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一種 IC 芯片剝離裝置
本發明公開了一種 IC 芯片安全剝離裝置，包括安裝板、位置調整機構、滑臺機構、頂針機構以及真空發生器；所述頂針機構包括：套筒，安裝于滑臺上；直線電機，安裝于套筒內，其控制端連接外部控制中心的輸出端；直線傳動機構，安裝于套筒內，其下端與直線電機的輸出軸相接；力傳感器，安裝于直線電機的輸出軸和直線傳動機構之間，其信號輸出端連接外部控制中心的輸入端；頂針座，安裝于套筒頂部，其表面開有氣孔，通過該氣孔與真空器氣管連接；頂針夾持件，安裝于頂針座內，與直線傳動機構的上端相接；頂針，被頂針夾持件夾持。本發明采用閉
華中科技大學
2021-04-14
一種紅外液晶相控陣芯片
本發明公開了一種紅外液晶相控陣芯片。該芯片包括電控液晶調相微柱陣列；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的液晶初始取向層、電隔離層、圖形化電極層、基片和紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的液晶初始取向層、電隔離層、公共電極層、基片和紅外增透膜；圖形化電極層由陣列分布的子電極構成，每個子電極均由正方形或長方形導電膜構成；電控液晶調相微柱陣列被劃分成陣列分布的電控液晶調相微柱，其與子電極一一對應，單個
華中科技大學
2021-04-14
技術需求：公司產權保護，芯片加密。
公司產權保護，芯片加密問題。
山東沂川電子有限公司
2021-06-15
CMOS 圖像傳感器芯片設計
成果與項目的背景及主要用途：
人類通過視覺系統獲取的信息占獲取信息總量的 80%以上，如果說計算機相當于人類的大腦，那么圖像傳感器則相當于人類的眼睛。圖像傳感器作為圖像信息獲取最重要和最基本的技術在信息世界中將占據著極其重要的地位。半導體圖像傳感器相比傳統的膠片成像具有可實時處理和顯示、數字輸出、便于儲存和管理等諸多優勢，正在迅速成為圖像傳感器發展的主導力量。CMOS 圖像傳感器相對于 CCD 圖像傳感器具有單片集成、低功耗、低成本、體積小、圖像信息可隨機讀取等一系列優點。在手機拍照、PC 攝像、機器視覺、視頻監控等諸多領域已經取代了 CCD 圖像傳感器。
技術原理與工藝流程簡介：
（1）時間延遲積分型 CMOS 圖像傳感器芯片通過 0.18µm 1P4M CMOS 工藝完成了對最高 128 級線陣長度為 1024 像素的TDI 型 CMOS 圖像傳感器芯片的設計、投片和測試工作。
（2）具有緊湊讀出的多次積分動態范圍擴展 CMOS 圖像傳感器提出了一種通過多次積分擴展動態范圍的方法，采用緊湊讀出方式，以降低對對讀出電路的工作速度要求。成功流片 128×128 陣列原型，動態范圍可以擴展39dB,像素讀出時間相對于滾筒是曝光增加了 3 倍。
應用前景分析及效益預測：
該領域開始向著高清專業攝像、高精度工業和醫療成像、抗輻射太空成像等專業高端領域邁進。CCD 傳感器的衰退之勢難以挽回，CMOS 將在未來幾年保持優勢地位。2015 年，CMOS 出貨量將達到 36 億個，份額達 97%；而 CCD 出貨量將下降到只有 9520 萬個，占 3%份額。
應用領域：
CMOS 圖像傳感器廣泛應用于消費類、工業和科技等各個領域。民用領域：拍照手機、數碼相機、可視門鏡、攝像機、汽車防盜等；工業領域：生產監控、安全監控等。
技術轉化條件：
四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作。
合作方式及條件：根據具體情況面議
南開大學
2021-04-11
太赫茲波傳輸和調控功能器件
太赫茲（THz）科學技術既是重大的基礎科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現THz波傳輸與控制的相關器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術的發展及應用。本項目提出了THz波物質探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術難題；(2)提出“人工電磁結構”與“電子功能材料”相結合構建可調諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關速率達到0.1ms的太赫茲開關、調制速率達到10Mbps的太赫茲波調制器，帶內透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調制器，開關速率達到5MHz，空間調制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎；(4)提出極化約束實現太赫茲波導低損耗傳輸的新概念。基于“聚合物空芯波導”與“周期性金屬光柵結構”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫療診斷以及以及波譜成像等應用系統提供了重要的技術支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發表SCI 論文66 篇。申請國家發明專利22 項，已授權專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領域具有重要的科學意義。
電子科技大學
2021-04-10
太赫茲波傳輸和調控功能器件
本項目提出了THz波物質探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術，研制出多種實用化THz功能器件。
電子科技大學
2021-04-10
PMOS觸發的低壓ESD觸發SCR器件
隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發電壓降低到可觀的電壓值內，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發的SCR器件。 本發明提供一種采用新型技術減小器件的ESD觸發電壓的PMOS嵌入的低壓觸發用于ESD保護的SCR器件。本發明采用PMOS進行觸發NMOS導通，NMOS的導通電流觸發SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發導通，PMOS開通之后，觸發NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。
遼寧大學
2021-04-11
超快高儲能柔性器件
本項目以制備超快高儲能柔性器件為導向，建立基于界面納米復合材料的新技術。通過水熱法和電化學方法在柔性導電基底上構建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導電基底上生長多孔氧化鐵納米復合材料，作為負極，組裝全固態薄膜器件。利用納米復合材料的多方面優勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進而達到超快高儲能的目的。基于納米復合材料的全固態薄膜器件可展現出超快充電能力（10 V/s），比常規電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領域的一個重大突破。此外，本項目以開發超快超柔儲能器件為導向，開發了一種熱力學誘導自發組裝和原位摻雜結合碳熱還原的方法來實現石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統石墨烯材料縱向物質傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調節石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結構使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。
華中科技大學
2021-04-10
新型含碲光電功能晶體及器件
"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學領域內具有重要的應用價值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長，物理化學穩定等優點，是偏光和聲光器件的優選材料。 山東大學在該系列晶體生長和器件的研究方面具有獨立的知識產權，可以生長出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質量（光學均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達到高質量冰洲石器件水平；聲光調Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長處于世界領先水平，器件設計具有國際、國內專利，總體水平處于國際領先。該成果獲得教育部自然科學二等獎，主要用于先進光學及其電學領域，如醫療、軍事、激光加工、激光雷達、激光探測等。據統計，目前國內聲光調制器件和偏光器件總產值約為2億元。而現有的材料已經不能滿足相應研究和產業的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現有要求的基礎上，填補了此類材料和器件在中紅外波段內的國際空白。此外，獨立的知識產權有利于產品推廣，具有重要的社會和經濟效益。 "
山東大學
2021-04-10
集成高速光開關技術及關鍵器件
磷化銦基集成高速光開關芯片
中山大學
2021-04-10