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本發(fā)明涉及環(huán)境敏感型的高分子材料領(lǐng)域，旨在提供一種pH和溫度雙重敏感的離子微水凝膠的制備方法。該方法是將N-烷基丙烯酰胺類單體、含叔胺基團(tuán)的雙鍵化合物和引發(fā)劑在無(wú)水溶劑1,4－二氧六環(huán)或四氫呋喃中，無(wú)氧條件下進(jìn)行自由基共聚反應(yīng)；采用乙醚或石油醚為沉淀劑提取二元共聚物，經(jīng)離心分離后真空干燥至恒重；將所得二元共聚物配制成水溶液，加入多鹵代烷烴化合物，在40-70°C恒溫?cái)嚢瑁患兓蠹尤胗袡C(jī)陽(yáng)離子鹽類化合物，室溫下恒溫?cái)嚢杓吹胮H和溫度雙重敏感的離子微水凝膠。該制備方法簡(jiǎn)單易控，得到的微水凝膠具有pH和溫度雙重敏感性，引入了聚離子液體的優(yōu)良特性，純度高、穩(wěn)定性好，溶脹率大，適合在藥物可控緩釋和傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。

高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云

本技術(shù)成果屬于化學(xué)分析測(cè)試儀器領(lǐng)域，涉及到分子印跡固相微萃取涂層的制備方法。步驟如下：石 英纖維的堿洗、酸洗、活化、硅烷化處理；模板分子與功能單體置于溶劑中自組裝；加入交聯(lián)劑及引發(fā) 劑，插入硅烷化石英纖維，熱引發(fā)聚合；取出纖維，老化；重復(fù)以上涂漬步驟至涂層厚度達(dá)到要求；洗脫 除去模板分子。與商品化涂層相比，用本方法制備的樸草凈分子印跡固相微萃取涂層對(duì)三嗪類除草劑具有 良好的分子識(shí)別性能，涂層均勻致密，為疏松多孔結(jié)構(gòu)，長(zhǎng)時(shí)間使用后無(wú)斷裂、脫落現(xiàn)象，厚度可通過(guò)涂 漬次數(shù)進(jìn)行控制，重復(fù)性好。萃取頭可與液相色譜聯(lián)用。

炭材料因其具有豐富的組織結(jié)構(gòu)和許多優(yōu)異的性能而獲得了廣泛的應(yīng)用，焦炭、炭黑、活性炭、炭纖維等炭材料早已深入到社會(huì)生活的各個(gè)領(lǐng)域并為人們所熟知，炭富勒烯及炭納米管的發(fā)現(xiàn)引起了人們對(duì)納米級(jí)炭材料的研究熱潮。炭元素同時(shí)可以形成球狀結(jié)構(gòu)，粒徑大小范圍從幾十納米至幾十微米間的球形炭材料，由于具有耐熱、耐化學(xué)腐蝕性、強(qiáng)度高、粒徑大小及比表面積可調(diào)，可在吸附、儲(chǔ)能儲(chǔ)氣、納米器件、催化劑載體、潤(rùn)滑劑等方面得到廣泛的應(yīng)用。 從瀝青制備炭微球已為人們所熟知，具體方法有直接熱縮聚法、液相乳化法、懸浮法，所得到的炭球粒徑一般在幾十到上百微米。近年來(lái)興起了一些新的制備炭微球及納米球的方法，如加壓炭化法、電弧放電法、氣相沉積法、熱解法等，極大的豐富了炭微球及納米球的制備工藝。然而，這些方法總是存在這樣或那樣的局限性，如工藝繁瑣、收率低、產(chǎn)品不均一、成本高等。 本技術(shù)提供一種單純以聚丙烯腈為前驅(qū)體的生產(chǎn)炭微納米球的方法，該方法直接以聚丙烯腈球?yàn)榍膀?qū)體制備炭納米球，無(wú)需共聚或包覆其它需去除性物質(zhì)。該方法工藝簡(jiǎn)單，產(chǎn)率高，適于大規(guī)模生產(chǎn)。 具體工藝包括： 1.聚丙烯腈球的無(wú)皂乳液聚合 將單體丙烯腈、無(wú)離子水以一定比例混合，氮?dú)獗Ｗo(hù)下劇烈攪拌以除去空氣，然后升溫，加入引發(fā)劑進(jìn)行乳液聚合，反應(yīng)2～8h，得到白色聚丙烯腈乳液；將該乳液冷凍干燥后得到粒徑為150～500nm的聚丙烯腈球的白色粉末。 2.聚丙烯腈球的穩(wěn)定化 將步驟（1）得到的聚丙烯腈微納米球粉末置于鼓風(fēng)干燥箱中，程序升溫，在180～350℃進(jìn)行預(yù)氧化穩(wěn)定化處理，氧化時(shí)間為1～10h，得到棕色或黑色聚丙烯腈微納米球。 3.聚丙烯腈球的高溫炭化 將步驟（2）得到的穩(wěn)定化后的聚丙烯腈球在惰性氣體保護(hù)下于700～1500℃程序升溫，進(jìn)行炭化處理0.5～5h，得到黑色聚丙烯腈基炭微納米球。 球徑可控且純度極高，無(wú)需分離等后續(xù)工藝。如果進(jìn)一步石墨化可獲得微納米石墨球。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于仿壁虎腳微納分級(jí)結(jié)構(gòu)的制造工藝，包括：S1、使用 LPCVD 設(shè)備在潔凈的硅片上熱生長(zhǎng)一層 SiO2 薄膜；S2、 在有 SiO2 層的硅片表面旋涂光刻膠并進(jìn)行光刻，制備出圓孔陣列圖 形；S3、使用緩沖氫氟酸溶液對(duì)暴露出的 SiO2 進(jìn)行刻蝕，將光刻膠上 的圖形轉(zhuǎn)移到 SiO2 層；S4、在樣品表面鍍一層 Cu 膜；S5、在丙酮或 乙醇中進(jìn)行超聲，通過(guò)溶脫剝離工藝去除表面的光刻膠及光刻膠表面 的 Cu；S6、利用 CVD-VLS 生長(zhǎng)工藝，以上述工藝制備的 Cu 為催化 劑，以 SiCl4 為硅源，以 H2 為載氣，生長(zhǎng) Si 微米線陣列；S7、在硅 線表面鍍一層 Cu 膜；S8、利用 CVD-VLS 生長(zhǎng)工藝，以 S7 制備的 Cu 膜為催化劑，以 SiCl4 為硅源，以 H2 為載氣，在 Si 微米線表面生長(zhǎng) Si 納米線。本發(fā)明提供的微納分級(jí)結(jié)構(gòu)中 Si 微米線的表面分布有 Si 納米線，即一種仿壁虎腳微納分級(jí)結(jié)構(gòu)，為干性黏附材料的設(shè)計(jì)與制 造提供了一種解決方案。 

一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介可針對(duì)不同環(huán)境，完成震動(dòng)能、壓電能、摩擦電能、光電能、熱能、化學(xué)能、風(fēng)能、電磁能、射頻信號(hào)能等能量的收集、存儲(chǔ)，并根據(jù)需要為片上或片外低功耗傳感器提供穩(wěn)定且低噪的輸出能量供給。此外，針對(duì)不同的傳感器結(jié)構(gòu)和類型進(jìn)一步提供豐富的接口電路，用來(lái)讀取傳感器所產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)。配合低功耗收發(fā)機(jī)模塊，可實(shí)現(xiàn)完整的無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)功能。二、特點(diǎn)12345678.電源管理部分靜態(tài)電流可低至 65nA；.整個(gè) ASIC 功耗（包含溫度傳感）不足 1μW；.具有最大功率點(diǎn)追蹤；.匹配最小 16kΩ的厘米級(jí)以下壓電片.具有能量收集、存儲(chǔ)和調(diào)整輸出功能；.提供超低噪聲電源供給（10nA-100μA）片上/片外傳感器；.存儲(chǔ)的能量支持 ZigBee、Bluetooth 等低功耗協(xié)議間歇數(shù)據(jù)傳輸；.構(gòu)建平均功耗小于 5μW 的無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)。三、市場(chǎng)情況本項(xiàng)目能以超低功耗實(shí)現(xiàn)完整無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)，在 IoT、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景和社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。四、技術(shù)成熟度此技術(shù)成熟，即將獲得專利授權(quán)，尋求與企業(yè)合作。-- 28 --西安交通大學(xué)國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中心五、合作方式聯(lián)合研發(fā) 技術(shù)入股 □轉(zhuǎn)讓授權(quán)（許可） 面議

太陽(yáng)能作為一種潔凈和相對(duì)易于獲取的能源在未來(lái)的動(dòng)力產(chǎn)品中將占有越來(lái)越大的比份。如何發(fā)展高光電能量轉(zhuǎn)換效率、高可靠性和低成本的太陽(yáng)能電池是目前太陽(yáng)能利用領(lǐng)域所面臨的關(guān)鍵問(wèn)題。相對(duì)于第一代和第二代太陽(yáng)能電池(轉(zhuǎn)換效率<<50％)，各國(guó)科學(xué)家紛紛研究不同的應(yīng)用于第三代太陽(yáng)能電池的新材料和新結(jié)構(gòu)，目標(biāo)是使光電轉(zhuǎn)換效率大于5 0％。近年來(lái)，一種具有微、納米量級(jí)特殊結(jié)構(gòu)的光伏材料成為太陽(yáng)能電池的研究熱點(diǎn)。利用飛秒脈沖激光在極短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)激發(fā)出極大的峰值能量，其在硅片的相互作用過(guò)程中具有很強(qiáng)的非線性效應(yīng)，聚焦燒蝕硅表面很小的一塊面積，形成規(guī)則排列的微納米結(jié)構(gòu)。這種微納米結(jié)構(gòu)由于表面積增大，對(duì)入射光波有很大的吸收，且對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這些性質(zhì)對(duì)我們提高光電轉(zhuǎn)換效率具有很大的指導(dǎo)意義。這種材料與本底未處理材料的性質(zhì)相比，材料帶隙減小，對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這使得其對(duì)波長(zhǎng)為250—2500 nm的入射光波有大于90％的吸收；另外，黑硅比傳統(tǒng)材質(zhì)的硅的比重低。這些奇特的光電和物理性質(zhì)能進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)光吸收效率，激子光量子效率，化學(xué)電勢(shì)效率以及填充因子計(jì)算總的光電轉(zhuǎn)換效率，普通硅基太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率只有1 5％，而基于微納結(jié)構(gòu)光伏材料的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率可望達(dá)到50%-60%。 針對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展在太陽(yáng)能光伏技術(shù)方面的重大需求，發(fā)展利用超短脈沖激光制備具有優(yōu)異光電轉(zhuǎn)化效率的微納結(jié)構(gòu)光伏材料的新方法，以及通過(guò)探測(cè)光伏材料中非平衡載流子的能帶結(jié)構(gòu)及微分負(fù)電導(dǎo)等特性，探知光伏材料的光電轉(zhuǎn)換效率，從而篩選出轉(zhuǎn)換效率較高的微納結(jié)構(gòu)光伏材料，最終在發(fā)展新型、高效太陽(yáng)能電池的新原理和新技術(shù)方面取得創(chuàng)新性突破，為我國(guó)研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高效第三代光伏電池打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤(pán)激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無(wú)損集成。這種微盤(pán)-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長(zhǎng)場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤(pán)激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無(wú)任何加工損傷；進(jìn)一步，通過(guò)同時(shí)集成多個(gè)片上微盤(pán)激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(zhǎng)(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長(zhǎng)相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長(zhǎng)表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來(lái)光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(huà)(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤(pán)激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無(wú)損集成。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于微納米顆粒表面修飾的裝置，包括：反 應(yīng)腔，其內(nèi)部形成的空腔用于作為前驅(qū)體與微納米顆粒的反應(yīng)空間； 多個(gè)前驅(qū)體供應(yīng)裝置，其分別通過(guò)管道與所述反應(yīng)腔相通以提供不同的前驅(qū)體；載氣輸送系統(tǒng)，前驅(qū)體通過(guò)該載氣輸送系統(tǒng)輸出的載氣輸 送到反應(yīng)腔中；以及粉體顆粒裝載裝置，用于承載待修飾的微納米顆 粒；通過(guò)多個(gè)前驅(qū)體供應(yīng)裝置分別向反應(yīng)腔交替地輸送前驅(qū)體，并進(jìn) 入旋轉(zhuǎn)的粉體顆粒裝載裝置中以與微納米顆粒表面接觸進(jìn)行原子層沉 積反應(yīng)，從而在微納米顆粒的表面形成包覆薄膜，實(shí)現(xiàn)表面修飾。本 發(fā)明還公開(kāi)了利用

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于微景深的焊接拼縫測(cè)量方法，將光學(xué)倍數(shù)大于 2 的相機(jī)相對(duì)焊接拼縫局部表面斜放，在兩次相機(jī)與焊接拼縫局部表面不同間距下對(duì)局部表面拍攝，從拍攝的兩幅圖像中提取清晰帶，分別獲取兩清晰帶垂直于拼縫方向的中心線上每一像點(diǎn)對(duì)應(yīng)的物點(diǎn)在世界坐標(biāo)系下的坐標(biāo)，從而得到世界坐標(biāo)下的兩條直線段，利用兩直線段進(jìn)行平面擬合，即得拼縫局部表面法向矢量值，從其中任一清晰帶中提取拼縫局部表面的邊界，從而得到拼縫局部表面的寬度以及中心坐標(biāo)。本發(fā)明能穩(wěn)定、可靠的測(cè)量出復(fù)雜微細(xì)焊縫的拼縫中心坐標(biāo)、寬度以及局部表面的法