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【發 明 人】段金廒；劉睿；錢大瑋；唐于平；郭建明 【技術領域】 本發明涉及藥物技術領域，具體涉及一類具有抗氧化活性的角類多肽、其分離方法及用途。 【摘要】 本發明涉及藥物技術領域，具體涉及一類具有抗氧化活性的角類多肽、其分離方法及用途。本發明的多肽具有下列序列結構：Gln-Tyr-Asp-Gln-Gly-Val；Tyr-Glu-Asp-Cys-Thr-Asp-Cys-Gly- Asn；Ala-Ala-Asp-Asn-Ala-Asn-Glu-Leu-Phe-Pro-Pro-Asn。這三種序列的多肽均提取分離自水牛角，藥理試驗證明，本發明的多肽具有良好的抗氧化活性。

2020年2月18日，清華大學生命學院王新泉課題組和醫學院張林琦課題組緊密合作，利用X射線衍射技術，解析了新型冠狀病毒（2019-nCoV）表面刺突糖蛋白受體結合區（receptor-binding domain, RBD）與人受體ACE2蛋白復合物的晶體結構，準確定位出新冠病毒RBD和受體ACE2的相互作用位點，闡明了新冠病毒刺突糖蛋白介導細胞侵染的結構基礎及分子機制，從而為治療性抗體藥物開發以及疫苗的設計奠定了堅實的基礎。這一重要研究成果已于北京時間2月21日凌晨在BioRxiv發表。王新泉和張林琦課題組隨即瞄準新冠病毒上RBD如何特異性結合ACE2這一關鍵科學問題，利用昆蟲細胞體系表達和純化了新冠病毒 RBD和人ACE2胞外結構域，成功生長出新冠病毒 RBD-ACE2復合物的晶體（晶體生長條件：100 mM MES, pH 6.5, 10% PEG5000mme, 12% 1-propanol），利用上海光源BL17U線站收集了分辨率為2.45埃的衍射數據，并成功解析其三維空間結構。

本發明公開了一種非球面非零位干涉檢測中部分補償透鏡對準裝置與方法。它由激光器出射的細光束經準直擴束系統后被擴束為平行寬光束，平行光入射至鍍有半反半透膜的分光板后，一部分入射光被反射，反射光束被平面參考鏡反射后再次返回分光板；另一部分入射光被透射，透射光束向前傳播入射至輔助對準平板后返回；返回的反射光和返回的透射光在分光板處相遇發生干涉，形成干涉圖，經成像系統后成像于探測器處；調節對準平板與部分補償透鏡相對于入射光的傾斜度，使探測器得到零條紋干涉圖，移去對準平板，實現部分補償透鏡的傾斜對準。本發明解決了非球面非零位干涉檢測中部分補償透鏡對準誤差問題，減少了其誤對準對檢測結果引入的調整誤差。

利用溶劑促使配位鋁氫化物和銨鹽反應制氫的方法，配位鋁氫化物的化學式為M(AlH4)m，其中M是能形成配位氫化物的堿金屬或堿土金屬，m是所述堿金屬或堿土金屬的化合價，銨鹽的化學式為(NH4)nX，其中X是酸性基團，n是酸性基團的化合價，該方法是將配位鋁氫化物、銨鹽和溶劑加入反應器中相混合，通過溶劑加速配位鋁氫化物與銨鹽的反應，其中，配位鋁氫化物和銨鹽的摩爾比為（0.38～4.55） : 1，溶劑的用量為0.4L/mol～100L/mol配位鋁氫化物。該方法不需加熱，只要配位鋁氫化物和銨鹽接觸，并有溶劑提供反應環境，即可發生反應產生氫氣。這種方法能在不提供額外能源的條件下高效釋放氫氣。

本發明公開了一種釕配位聚吡咯納米球團簇材料及其制備方法和應用，所述的釕配位聚吡咯納米球團簇材料由釕配位聚吡咯納米球構成，納米球緊密堆積形成納米球團簇，納米球團簇相互聚集形成納米球團簇間微孔。釕配位聚吡咯納米球團簇材料采用單體配位?電聚合法制備。首先采用直接配位反應合成法，利用釕離子的空軌道和吡咯單體分子鏈上氮原子的未成對電子相互作用，通過直接配位反應制得釕配位吡咯單體。然后采用循環伏安電聚合反應合成法，釕配位吡咯單體在π?π堆積力作用下，通過電聚合反應制得釕配位聚吡咯。相對于現有技術，所述材料具有較

成果描述：本發明公開了一種柴油機微粒捕集器DPF碳累積量估計方法，通過壓差傳感器測得DPF前后總壓力差，根據DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據灰分質量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產生的流阻即可得到積碳所產生的流阻，根據積碳產生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質量通過廢氣質量流量和發動機轉速經過積分計算得到。本發明提出了碳積累量增量估計方法，可以基于當前總流阻、當前灰分質量和當前廢氣體積流量計算出碳積累量的增量，然后得到當前的碳積累量。本發明方法得到的DPF碳累積量估計精度更高，而且避免了使用現有估計方法中物理意義不明確的參數，估計過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時機的準確性。市場前景分析：內燃機技術領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。