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1. 項(xiàng)目概述南京工業(yè)大學(xué)化工設(shè)備設(shè)計(jì)研究所多年從事薄膜蒸發(fā)/短程蒸餾技術(shù)研制工作,在設(shè)備性能研究、生產(chǎn)制造及生產(chǎn)使用三方面均積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。已經(jīng)完成了1～20m2薄膜蒸發(fā)器開發(fā)應(yīng)用工作，其中20m2薄膜蒸發(fā)器技術(shù)水平在國(guó)內(nèi)處領(lǐng)先地位。薄膜蒸發(fā)器適用于蒸餾、分離、濃縮、萃取、除臭、脫氣、反應(yīng)等工藝中物質(zhì)的分離；具有很高的傳熱系數(shù)，對(duì)水和有機(jī)溶劑等溶液的蒸發(fā)強(qiáng)度值可達(dá)到150~300Kg/h﹒m2；具有很短的加熱區(qū)停留時(shí)間，只有數(shù)秒至數(shù)十秒，適用于處理熱敏性物料；寬廣的粘度加工范圍；產(chǎn)量調(diào)節(jié)幅度大，產(chǎn)品最終濃縮比高；反混量為最小；由于良好的攪拌，設(shè)備具有最小的表面結(jié)垢；操作穩(wěn)定、方便，易于實(shí)行自控。2. 技術(shù)優(yōu)勢(shì)（1）開發(fā)多種結(jié)構(gòu)型式薄膜蒸發(fā)器。轉(zhuǎn)子型式有用固定間隙式、可調(diào)間隙轉(zhuǎn)子式；加熱方式有高溫型、普通型；物料有高粘度、普通粘度型。（2）已開發(fā)一套“薄膜蒸發(fā)器遠(yuǎn)程CAD系統(tǒng)”，該系統(tǒng)可實(shí)時(shí)、實(shí)地實(shí)現(xiàn)薄膜蒸發(fā)器的設(shè)備選型、工藝計(jì)算、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度計(jì)算、二維/三維設(shè)備圖形的生成及設(shè)備報(bào)價(jià)。（3）研制了配套設(shè)備-短程蒸餾器。

自1987年美國(guó)柯達(dá)公司的鄧青云C．W．Tang等人報(bào)導(dǎo)了有機(jī)電致發(fā)光以來(lái)，在全世界范圍興起了一場(chǎng)有機(jī)薄膜發(fā)光二極管研究熱潮。有機(jī)薄膜發(fā)光二極管具有主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)快、全固體化、容易實(shí)現(xiàn)彩色化和驅(qū)動(dòng)電壓低等獨(dú)特的優(yōu)越性，是很有潛力的平板顯示器，它將取代現(xiàn)在統(tǒng)治市場(chǎng)的液晶顯示器。然而高亮度、長(zhǎng)壽命和高效率的有機(jī)電致發(fā)光器件是人們一直夢(mèng)寐以求的。 有機(jī)電致發(fā)光器件雖然發(fā)展非常迅速，發(fā)展規(guī)模也是空前的。但是為了得到高亮度、高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件，人們對(duì)有機(jī)電致發(fā)光中的一些問(wèn)題并沒(méi)有很好的解決，如由于目前空穴和電子傳輸層材料和制備工藝的限制，用普通有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)：ITO/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/背電極，有如下一些問(wèn)題：發(fā)光層與電極之間的互擴(kuò)散，沒(méi)有足夠高的空穴和電子遷移率，以及注入的空穴與電子不夠平衡等。這些問(wèn)題限制了有機(jī)電致發(fā)光器的進(jìn)一步改善，成為有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)展的重要瓶頸，無(wú)法制備性能優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光器件。 技術(shù)特點(diǎn)： 對(duì)有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和電子傳輸層材料進(jìn)行改進(jìn)，從而有效提高有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的亮度、效率和壽命。 技術(shù)特點(diǎn)：是在透明電極上，依次制備空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子電勢(shì)補(bǔ)償層和背電極所組成薄膜結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入電子傳輸層，電子傳輸層采用寬禁帶無(wú)機(jī)材料。 該器件在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入無(wú)機(jī)電子傳輸層這種結(jié)構(gòu)可以大大改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層與電極之間的擴(kuò)散，注入的空穴與電子的不夠平衡等，使有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度，效率和奉命得到提高。

1、制備設(shè)備技術(shù)先進(jìn)： 多弧離子鍍?cè)O(shè)備加裝脈沖磁控后實(shí)現(xiàn)了對(duì)等離子體的約束與控制，從而制 備的涂層物理性能更好，并實(shí)現(xiàn)了 Ti/TiNX/TiC1-xNx/TiC、 Cr/ CrNX/ CrC1-xNx/ CrC 薄膜顏色可調(diào)，實(shí)驗(yàn)證明此工藝制備的涂層表面更加光潔、硬度更大，效 率更高。脈沖電源、磁系統(tǒng)和 PLC 控制系統(tǒng)均為課題組自行開發(fā)，具有設(shè)備技 術(shù)創(chuàng)新，此項(xiàng)工作在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。 2. 涂層設(shè)計(jì)理念合理 用脈沖磁控多弧離子鍍制備 Ti/TiNX/TiN、Ti/TiNX/TiC1-xNx/TiC、Cr/Cr NX/ CrC1-xNx/ CrC、Cr/CrN/CrAlSiN 梯度復(fù)合薄膜。本方案通過(guò)優(yōu)化膜系和制備工 藝參數(shù)，可以有效緩解應(yīng)力，提高涂層在基底上的附著力，此項(xiàng)研究具有薄膜 材料設(shè)計(jì)創(chuàng)新，具有國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。由于梯度復(fù)合薄膜制備參數(shù)變化多，工藝 參數(shù)實(shí)現(xiàn)了 PLC 控制，生產(chǎn)效率和重復(fù)性大大提高。 3. 綠色環(huán)保無(wú)污染 由于真空鍍膜工藝無(wú)污染，且制備的薄膜質(zhì)量好，此工藝代替高污染的電 鍍工藝，是綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)，符合國(guó)家提倡主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向 4. 制備開發(fā) DLC 薄膜 利用線性離子源發(fā)電技術(shù)制備了 DLC（Diamond like carbon）薄膜，此薄 膜制備工藝國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，具有沉積溫度低、薄膜質(zhì)量好特點(diǎn)，可用于醫(yī)療器械和 各種機(jī)械配件鍍膜等，其制備方法重復(fù)性好、襯底溫度低等特點(diǎn)。

類金剛石薄膜（diamond-like carbon, DLC）是一種亞穩(wěn)態(tài)的非晶碳膜，其結(jié)構(gòu)、物理化學(xué)性質(zhì)接近于金剛石。作為一種新型的硬質(zhì)薄膜材料具有一系列類似于金剛石的多種優(yōu)異性能，如高硬度、低摩擦系數(shù)、高耐磨耐蝕性、高熱導(dǎo)率、在可見(jiàn)到紫外光范圍內(nèi)透明、良好的絕緣性和化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的生物兼容性及表面光滑等，可廣泛用于機(jī)械、電子、光學(xué)、熱學(xué)、聲學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。 本項(xiàng)目通過(guò)物理氣相沉積方法制備的類金剛石薄膜具備質(zhì)量穩(wěn)定，與基體結(jié)合強(qiáng)，硬度、彈性模量、摩擦系數(shù)和透光性可調(diào)控，耐摩擦磨

2025年4月14日，天津市科技創(chuàng)新發(fā)展中心官方微信公眾號(hào)“天津市科技創(chuàng)新發(fā)展中心”以《推進(jìn)主題教育成果轉(zhuǎn)化 賦能黨建業(yè)務(wù)融合發(fā)展》為題對(duì)我校進(jìn)行了報(bào)道。

本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。

本項(xiàng)目包括三種技術(shù)：（1）負(fù)極箔的除銅技術(shù)，可以將負(fù)極箔表面的銅含量降到5mg/m2以下，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；（2）高壓鋁箔的發(fā)孔技術(shù)，通過(guò)前處理可以提高高壓鋁箔的均勻發(fā)孔性能；（3）高壓鋁箔的化成技術(shù)，經(jīng)特殊處理在硼酸體系中化成，在保證介電損耗、漏電流和折彎性能的前提下，耐壓530V的比電容比傳統(tǒng)硼酸化成提高8%以上。該項(xiàng)目研究的負(fù)極箔表面的銅含量降到5mg/m2以下，耐壓530V的比電容比傳統(tǒng)硼酸化成提高8%以上。

1. 項(xiàng)目背景（1）壓力容器設(shè)計(jì)及制造技術(shù):A1級(jí)，指超高壓容器、高壓容器（包括單層、多層）；A2級(jí)，指第三類低、中壓容器；A3級(jí)，指球形儲(chǔ)罐；A4級(jí)，指非金屬壓力容器；C1級(jí)，指鐵路罐車；C2級(jí)，指汽車罐車、長(zhǎng)管拖車；C3級(jí)，指罐式集裝箱；D1級(jí)，指第一類壓力容器；D2級(jí)，指第二類壓力容器；SAD級(jí)，指壓力容器應(yīng)力分析設(shè)計(jì)。（2）壓力管道設(shè)計(jì)及制造技術(shù)：GA類（長(zhǎng)輸管道）；GB類(公用管道)；GC類（工業(yè)管道）；GD類(動(dòng)力管道)。2. 技術(shù)優(yōu)勢(shì)提供質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙，負(fù)責(zé)人員培訓(xùn)及取證許可咨詢；質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙均符合現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范要求。3. 技術(shù)水平質(zhì)量體系文件及相關(guān)產(chǎn)品圖紙均符合現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范要求。