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（ (A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區的光學顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統構造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測器件的電流變化，紅色為參比電流，藍色為檢測電流 ）

高效率制備高品質氮化鋁薄膜，并研究應用于 4G、5G 通信(智能手機和基站)的高頻濾波器。制備薄膜質量高于現有工藝，制備效率提高十倍以上。作為制備濾波器的關鍵薄膜性能指標，薄膜的取向性良好（XRD搖擺曲線半高寬2度左右）， 薄膜表面起伏小于 1 納米；薄膜制備效率比傳統工藝提高 10 倍以上 

CZTS薄膜太陽電池：雖然CIGS 是目前薄膜太陽能電池中光電轉換效率最高的太陽能電池，但是由于In和Ga元素是稀有金屬，在面向大規模生產時受到元素稀缺的制約。有機-無機雜化鈣鈦礦太陽電池：將無機材料電子遷移率高、機械性能良好、穩定性高和有機材料光吸收率較高、易加工的優點加以整合，發揮協同效應，提高光伏電池的整體性能，是未來太陽能電池最重要的研究方向。

LPKF ProtoLaser R4可針對敏感基材實現高精度加工

產品詳細介紹 產品名稱                          托馬斯透明快速固化耐高溫膠（THO4093-I） 概       述       本品系雜環體系改性膠粘劑，加熱固化型，其流動性、顏色、耐溫性等可適當調整，固化后表面平整、光亮、無氣泡?？焖俟袒?，粘接強度高，流動性好，操作簡單。 適用范圍       本品廣泛適用于金屬與金屬、陶瓷、合金、玻璃、復合材料（非金屬材料）的自粘與互粘以及表面涂覆，更適合于高低壓二極管、三極管、電阻、電容、電機、變壓器線圈、大型集成電路（IC）、大規模集成電路（LIC）等的粘結浸潤以及批覆、涂敷等工藝。 性   能   特   點       ·外觀：單組透明粘稠液體。       ·固化速度快，120℃時，1分鐘固化。       ·粘接強度高，韌性好、抗沖擊、耐久性好、超強耐紫外光性能優良。       很好的耐熱性、耐寒性、耐濕熱性、耐大氣性、耐輻照型以及散熱性，低收縮率、超強耐電        弧性。       ·耐溫性能好，適應溫度范圍廣，粘接后在較高的溫度下仍有較好的粘接效果。       ·膠水黏度適中、無氣泡、流平性能良好，固化后表面光潔度良好。       ·粘接表面無需嚴格處理，使用方便。       ·耐介質性能優良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、堿、雜環烴、輻射等。       ·安全及毒性特征：有極輕微異味，無吸入危險，實際無毒。產品達到ROHS標準指令。       ·貯存穩定性較好，貯存期為12月。 主要技術性能指標如下：耐溫范圍:-52－+400℃       拉伸強度：48 MPa  拉彎強度 103.6 MPa  壓縮強度  223 MPa 沖擊韌性 15KJ/m*m       剪切強度  28.8 MPa  （25℃）  15.4 MPa 200℃   體積電阻25℃1×1015Ω.cm       表面電阻 2.5×1015Ω.cm  體積電阻25℃1.7×1015Ω.cm 介電常數4.4       耐電壓28-35.5kV/mm         硬度 shore D 90 使用 方法      1、將被粘物除銹、去污、擦凈。      2、將膠水薄且均勻地噴于被粘結表面，然后貼合并稍加外力協助被粘接材質不移動，靜置，       以120℃加熱一分鐘即可完全固化。  注意  事項      1、操作環境注意通風。      2、膠液如觸及皮膚，可及時用肥皂水沖洗.      3、未用完的膠應蓋好，置于陰涼通風處。                                                                                             該版權屬于成都托馬斯科技2005-2011所有

XM-212透明半身軀干附內臟模型 ? XM-212透明半身軀干附內臟模型顯示半身軀干主要內臟等。 尺寸：高100cm 材質：PVC材料

XM-212透明半身軀干附內臟模型 ? XM-212透明半身軀干附內臟模型顯示半身軀干主要內臟等。 尺寸：高100cm 材質：PVC材料

本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。