新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

采用碳酸二乙酯和丁二醇、戊二醇和己二醇等酯交換生產脂肪族聚碳酸酯二元醇，分子量可控，可以為1000，2000，4000等等。生產過程中副產物為乙醇，產品通過水洗提純，無污染物排放，可以做到綠色無污染。脂肪族聚碳酸酯二醇是制備高強度、耐水解、耐氧化的聚氨酯的原料。聚碳酸酯聚氨酯為新一代聚氨酯材料，優良的耐水解耐老化性能使其在水下封堵、戶外結構件（如風機葉片）以及人工血管等方面得到廣泛的應用。

本發明公開了一種芳香化合物催化加氫制備環己基化合物的方法，包括：將芳香化合物、溶劑和氮摻雜的介孔碳負載的納米金屬催化劑置于加氫反應容器中，反應容器內氫氣壓力為0.1Mpa～10MPa，反應溫度為30～250℃，催化加氫完成，得到環己基化合物。本發明采用氮摻雜的介孔碳負載的納米金屬催化劑，催化活性高，且環己基化合物的選擇性均在97％以上，且反應條件容易控制，后處理簡單，適于工業化生產。

一種IIB-VIA族化合物粉末的合成方法，以VIA族非金屬粉末和IIB族金屬粉末為原料，使用包括坩堝、管式反應室和移動式加熱爐的合成裝置，原料平鋪在坩堝內，坩堝放入管式反應室并將管式反應室關閉和密封，采用向管式反應室充入保護氣體、或同時抽真空和充入保護氣體的方式將管式反應室內的壓強調節至1×102～1×105Pa，在爐溫升至500～800℃時控制移動式加熱爐以5～20cm/min速率移動，當移動式加熱爐從管式反應室裝有坩堝部段的一外側移動至另一外側，即完成了IIB-VIA族化合物的合成反應，然后將移動式加熱爐的爐溫升至700～1000℃，并使移動式加熱爐在管式反應室裝有坩堝部段往返移動1～2次，即完成退火處理。此種方法安全、工藝簡單，制備的IIB-VIA族化合物粉末粒徑均勻。

本發明為一種基于圖形碼子母印章族信息關聯機制的軟證件防偽方法，證件的子母印章族中嵌入了持證人知識型隱私特征信息，子母印章信息之間有邏輯約束關系，能夠杜絕假冒欺騙；證件的不可模仿性主要由密鑰和持證人知識特征信息的邏輯結果來決定，而與技術設備無關，所以技術規范可以為開放體系。

本發明涉及微孔過渡族金屬有機框架材料及其制備和使用方法，該材料的結構式為：[Cu2(C29H14O8)(H2O)2]7(C3H7NO)(H2O)。采用將過渡族金屬銅鹽和5, 5’-(9H-芴-2, 7-二基)間苯二甲酸在溶劑熱條件下制備，工藝簡單，成本低。將微孔過渡族金屬有機框架物活化后具有不飽和金屬位點以及空曠的不帶有端基配位水的微孔。該材料熱穩定性好，具有良好的小分子氣體乙炔、乙烯、乙烷和甲烷儲存性能，具有從乙炔和甲烷、乙烯和甲烷或乙烷和甲烷的混合氣體中選擇性分離甲烷的性能，以及從乙炔和二氧化碳的混合氣體中選擇性分離乙炔的性能。

本發明公開了一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點分散于非極性溶劑中得到量子點溶 液，將無機配體溶解于極性溶劑中得到無機配體分散液，再將量子點 溶液與無機配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應第一前驅體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅體溶 液；(3)將第一前驅體溶液與第二前驅體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在

III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫，使之成為當前國際上數據資源相對豐富、可靠程度高的專業型數據庫。在此基礎上，應用該計算機輔助分析系統，可采用統一的成分空間表達方式，將覆蓋四元半導體整個成分空間的光電性能（能量間隙或波長）、與相應襯底匹配的成分條件、以及各種溫度下發生溶解間隙的成分范圍，投影于一平面，構成III-V族半導體體系綜合優化圖，用以對金屬有機物氣相外延工藝進行輔助分析、確定滿足優質半導體生長的成分空間、預測外延層半導體的成分等。同時，該系統還發展了非平衡過程分析研究方法：亞穩平衡處理、條件平衡處理和不可逆過程分析處理等，這些方法有助于III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝過程的熱力學分析。 該項目面向光電子材料和器件的研制與生產 III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統，目前主要是作為應用研究，服務于有關光電子材料和器件的研制與生產過程中工藝條件的輔助設計，以促進III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝逐步從經驗設計邁向科學設計，在相關領域的高技術產業化方面起積極作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫；瑞典皇家工學院Thermo-Calc相平衡熱力學計算軟件。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發表在國際頂尖一區期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發表在國際頂尖一區期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統發現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環中出現了穩定多渦旋態。隨著內半徑的增長,我們發現了穩定基態的(l:L)和(2:L)多渦旋態現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發明公開了一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用。在惰性氣氛中，借助常見 的可與硫族單質(S，Se)反應的金屬和氫氣輔助控制體系中 S 或 Se 的濃度，以達到控制過渡金屬層硫化 或硒化程度的目的，利用化學氣相沉積方法可控地生長 TMDs 單晶;將沉積時的溫度控制為 750°C至 850°C，并且沉積時間控制為 5 至 15 分鐘，完成 TMDs 

【發 明 人】李念光；唐于平；段金廒【技術領域】本發明涉及藥物化學研究領域，具體涉及一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在抗血栓或抗腦缺血疾病中的應用。【摘要】本發明涉及藥物化學研究領域，具體公開了一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在防治血栓性疾病中的應用。本發明對具有抗血栓作用強的天然芳香酸化合物進行結構修飾，將其羧酸基團與一氧化氮供體結合，得到脂溶性好的一氧化氮供體型芳香酸前藥，本發明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物的溶解性好，可有效透過生物膜脂質雙分子層，可提高人體服用后生物利用度，并且前體藥物能夠分解為芳香酸類化合物和釋放出一氧化氮，二者可以協同發揮抗血栓、抗血小板聚集等藥理活性。本發明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物可用于防治血栓性疾病和腦缺血性疾病。