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一種毛細管力驅動制備的微腔
量子
點激光器及制備方法
本發明公開了一種毛細管力驅動制備的微腔量子點激光器及制備方法,所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射鏡、熱封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射鏡、量子點增益材料和激光泵浦源;所述熱封膜將具有布拉格反射鏡的上、下基板緊密的熱封在一起,形成微腔用于容置量子點增益材料,熱封膜兩端封口處用紫外固化膠密封;所述量子點增益材料采用濃度為50?120 mg/ml的高濃度量子點溶液。本發明的量子點激光器件波長可隨著量子點尺寸變化進行調制,制備工藝簡單,重復性和穩定性較高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益,且相干性很好,出光波長可隨量子點發光峰位置在全可見光譜范圍調節,制備成本低并易于實現大規模產業化生產。
東南大學
2021-04-11
一種具有雙摻雜多
量子
阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管,包括:由下至上依次設置的襯底,AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層,其中z>y>x,p型AlGaN層和透明導電層,在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種基于超晶格結構的磁性拓撲絕緣體來實現
量子
反常霍爾效應
研究表明,陳絕緣體可以通過磁性摻雜的拓撲絕緣體薄膜獲得,但是這種方法產生穩定的長程鐵磁序比較困難,而且產生的體能隙也比較小,導致可觀測溫度極低(30-100 mK)。劉奇航課題組及其合作者通過研究本征的層狀磁性拓撲材料Mn-Bi-Te家族(MnBi
南方科技大學
2021-04-14
西安交通大學科研人員在
量子
三體相互作用研究方面取得重要突破
不同量子系統之間的相干相互作用是量子物理和量子技術領域的一個基本科學問題。Jaynes-Cummings (JC)模型描述了兩能級量子系統和量子化的場之間的兩體相干相互作用,它是量子體系中光-物質相互作用的典型代表,奠定了量子光學的基礎。
西安交通大學
2023-02-23
中國科學技術大學揭示核
量子
效應在界面超快電荷轉移中的重要作用
近日,來自中國科學技術大學物理學院、合肥微尺度物質科學國家研究中心,國際功能材料量子設計中心(ICQD),合肥國家實驗室的趙瑾教授研究團隊與王兵、譚世倞教授、以及北京大學李新征教授合作,發現固體-分子界面的超快電荷轉移與質子的量子動力學有很強的耦合,揭示了電荷轉移過程中核量子效應的重要作用。
中國科學技術大學
2022-07-11
銅基
量子
自旋液體的候選者和銅基高溫超導材料母體在摻雜后的電子結構
劉奇航及其合作者以最近由中科院物理所領銜的研究團隊發現的ZnCu3(OH)6BrF為例,采用修正后的單體平均場密度泛函理論方法,對這一體系的本征和摻雜行為進行了詳盡的模擬。研究發現,ZnCu3(OH)6BrF摻雜后,摻入的電子并沒有成為期待的“自由載流子”,而是局域在一個銅原子周圍,引起了局域形變。這種電子與束縛它的晶格畸變的復合體稱為極化子(如圖一所示)。本征材料的帶隙中形成新的電子態。因此,電子摻雜后,ZnCu3(OH)6BrF并沒有實現半導體到導體的轉變。相比之下,具有類似CuO4局部環境的銅氧化物高溫超導體的母體材料Nd2CuO4顯現除了不同的隨摻雜濃度變化的導電性。研究發現,低摻雜濃度時,銅原子附近形成較為擴展的極化子,因此在高摻雜濃度時,這些極化子之間的躍遷可以使系統導電性大大增加,實現半導體到導體的轉變,與實驗觀測很好地吻合。? 該研究圓滿地解釋了最近實驗上觀測到的Kagome晶格的鋅銅羥基鹵化物在摻雜后并不導電的現象,指出要在量子自旋液體實現超導,僅僅找到量子自旋液體體系是遠遠不夠的,還必須實現有效摻雜,注入一定濃度的“自由載流子”,為耕耘在該領域的實驗工作者提出了新的挑戰和實驗方向。
南方科技大學
2021-04-13
2023中關村論壇開幕式發布十項重大科技成果 涉區塊鏈、
量子
計算等
今晚,2023中關村論壇在京開幕,開幕式上發布了北京國際科技創新中心建設十項重大科技成果。
央視新聞客戶端
2023-05-26
西安交通大學科研人員在強場
量子
電動力學物理領域取得重要進展
近年來,超強激光技術的迅速發展,尤其是10-100PW超強激光時代的到來,為量子電動力學(QED)的理論驗證提供了前所未有的極端實驗條件。
西安交通大學
2022-05-09
北京市基金資助的重點研究專題項目在定頻
量子
比特的物理架構研究中取得新進展
北京市自然科學基金(以下簡稱市基金)資助的重點研究專題項目“超導量子比特集成和存儲”取得重要進展。北京量子信息科學研究院于海峰團隊提出了一種基于定頻Transmon量子比特的物理架構。
北京市自然科學基金委員會辦公室
2022-05-26
在大面積單層二硒化鈮晶體中觀測到伊辛超導和
量子
格里菲思奇異性的共存
伊辛超導是指超導庫珀對的自旋被有效的塞曼磁場固定住,由此表現出極強的的面內臨界磁場(遠超其泡利順磁極限)。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積(毫米以上)原子級平整的高質量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜(僅0.6 nm厚),在此基礎上對其覆蓋非晶態Se保護層,進而對非原位的電輸運物性展開了系統研究。研究發現:單層NbSe2薄膜表現出超過6 K的起始超導臨界轉變溫度和高達2.40 K的零電阻溫度,超過了早期機械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長的單層NbSe2的超導轉變溫度。同時,強磁場和極低溫下的輸運測量結果直接證實了平行特征臨界場Bc//(T = 0)是順磁極限場的5倍以上,符合Zeeman保護的伊辛超導機制(前期NbSe2薄片中的伊辛超導證據需要實驗數據的理論擬合在更低溫更高磁場下的外推)。此外,極低溫垂直磁場下的電輸運測量表明,單層NbSe2薄膜在接近絕對零度時的量子臨界點表現出量子格里菲斯奇異性。
北京大學
2021-04-11
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