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產(chǎn)品詳細(xì)介紹 l 作不受供電極性影響 l 線性電壓輸出或模擬催化燃燒電橋輸出 l 工作電壓范圍3.0V-5.0V l 工作電流典型值為80mA l 最新的MEMS探測(cè)器技術(shù) l 量程：從0-5000ppmCO2到0-10%VolCO2 l 全金屬結(jié)構(gòu)，絕緣外殼 l 體積小 l 靈活的電路訪問設(shè)置 l 用戶可以通過硬件連接進(jìn)行標(biāo)定 l 寬溫度工作范圍 l 快速響應(yīng)

本項(xiàng)目采用化學(xué)生物學(xué)手段，篩選出特異性成環(huán)標(biāo)記5-醛基胞嘧啶（5fC）的化合物——疊氮茚二酮和丙二腈，并且標(biāo)記產(chǎn)物在隨后的PCR擴(kuò)增過程實(shí)現(xiàn)胞嘧啶（C）到胸腺嘧啶（T）的轉(zhuǎn)變，可實(shí)現(xiàn)全基因組5-醛基胞嘧啶的單堿基分辨率檢測(cè)。用疊氮茚二酮標(biāo)記作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)對(duì)含有5-醛基胞嘧啶DNA片段的先富集再測(cè)序，將測(cè)序成本大大降低。用生物相容性很好的丙二腈作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)單細(xì)胞水平的5-醛基胞嘧啶單堿基分辨率檢測(cè)。血液中細(xì)胞外游離DNA上的核酸修飾可以作為人類癌癥的生物標(biāo)記物，本項(xiàng)目涉及的核酸修飾檢測(cè)技術(shù)，不會(huì)造成DNA降解，適應(yīng)于臨床小量珍貴樣品，在癌癥的液態(tài)活檢上具有重大潛力。

（專利號(hào)：ZL 201410182363.1） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種利用酸性離子液體在溫和條件下預(yù)處理褐煤來提高其熱解焦油產(chǎn)率并改善油品品質(zhì)的方法，屬于褐煤綜合利用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過選擇能高效破壞褐煤中弱鍵合結(jié)構(gòu)的酸性離子液體，將褐煤粉與酸性離子液體加入反應(yīng)釜中，在溫和條件下預(yù)處理；然后利用水或有機(jī)溶劑將酸性離子液體洗出后將煤樣干燥，有機(jī)溶劑和酸性離子液體回收后循環(huán)使用。預(yù)處理后的褐煤進(jìn)行熱解，相比于原煤酸性離子液體預(yù)處理后褐煤熱解焦

本發(fā)明公開了一種提高分布式緩存的命中率并減少固態(tài)硬盤磨 損的方法，結(jié)合緩存數(shù)據(jù)分布特性和固態(tài)硬盤特性優(yōu)化緩存性能并降 低成本。它能根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景分配內(nèi)存緩存區(qū)并將 SSD 劃分為連續(xù)分布 的與內(nèi)存緩存區(qū)等大的 Cage，內(nèi)存緩存區(qū)緩存新數(shù)據(jù)，內(nèi)存緩存區(qū)的 數(shù)據(jù)達(dá)到上限時(shí)將內(nèi)存緩存區(qū)所有數(shù)據(jù)寫入 Cage，擦除內(nèi)存緩存區(qū)進(jìn) 行新的數(shù)據(jù)緩存。替換算法通過分析內(nèi)存緩存區(qū)中的數(shù)據(jù)的訪問頻度 分布，設(shè)定 Cage 中替換算法參數(shù)

本項(xiàng)目采用化學(xué)生物學(xué)手段，篩選出特異性成環(huán)標(biāo)記5-醛基胞嘧啶（5fC）的化合物——疊氮茚二酮和丙二腈，并且標(biāo)記產(chǎn)物在隨后的PCR擴(kuò)增過程實(shí)現(xiàn)胞嘧啶（C）到胸腺嘧啶（T）的轉(zhuǎn)變，可實(shí)現(xiàn)全基因組5-醛基胞嘧啶的單堿基分辨率檢測(cè)。用疊氮茚二酮標(biāo)記作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)對(duì)含有5-醛基胞嘧啶DNA片段的先富集再測(cè)序，將測(cè)序成本大大降低。用生物相容性很好的丙二腈作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)單細(xì)胞水平的5-醛基胞嘧啶單堿基分辨率檢測(cè)。血液中細(xì)胞外游離DNA上的核酸修飾可以作為人類癌癥的生物標(biāo)記物，本項(xiàng)目涉及的核酸修飾檢測(cè)技術(shù)，不會(huì)造成DNA降解，適應(yīng)于臨床小量珍貴樣品，在癌癥的液態(tài)活檢上具有重大潛力。

實(shí)驗(yàn)室電磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)磁性研究EMS系列 ?

本發(fā)明提供的具有高單縱模成品率的脊波導(dǎo)分布反饋(DFB)半 導(dǎo)體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應(yīng)變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發(fā)明通過 在單個(gè)半導(dǎo)體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個(gè)

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提供一種高分辨率光學(xué)推掃衛(wèi)星穩(wěn)態(tài)重成像傳感器校正方法及系統(tǒng)，包括構(gòu)建單片TDICCD非穩(wěn)態(tài)嚴(yán)密幾何模型和虛擬CCD穩(wěn)態(tài)成像嚴(yán)密幾何模型，根據(jù)虛擬CCD穩(wěn)態(tài)成像嚴(yán)密幾何模型得到有理函數(shù)模型，建立單片TDICCD影像與虛擬CCD重成像影像的一一映射關(guān)系，從而根據(jù)原始的單片TDICCD影像生成傳感器校正后影像。本發(fā)明技術(shù)方案結(jié)合虛擬CCD成像原理，利用多片TDICCD非穩(wěn)態(tài)幾何模型與虛擬單線陣CCD穩(wěn)態(tài)幾何模型定位的一致性，實(shí)現(xiàn)多片CCD影像的無縫拼接的同時(shí)，校正由平臺(tái)震顫引起的影像變形，提供用戶標(biāo)準(zhǔn)景影像和對(duì)應(yīng)高精度RPC參數(shù)，便于后續(xù)圖像應(yīng)用。