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“一種化學浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現(xiàn)有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.

  巨霍爾效應是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應的巨大增強現(xiàn)象,是納米材料的新效應,本課題利用巨霍爾效應原理,制備出磁場靈敏度高達125AT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應巨霍爾效應原理應用于傳感器件領域,制備出具有實用價值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創(chuàng)新性。與傳統(tǒng)的半導體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應原理,首次制備出磁場靈敏度高達125VAT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。主要創(chuàng)新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。    主要創(chuàng)新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。相關成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)九項。    本課題的研究,將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料,是一個全新的技術,取得了多項具有原始創(chuàng)新性的技術成果,進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域]應用    應用狀況:    與傳統(tǒng)的半導體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異抗核輻射等優(yōu)點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發(fā)明公開了一種氧化鋅基底誘導取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導生長具有擇 優(yōu)取向方向的硒化銻薄膜；當氧化鋅基底為(100)取向時，誘導生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向為主導生長取向；當氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向為主 導生長取向。本發(fā)明中的方法可應用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應的硒

通過研究和有機介質(zhì)薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩(wěn)定等特點，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導電基底表面修飾

1.亞毫米尺寸單層導電納米材料，實現(xiàn)高產(chǎn)量產(chǎn)率原 子級薄樣品的宏量制備。 2. 成膜平整，粗糙度在 10 納米以內(nèi)，平整度遠好于 ITO 和銀納米線薄膜。 3. 膜具高透光率和柔性，其導電性優(yōu)于 ITO 。

銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽電池 銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽電池是在玻璃襯底，或者是在不銹鋼箔、塑料等柔性襯底上沉積5層薄膜的太陽電池。 1）轉(zhuǎn)換效率是薄膜電池之首（η = 20.8%），超過多晶硅太陽電池； 2）性能穩(wěn)定不衰退； 3）成本低廉：在廉價襯底上以低襯底溫度下沉積厚度3～4 微米薄膜，全部生產(chǎn)可在一個車間內(nèi)完成，低的材料成本與制造成本。 4）可制備成柔性太陽電池，不怕摔碰，功率

本發(fā)明公開了一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，該制 備方法包括步驟 S1：在潔凈的 Si 襯底上制備阻擋層；S2：在阻擋層上 制備布拉格反射柵，布拉格反射柵由不同聲波阻抗薄膜構(gòu)成；S3：在 布拉格反射柵上依次制備粘附層和底電極；S4：在底電極上制備多層 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并作為體聲波諧振器的壓電層；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜構(gòu)成；S5：將多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行退火處理后形成 晶化薄膜；S6：在

本發(fā)明公開一種多層薄膜微結(jié)構(gòu)自對準制備方法，通過分隔板將噴頭內(nèi)腔體縱向分為至少兩個腔室，在各腔室內(nèi)注入不相溶的高分子溶液，并匯聚于噴頭的噴嘴處；施加高壓靜電場，同時驅(qū)使接收板做平面直線運動，在高壓靜電場作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐，從泰勒錐尖端拉出射流，射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運動的方向進行靜電紡絲，形成多層薄膜微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開一種實現(xiàn)上述方法的裝置，分隔板縱向設于噴嘴內(nèi)，將噴嘴內(nèi)腔體分隔為至少左右兩個腔室；在噴嘴端部設有端部蓋板，端部蓋板與噴嘴端部之間設有密封片；噴嘴的側(cè)面開有溶

本發(fā)明公開了一種基于激光加熱固膜的駐極體薄膜制備方法， 包括：將導電基材層固定于旋涂、噴涂或者刮涂設備上，并配置適當 的駐極體納米顆粒懸浮液；通過調(diào)整旋涂速度、噴涂速度或者刮涂厚 度參數(shù)使得駐極體懸浮液均勻覆蓋，然后對駐極體懸浮液的溶劑執(zhí)行 蒸發(fā)處理，由此在導電基材層上形成具備一定厚度的駐極體材料層； 采用激光加熱設備將激光照射到駐極體材料層表面上，由此利用激光 照射產(chǎn)生的熱量使得駐極體納米顆粒融化并相互連接，由此制