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CS2350M雙恒電位儀是基于常規單通道CS350M 型電化學工作站拓展的產品，可以實現2個通道同步測試，搭配旋轉環盤電極（RRDE）使用，各通道獨立，可以實現不同參數、不同電分析方法的獨立使用，軟件友好，可以實現組合編程功能。具體應用于： 1）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化等反應機理研究； 2）電分析化學研究、電化學傳感器的性能研究； 3）新型能源材料、先進功能材料以及光電材料的性能研究； 4）金屬材料在不同介質（水/混凝土/土壤等）中的腐蝕研究蝕性評價； 5）緩蝕劑、水質穩定劑、涂層以及陰極保護效率的快速評價。 1、硬件參數指標   2，3，4電極體系 雙恒電位儀，雙通道獨立使用 電位儀電位控制范圍：±10V 恒電流控制范圍：±1.0A 電位控制精度：0.1%×滿量程讀數±1mV 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數 電位分辨率：10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz) 電流靈敏度：<1pA 電位上升時間：<1mS(<10mA),<10mS(<2A) 參比電極輸入阻抗：1012W||20pF 電流量程：2A～2nA, 共10檔 最大輸出電流：1.5A 槽壓：±21V   CV 和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s 電流掃描增量：1mA @1A/mS 電位掃描時電位增量：0.076mV @1V/mS SWV頻率：0.001～100KHz DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s AD數據采集：16bit@1MHz, 20bit @1KHz DA分辨率：16bit, 建立時間：1mS CV的最小電位增量：0.075mV 低通濾波器：8段可編程 電流與電位量程：自動設置 接口通訊模式：網口   2、電化學阻抗功能指標   信號發生器： 頻率響應：10mHz~1MHz 頻率精確度：0.005% 交流信號幅值：1mV~2500mV 信號分辨率：0.1mV RMS 直流偏壓：-10~+10V DDS輸出阻抗：50W 波形：正弦波，三角波，方波 正弦波失真：<1% 掃描方式：對數/線性，增加/下降   信號分析器： 最小積分時間：10mS 或循環的最長時間 最大積分時間：106個循環或者105S 測量時間延遲：0~105秒 直流偏置補償： 電位自動補償范圍：-10V~+10V 電流補償范圍：-1A~+1A 帶寬調整(Bandwidth) ： 自動或手動設置，共8級可調   3、CorrTest測量與控制軟件主要功能 第一通道軟件功能 穩態極化：開路電位測量（OCP）、恒電位極化（I-t曲線)、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL曲線）、動電流掃描（DGP） 暫態極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍、恒電流階躍 計時分析：計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC） 伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）#、線性循環伏安法（CV）、階梯循環伏安法（SCV）#、方波伏安法（SWV）#、差分脈沖伏安法（DPV）#、常規脈沖伏安法（NPV）#、常規差分脈沖伏安法（DNPV）#、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、交流伏安法（ACV）#、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅里葉變換交流伏安【標#號的方法包括相應的溶出伏安分析方法】 交流阻抗：電化學阻抗～電位控制模式、電化學阻抗（EIS）～時間掃描、電化學阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）、電化學阻抗～電流控制模式 腐蝕測量：動電位再活化法（EPR）、電化學噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）、氫擴散測試 電池測試：電池充放電測試、恒電流充放電、恒電位間歇滴定（PITT）、恒電流間歇滴定（GITT） 其他：圓盤電極測試以及轉速控制、溶液電阻測量（IR降）、溶液電阻正反饋補償（IR補償） 第二通道軟件功能 穩態極化：開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t 曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL 曲線）、動電流掃描（DGP） 暫態極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍 計時分析：計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC） 伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）、線性循環伏安法（CV） 電池測量：電池充放電測試、恒電流充放電、恒電位間歇滴定（PITT）、恒電流間歇滴定（GITT） 其他：圓盤電極測試以及轉速控制、溶液電阻測量（IR降）、溶液電阻正反饋補償（IR補償） 通道二可選配功能：交流阻抗功能   交流阻抗：電化學阻抗～電位控制模式、電化學阻抗（EIS）～時間掃描、電化學阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）、電化學阻抗～電流控制模式 4、儀器配置 1）儀器主機1臺； 2）CorrTest測試與分析軟件1套 3）電源線1條 4）網口通訊線1條 5）電極電纜線2條 6）模擬電解池2個（儀器自檢器件）

ASKN實驗臺通體采用優質冷軋鋼板加工而成，表面磷化作Epoxy粉末靜電噴涂防腐處理。其堅固耐用，鋼構架經酸洗磷化處理后，經環氧樹脂靜電噴涂，使得防潮與防腐有效的結合起來。在結構上祥式上，將承重性與靈活性融合起來。全鋼結構產品奪人的質感與光感使實驗室顯得穩重而優雅，是研究型教學型實驗室的上上之選。

本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。

1.項目簡介：《用超細APT制備納米鎢粉的研究》由我校余世鑫教授主持與江西省崇義章源鎢制品有限公司聯合研究，并由該公司工業試生產成功。該項目經過課題組人員的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技廳組織專家鑒定組對該項目進行了鑒定。2.技術特點：本項目采用精細化工技術，依據相轉移合成法的原理，采用獨特的離子交換高峰液的處理技術、固液分離技術和結晶晶形控制技術，生產出超細顆粒仲鎢酸銨(APT，費氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回轉管爐煅燒和四管爐還原，采用露點-70℃的高純氫氣和粉末鈍化技術，制得納米鎢粉。其生產表明，與等離子法、流態化還原法等相比，采用該技術生產納米鎢粉具有設備投資少、成本低、規模生產易控制、重現性好的特點。易于實現工業化生產。該項目采用的工藝技術獨特、新穎、可行，屬國內首創。