低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法
簡(jiǎn)介:本發(fā)明公開了一種新型低端MOSFET/IGBT負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)電路及其控制方法,屬于電力電子驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。它包括電路連接的負(fù)壓箝位驅(qū)動(dòng)單元與BOOST升壓?jiǎn)卧豢刂品椒ǖ牟襟E為:(1)控制S1與S4處于導(dǎo)通狀態(tài),S2與S3處于關(guān)斷狀態(tài);(2)控制S1、S2、S3和S4處于關(guān)斷狀態(tài),Q柵源極上的電壓始終維持在U3上不變;(3)控制S2與S3處于導(dǎo)通狀態(tài),S1與S4處于關(guān)斷狀態(tài),Q上的柵源電壓將會(huì)被箝位在電壓U4上,Q瞬間被關(guān)斷;(4)控制S1、S2、S3和S4都處于不導(dǎo)通狀態(tài),Q柵源極上的電壓維持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET開關(guān)管。本發(fā)明提高了驅(qū)動(dòng)電路的抗干擾能力,可有效防止開關(guān)器件的誤導(dǎo)通。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-13