|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項(xiàng)目主要研究和開(kāi)發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點(diǎn)研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對(duì) I-V 特
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料與薄膜太陽(yáng)能電池制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽(yáng)能電池中所需材料在地殼中含量較少、價(jià)格昂貴、對(duì)人體有毒的問(wèn)題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高品質(zhì)大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專利技術(shù)，同時(shí)將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁
電子科技大學(xué)
2021-04-14
一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽(yáng)極陣列間的介電層；陽(yáng)極陣列由 M×N 元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽(yáng)極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過(guò)陽(yáng)極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過(guò)調(diào)變加
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為圓角多邊形的柱狀結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝離面，使用時(shí)可根據(jù)不同的薄膜選擇不同剝離面進(jìn)行剝離加工，無(wú)須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進(jìn)一步運(yùn)用剝離刀的幾何參數(shù)與剝離效果的關(guān)系理論，設(shè)計(jì)優(yōu)化得到最優(yōu)的剝離刀結(jié)構(gòu)，得到最佳的剝離質(zhì)量和剝離效率，剝離裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，在大面積柔性器件的封裝領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
大學(xué).jpg){kind=logo}
硅薄膜太陽(yáng)電池集成組件的制備技術(shù)
本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽(yáng)電池集成組件，它的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽(yáng)電池集成組件及其制備技術(shù)。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽(yáng)電池陷光結(jié)構(gòu)的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽(yáng)電池集成組件的關(guān)鍵工藝——子電池內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，屬于新型能源中薄膜太陽(yáng)電池的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結(jié)合濕法腐蝕ZnO的方法，實(shí)現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽(yáng)電池子電池的內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，最終獲得硅薄膜太陽(yáng)電池集成組件。該方法簡(jiǎn)單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
光降解塑料和生物降解塑料薄膜
項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 隨著石油化學(xué)
西華大學(xué)
2021-04-14
一種用于薄膜復(fù)合的同步驅(qū)動(dòng)對(duì)輥裝置
本發(fā)明提供一種用于薄膜復(fù)合的同步驅(qū)動(dòng)對(duì)輥裝置，包括主動(dòng)輥組件，其具有一可轉(zhuǎn)動(dòng)的主動(dòng)輥，該主動(dòng)輥組件固定安裝在一安裝板上，其一端與一驅(qū)動(dòng)組件聯(lián)接，用以提供驅(qū)動(dòng)力帶動(dòng)該主動(dòng)輥轉(zhuǎn)動(dòng)；浮輥組件，其具有一可轉(zhuǎn)動(dòng)的浮輥，該浮輥與所述主動(dòng)輥呈有間隙地相對(duì)布置，兩輥的中心軸線平行；齒輪組件，其包括外嚙合的呈同步轉(zhuǎn)動(dòng)的兩齒輪，該兩齒輪分別通過(guò)軸端同步帶輪上的同步帶與主動(dòng)輥和浮輥相連，實(shí)現(xiàn)兩輥的同步轉(zhuǎn)動(dòng)；在驅(qū)動(dòng)組件驅(qū)動(dòng)下，所述主動(dòng)輥轉(zhuǎn)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)所述齒輪組件的兩齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)，從而帶動(dòng)所述浮輥與該主動(dòng)輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)兩輥間的薄膜的驅(qū)動(dòng)或復(fù)合。本發(fā)明方便調(diào)節(jié)，可穩(wěn)定完成多層薄膜的復(fù)合和輸送，保證薄膜復(fù)合的均勻性。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
天津津塔超高層純鋼板剪力墻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)施工關(guān)鍵技術(shù)
天津津塔地處天津市海河沿岸CBD商圈核心地帶，建筑高度達(dá)336.9米，為華北第一高樓。主塔樓結(jié)構(gòu)采用鋼管混凝土柱框架＋全焊接純鋼板剪力墻＋外伸剛臂及帶狀桁架抗側(cè)力體系，是世界上采用該體系的最高建筑。該項(xiàng)研究?jī)?nèi)容為：1、首次在軟土地區(qū)超高層建筑中成功應(yīng)用“鋼管混凝土柱框架＋全焊接純鋼板剪力墻＋外伸剛臂及帶狀桁架抗側(cè)力體系”設(shè)計(jì)技術(shù)，獲得３項(xiàng)國(guó)家專利，解決了該種結(jié)構(gòu)體系中的關(guān)鍵問(wèn)題，取得良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。2、解決了純鋼板剪力墻施工過(guò)程中安裝及焊接變形控制、焊接應(yīng)力控制、加工進(jìn)度控制等多項(xiàng)技術(shù)難題
天津城建大學(xué)
2021-01-12
一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其制備方法
專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達(dá)到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應(yīng)力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。
電子科技大學(xué)
2021-02-01