(fā)展。
武漢理工大學(xué)
2022-08-12
一種防腐耐磨鐵基非晶
薄膜
及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法,其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為:14.0~22.0at.%Cr,6.0~ 16.0at.%Mo,4.0~7.0at.%B,4.0~20.0at.%C,0.0~3.0at.%W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材;S2 選擇襯底材料, 將襯底表面進(jìn)行平整化,然后清洗并吹干待用;S3 進(jìn)行磁控濺射,其 中,背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多層
薄膜
微結(jié)構(gòu)自對(duì)準(zhǔn)制備方法及裝置
本發(fā)明公開(kāi)一種多層薄膜微結(jié)構(gòu)自對(duì)準(zhǔn)制備方法,通過(guò)分隔板 將噴頭內(nèi)腔體縱向分為至少兩個(gè)腔室,在各腔室內(nèi)注入不相溶的高分 子溶液,并匯聚于噴頭的噴嘴處;施加高壓靜電場(chǎng),同時(shí)驅(qū)使接收板 做平面直線運(yùn)動(dòng),在高壓靜電場(chǎng)作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐, 從泰勒錐尖端拉出射流,射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運(yùn) 動(dòng)的方向進(jìn)行靜電紡絲,形成多層薄膜微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開(kāi)一種實(shí) 現(xiàn)上述方法的裝置,分隔板縱向設(shè)于噴嘴內(nèi),將噴嘴內(nèi)腔體分隔為至 少左右兩個(gè)腔室;在噴嘴端部設(shè)有端部蓋板,端部蓋板與噴嘴端部之 間設(shè)有密封片;
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合電致變色
薄膜
及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合電致變色薄膜及其制備方法。該薄膜為聚苯胺與三氧化鎢的復(fù)合薄膜,其中含有5~80%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三氧化鎢,薄膜厚度為50~300nm,表面具有納米棒陣列形貌。該制備方法包括:將表面經(jīng)羥基化處理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直豎立并固定于反應(yīng)容器中,將過(guò)氧化鎢酸溶液與苯胺溶液的混合溶液倒入其中并攪拌;再加入過(guò)硫酸銨溶液,攪拌下進(jìn)行反應(yīng);反應(yīng)完成后,取出沉積有薄膜的基底并沖洗、干燥而得。本發(fā)明制備方法實(shí)現(xiàn)了聚苯胺/氧化物在分子層次復(fù)合,工藝簡(jiǎn)單,成分可方便控制,成本較低,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。制得的薄膜光譜調(diào)節(jié)范圍大、顏色豐富、響應(yīng)速度快、循環(huán)壽命長(zhǎng),應(yīng)用范圍廣泛。
浙江大學(xué)
2021-04-13
PT100型號(hào)
薄膜
鉑電阻低溫溫度計(jì)PI封裝
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-26
PT100型號(hào)
薄膜
鉑電阻低溫溫度計(jì)低溫實(shí)驗(yàn)
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-13
一種雙波段
薄膜
光探測(cè)器及其制備方法
本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域,并公開(kāi)了一種雙波段 薄膜光探測(cè)器,包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質(zhì)層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設(shè)置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設(shè)在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設(shè)置在第一 WSe2 層上;
華中科技大學(xué)
2021-04-14
不對(duì)稱多取代卟啉
金
(III)類抗癌化合物及其制備方法
本發(fā)明以四苯基卟啉金(III)為先導(dǎo)化合物,在卟啉環(huán)上引入不同較強(qiáng)極性基團(tuán)改善分子的對(duì)稱性,且通過(guò)較強(qiáng)極性基團(tuán)的引入促進(jìn)這類化合物在水中溶解能力,并強(qiáng)化多取代氯化四苯基卟啉金化合物對(duì)癌細(xì)胞的靶向作用。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
一種基于板面控形的大型板
金
件電磁漸進(jìn)成形方法
本發(fā)明屬于電磁漸進(jìn)成形領(lǐng)域,并具體公開(kāi)了一種基于板面控 形的大型板金件電磁漸進(jìn)成形方法,該方法采用分層的方式成形大型 板金件,其包括如下步驟:首先采用平面螺旋線圈按照等高線軌跡移 動(dòng)放電成形待成形工件的首層;然后采用曲面線圈按照螺旋線軌跡移 動(dòng)放電成形待成形工件的除首層和底層之外的其他層;最后采用平面 螺旋線圈按照等高線軌跡移動(dòng)或固定位置多次放電成形待成形工件的 底層,以此實(shí)現(xiàn)大型板金件的電磁漸進(jìn)成形。本發(fā)明可通過(guò)線
華中科技大學(xué)
2021-04-14
電沉積低溫?zé)Y(jié)制備氧化物
薄膜
和微疊層技術(shù)
本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜,以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能,如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜,厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)于溶膠凝膠法,厚度均勻,根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過(guò)程簡(jiǎn)單,重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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