新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和一個隔直電容所構成，每個熱電偶

本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個終端電阻以及熱電堆所構成，熱電堆是由兩種不同的半導體

本發(fā)明的硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器，實現(xiàn)結構包括懸臂梁耦合結構、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結構中，兩個結構相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號的功率相等，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過功率分配器分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功

  該項目在利用微生物細胞中的酶進行生物催化生產(chǎn)手征性化合物時采用過程集成技術，通過分離與反應耦合優(yōu)化生產(chǎn)過程，大大提高了生物催化轉化體系的效率，降低生產(chǎn)成本，簡化生產(chǎn)過程，形成具有自主知識產(chǎn)權的L-蘋果酸與L-丙氨酸創(chuàng)新的生產(chǎn)工藝流程。采用反應與分離耦合技術，對系統(tǒng)整體過程的集成優(yōu)化，可通過分離耦合解決反應過程轉化率低的問題，通

本發(fā)明提供一種經(jīng) GPU 加速的浸沒邊界-格子玻爾茲曼流固耦合模擬方法，步驟如下：在專業(yè)前處 理軟件中建立待測結構體及其內部流體的浸沒邊界體型，并劃分邊界網(wǎng)格以供程序讀??；程序讀取邊界 體型數(shù)據(jù)，設置所需測量點的邊界條件和程序模型參數(shù)；根據(jù)邊界當前時刻構型和參考構型利用有限元 法計算邊界施加在流體上的作用力；將邊界的作用力經(jīng)由狄拉克函數(shù)擴散至周邊流體；利用格子玻爾茲 曼方法求解攜帶外力項的納維-斯托克斯方程；同樣經(jīng)由狄拉克函數(shù)將流體速度插值到邊界上得到邊界 的移動速度，進而更新邊界位置；重復步驟 3-6，直至達到計算終點。本發(fā)明能夠處理任意形狀的結構 體，計算過程中不需要重構底層流體網(wǎng)格，計算效率高。 

本發(fā)明公開了一種耦合運動機構，用于肩部康復訓練裝置中，包括第一肩部組件及與該第一肩部組件可相對轉動的第二肩部組件，其中，第一肩部組件上設置有第一圓盤組件，第二肩部組件上設置有第二圓盤組件，且該第一圓盤組件與第二圓盤組件通過繩索連接，所述第一圓盤組件上的可在第一方向旋轉的可旋轉部件的旋轉可驅動所述第二肩部組件相對該第一肩部組件轉動，從而對所述繩索產(chǎn)生作用力，進而可驅動所述第二圓盤組件上的可旋轉部件在第二方向上的旋轉，從而實現(xiàn)多自由度的耦合運動。本發(fā)明還公開了一種應用上述機構的肩關節(jié)康復訓練裝置。通過本

本實用新型公開了一種耦合運動機構，用于肩部康復訓練裝置中，包括第一肩部組件及與該第一肩部組件可相對轉動的第二肩部組件，其中，第一肩部組件上設置有第一圓盤組件，第二肩部組件上設置有第二圓盤組件，且該第一圓盤組件與第二圓盤組件通過繩索連接，所述第一圓盤組件上的可在第一方向旋轉的可旋轉部件的旋轉可驅動所述第二肩部組件相對該第一肩部組件轉動，從而對所述繩索產(chǎn)生作用力，進而可驅動所述第二圓盤組件上的可旋轉部件在第二方向上的旋轉，從而實現(xiàn)多自由度的耦合運動。本實用新型還公開了一種應用上述機構的肩關節(jié)康復訓練裝置

中國科學技術大學工程學院陳楊研究員、吳東教授、褚家如教授聯(lián)合團隊與新加坡國立大學電氣與計算機工程系Cheng-Wei Qiu教授團隊合作，首次實現(xiàn)弱手性物質誘導下的兩個光學模式之間的強耦合，并理論驗證了對手性物質圓二色性（CD）信號增強三個數(shù)量級。

一種局部自適應可控浸潤性耦合微結構強化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結構頂部設置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場，換熱工質中帶電金屬納米顆粒在電場作用下間歇吸附于換熱表面，實現(xiàn)換熱表面浸潤性的可控轉換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結構為尺寸為納米級或微米級的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術中，所有用于提高換熱效率的微結構均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級或微米級的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結構的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯式排列，或為不規(guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設置絕緣層實現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導電材料時，則無需設置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導熱性。所述電極膜、電極引線材料為導電材料；優(yōu)選為金屬，進一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤性表面；親水、疏水或雙親浸潤性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級、微米級，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤性與換熱基底的浸潤性不同，用于改變換熱表面浸潤性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實現(xiàn)電場可控；交流電源通過控制交流頻率實現(xiàn)電場可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動力學周期調節(jié)。