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本發明公開了一種用紅土型選金尾礦燒制陶粒的方法及其產物，其燒制方法包括以下步驟：(1)將紅土型選金尾礦、鐵尾礦和煤粉按質量比 1.000:0.250～0.500:0.045～0.085 的配比，混合均勻得到固體混合物；(2)向固體混合物中加入占該固體混合物質量百分比 15％～30％的水，混合攪拌均勻，即得到固液混合物；(3)將固液混合物制成陶粒坯，然后將陶粒坯進行烘干處理得到烘干的陶粒坯；(4)將烘干的陶粒坯在1050～1350℃的溫度下煅燒 5～20 分鐘，冷卻后即得到陶粒。本發明通過對燒制方法所

本發明公開了一種石墨烯支撐的微米金核殼結構及其制備方法；制備方法包括下述步驟：(1)獲得聚苯乙烯微球乳液，并在聚苯乙烯微球乳液中加入改性溶液后進行攪拌，獲得表面改性的聚苯乙烯微球乳液；(2)獲得微球金種子的凝膠溶液；(3)獲得表面有金殼層的聚苯乙烯微球的凝膠溶液；(4)將所述表面有金殼層的聚苯乙烯微球的凝膠溶液進行烘干后獲得粉末狀的樣品；通過將樣品在四氫呋喃溶液中浸泡使其在金殼層內壁生長出石墨烯多層并除去聚苯乙烯微球，再進行烘干后獲得石墨烯支撐的微米金核殼結構。本發明中改進的單分散法制備的聚苯乙烯微

本發明公開了一種混合自組裝分子層修飾的基底表面沉積納米 金顆粒的方法，該方法包括:將將氧化物或無機基底的表面進行潔凈 處理，去除硅表面的油脂、油污等有機物、無機物和氧化層，使基底 表面羥基化;隨后采用分步法，在預處理過的硅基底浸入含有有機硅 烷自組裝分子的溶液中，進行硅表面分子自組裝修飾，得到不同的有 機鏈混合生長的自組裝單分子層;最后在已生長有混合自組裝單分子 層的基底表面采用檸檬酸鹽法沉積金納米顆粒。按照本發明使用的基 底清洗方法和改性方法可通過自組裝分子的生長時間來實現對金納米 顆粒均勻分布的

本發明提供了一種用于三層結構薄膜的接料裝置，包括接料底板，設置在接料底板的一相對兩側，用于提供粘結膠帶的粘結膠帶組件；設置在接料底板的另一相對兩側，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設置在接料底板上方用于夾持三層結構薄膜各層的夾持組件。本發明實現三層結構薄膜的分層對接，整個裝置結構簡單，操作方便，易于實現。

一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導體薄膜太陽電池的結構設計,它是由ALSB頂電池機械疊合在CIS底電池上而成的雙結四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結構的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉化太陽光譜的不同區域的能量,擴展光譜響應的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉換效率。

其他成果/n本發明公開了一種安裝在汽車進氣系統上的薄膜吸振器，用于消除由進氣系統引起的至少一種車內噪聲，所述汽車進氣系統包括依次連接的進氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設在所述進氣管振動異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側的薄膜，所述開孔的孔徑小于進氣管的直徑。本發明在不增加進氣系統降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進氣系統低、中、高各頻率段噪聲。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.

  巨霍爾效應是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應的巨大增強現象,是納米材料的新效應,本課題利用巨霍爾效應原理,制備出磁場靈敏度高達125AT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應巨霍爾效應原理應用于傳感器件領域,制備出具有實用價值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創新性。與傳統的半導體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異、抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應原理,首次制備出磁場靈敏度高達125VAT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。    主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。相關成果已獲國家發明專利授權九項。    本課題的研究,將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料,是一個全新的技術,取得了多項具有原始創新性的技術成果,進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域]應用    應用狀況:    與傳統的半導體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發明公開了一種氧化鋅基底誘導取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導生長具有擇 優取向方向的硒化銻薄膜；當氧化鋅基底為(100)取向時，誘導生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向為主導生長取向；當氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向為主 導生長取向。本發明中的方法可應用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應的硒

通過研究和有機介質薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩定等特點，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。