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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種硼化鋯-碳化硅超細(xì)復(fù)合粉體及其制備方法
本發(fā)明涉及一種硼化鋯-碳化硅超細(xì)復(fù)合粉體及其制備方法。其技術(shù)方案是：先將64——85wt%的鹵化物粉、4——15wt%的氧化鋯粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的鎂粉混合均勻，機(jī)壓成型；再將成型后的坯體置于電爐中，在氬氣氣氛和升溫速率為2——8℃/min的條件下升溫至1000——1250℃，保溫2——6小時(shí)，將燒成后的坯體用蒸餾水洗滌，然后放入濃度為1.0——4.0mol/L的鹽酸中浸泡3——8小時(shí)，過(guò)濾，用去離子水清洗，在80℃條件下干燥11——24小時(shí)，粉碎，即得硼化鋯-碳化硅超細(xì)復(fù)合粉體。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、過(guò)程易于控制、工藝簡(jiǎn)單、產(chǎn)率高的特點(diǎn)；其制品分散性好、顆粒團(tuán)聚小、成分均勻、純度高和產(chǎn)業(yè)化前景大。
（注：本項(xiàng)目發(fā)布于2014年）
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲(chǔ)器及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)存儲(chǔ)疊層能帶設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)閃存的非易失性存儲(chǔ)特性；通過(guò)橫向電場(chǎng)設(shè)計(jì)以及器件的仿真模擬設(shè)計(jì)，利用二維半導(dǎo)體材料的原子級(jí)薄層特性，顯著增強(qiáng)最大橫向電場(chǎng)從而提升電荷的注入效率，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器中電荷的超注入機(jī)制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)閃存的亞納秒編程。本發(fā)明存儲(chǔ)器在維持十年數(shù)據(jù)保持能力的同時(shí)，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲(chǔ)領(lǐng)域超快編程和長(zhǎng)保持時(shí)間無(wú)法共存的重大挑戰(zhàn)提供新的解決方案。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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一種可檢測(cè)U的超穩(wěn)定塑閃樹脂及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明提供了一種可檢測(cè)U的超穩(wěn)定塑閃樹脂及其制備方法和應(yīng)用，屬于塑閃樹脂技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的可檢測(cè)U的超穩(wěn)定塑閃樹脂，由塑料閃爍微球和接枝在所述塑料閃爍微球上的偕胺肟基組成；所述塑料閃爍微球含有羧基。本發(fā)明提供的可檢測(cè)U的超穩(wěn)定塑閃樹脂中偕胺肟基和羧基為鈾的吸附基團(tuán)，其對(duì)鈾具有大的分配比，能夠有效吸附U，從而實(shí)現(xiàn)鈾的分離；同時(shí)塑料閃爍微球能夠接收U發(fā)出的α射線，并產(chǎn)生熒光，熒光被儀器的光電倍增管接收，從而達(dá)到穩(wěn)定且高效地測(cè)量U的目的。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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一種具有強(qiáng)化滴狀冷凝效果的非均勻超疏水涂層及其制備方法
一種具有強(qiáng)化滴狀冷凝效果的非均勻超疏水涂層及其制備方法，通過(guò)將鈦酸四丁酯和硅溶膠分別在無(wú)水乙醇中進(jìn)行分散，然后將鈦酸四丁酯和無(wú)水乙醇的混合溶液超聲分散之后，加入到硅溶膠與無(wú)水乙醇的混合溶液中，加入氟硅烷并將溶液在50℃?65℃水浴中攪拌12h?24h，制備超疏水涂層面漆溶液；將超疏水涂層涂覆在基底上，然后通過(guò)光催化作用將TiO2表面的氟硅烷催化分解掉，而SiO2表面的氟硅烷則不能夠催化分解，從而實(shí)現(xiàn)樣品表面的親水?超疏水表面制備。本發(fā)明的樣品表面水滴冷凝脫附效率高，集水、防霧以及換熱效果較好，具有較好的推廣價(jià)值和應(yīng)用前景。
東南大學(xué)
2021-04-11
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超結(jié)MOSFET設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
本成果開發(fā)了一套超結(jié)MOSFET器件的設(shè)計(jì)方法，并與上海華虹NEC(現(xiàn)上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級(jí)8英寸超結(jié)MOSFET工藝代工平臺(tái)，這是國(guó)內(nèi)第一個(gè)量產(chǎn)的超結(jié)工藝平臺(tái)。所制備的超結(jié)MOSFET擊穿電壓最高可達(dá)900V，比導(dǎo)通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)（“功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”張波、喬明、任敏 等）。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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用超細(xì)APT制備納米鎢粉
1.項(xiàng)目簡(jiǎn)介：《用超細(xì)APT制備納米鎢粉的研究》由我校余世鑫教授主持與江西省崇義章源鎢制品有限公司聯(lián)合研究，并由該公司工業(yè)試生產(chǎn)成功。該項(xiàng)目經(jīng)過(guò)課題組人員的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技廳組織專家鑒定組對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行了鑒定。2.技術(shù)特點(diǎn)：本項(xiàng)目采用精細(xì)化工技術(shù)，依據(jù)相轉(zhuǎn)移合成法的原理，采用獨(dú)特的離子交換高峰液的處理技術(shù)、固液分離技術(shù)和結(jié)晶晶形控制技術(shù)，生產(chǎn)出超細(xì)顆粒仲鎢酸銨(APT，費(fèi)氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回轉(zhuǎn)管爐煅燒和四管爐還原，采用露點(diǎn)-70℃的高純氫氣和粉末鈍化技術(shù)，制得納米鎢粉。其生產(chǎn)表明，與等離子法、流態(tài)化還原法等相比，采用該技術(shù)生產(chǎn)納米鎢粉具有設(shè)備投資少、成本低、規(guī)模生產(chǎn)易控制、重現(xiàn)性好的特點(diǎn)。易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。該項(xiàng)目采用的工藝技術(shù)獨(dú)特、新穎、可行，屬國(guó)內(nèi)首創(chuàng)。
武漢工程大學(xué)
2021-04-11
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新型超晶格激光器系統(tǒng)
基于“介電體超晶格”制備技術(shù)，開發(fā)了一套適合量產(chǎn)的超晶格材料制備工藝。超晶格材料在激光非線性波長(zhǎng)變換、量子糾纏源產(chǎn)生、聲學(xué)濾波換能等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。以超晶格材料為核心材料，開發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光、準(zhǔn)白光、鈉黃光、皮秒鎖模以及中紅外等多種新型激光器。
南京大學(xué)
2021-04-10
超三代移動(dòng)通信技術(shù)
為了滿足超三代移動(dòng)通信技術(shù)B3G項(xiàng)目對(duì)高速背板傳輸?shù)男枨螅?004年10月東南大學(xué)與深圳華為技術(shù)有限公司中央硬件部開展合作，共同研制了符合PICMG3.0國(guó)際規(guī)范的AdvancedTCA全網(wǎng)格標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱與背板，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)3.125Gbps的雙向傳輸速率。
東南大學(xué)
2021-04-10
超材料自由或?qū)崟r(shí)調(diào)控
近年來(lái)，超材料雖然取得了長(zhǎng)足發(fā)展，但仍存在一些瓶頸問(wèn)題：1)基于等效媒質(zhì)超材料的新物理現(xiàn)象和新應(yīng)用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理學(xué)家的領(lǐng)地，以驗(yàn)證新物理現(xiàn)象為主；3) 超材料對(duì)電磁波的凋控大多是靜態(tài)的，一旦制備成型其功能即被㈣化，+能實(shí)時(shí)地調(diào)控電磁波。為解決上述問(wèn)題，該項(xiàng)對(duì)微波超材料進(jìn)行了系統(tǒng)性研究。 在等效媒質(zhì)超材料方而，提出并制備了柱坐標(biāo)系下各向異性零折射率超材料，突破了h然界域小輻射單元（電偶極子和磁偶極子）雙定向輻射的限制，實(shí)現(xiàn)了完美的電磁波全向輻射及高效空間功率合成。提出?種三頻段超材料完美吸波器，可在三個(gè)設(shè)計(jì)頻段實(shí)現(xiàn)電磁波在大角度范圍內(nèi)、 對(duì)極化不敏感的近乎完美吸收?；谧儞Q光學(xué)原理，提出一種低損耗電磁幻覺(jué)器件，可按照需求有0的地操控0標(biāo)對(duì)電磁波的雷達(dá)散射特征。提出并制備了寬帶、低損耗的全介質(zhì)超材料放人透鏡，打破衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了超分辨率的微波成像。該研究促進(jìn)了等效媒質(zhì)超材料的發(fā)展。
東南大學(xué)
2021-04-11
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關(guān)于自旋超流基態(tài)的研究
研究小組首先利用激光分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)了具有原子級(jí)別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運(yùn)的技術(shù)，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產(chǎn)生自旋壓，在另外一個(gè)鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)（圖A）。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對(duì)應(yīng)著自旋導(dǎo)的飽和，也就是零自旋阻效應(yīng)；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質(zhì)之一（圖B）。在此基礎(chǔ)上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運(yùn)距離下自旋超流的輸運(yùn)現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進(jìn)行長(zhǎng)距離的輸運(yùn)，并且其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致（圖C）。該工作是是自旋超導(dǎo)態(tài)領(lǐng)域研究的一項(xiàng)重大突破，勢(shì)必推動(dòng)自旋超導(dǎo)態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎(chǔ)物理研究提供了實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結(jié)等，奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。圖：自旋超流基態(tài)的重要實(shí)驗(yàn)證據(jù)。（A）非局域自旋輸運(yùn)測(cè)量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)。（B）自低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應(yīng)。（C）自旋信號(hào)隨其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致。
北京大學(xué)
2021-04-11