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本發明公開了一種面向物聯網的硅基固支梁可重構SIW帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉接結構(3)和MEMS固支梁結構。SIW帶通濾波器包括相互級聯的SIW諧振腔(9)，相鄰的SIW諧振腔之間存在耦合窗口(14)，MEMS固支梁結構設置于耦合窗口中。在一些特定的需要控制無源濾波器通帶中心頻率頻繁切換的電路中，本發明通過MEMS固支梁結構很好的避免了需要依靠增加濾波器數量去控制電路的問題，并且MEMS固支梁結構的閉合所需要的電壓較小也基本不會影響電路的正常工作，能夠有效地降低電路控制的功耗。MEMS固支梁(6)可以實現快速的DOWN態和UP態的轉換，可以有效地實現微波電路中對濾波器濾波范圍的控制。

本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個熱電

本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和一個電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及

本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個電阻以及熱電

本發明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導傳輸線、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波

光限幅器件是基于非線性光學效應，實現在較低入射光強下高透過率、在較高入射光強下低透過率的光學器件。理想的光限幅器要求具有超快的響應時間、超低的限幅閾值、大的能量動態范圍，以及寬的光譜適用范圍，現有的光限幅器件很難同時滿足上述要求。為此，本項目提出一種基于石墨烯和碳納米管的復合型光限幅器，這種光限幅器不僅可以實現超低閾值限幅輸出，而且具有超大的動態能量適用范圍。

本發明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸的水平耦合器 件，包括第一采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發明實現了將光纖中一 階線偏振模式轉化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模

本發明公開了一種 IQ 光調制器偏置電壓控制系統及方法，該控 制系統包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調制器、光耦合 器、光電探測器、數據處理模塊，IQ 光調制器的輸出經光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數據處理模塊的輸入相連，數據處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調制器的三個子調制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優化子相位調制器的偏壓，然后

本發明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發明可以用于光伏發電系統與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發明可以實現8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。