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本發(fā)明涉及無損檢測(cè)領(lǐng)域，具體涉及一種重構(gòu)非均勻介質(zhì)中的缺陷形狀的方法，具 體包括以下步驟：首先利用超聲波檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)非均勻介質(zhì)，獲得非均勻介質(zhì)中的缺陷回波 幅值，在計(jì)算機(jī)中利用工程計(jì)算軟件進(jìn)行程序編寫，然后輸入相應(yīng)的缺陷回波的幅值即可實(shí) 現(xiàn)非均勻介質(zhì)的缺陷形狀的重構(gòu)；所以本發(fā)明的重構(gòu)非均勻介質(zhì)中缺陷形狀的方法簡(jiǎn)單方 便，能快速、準(zhǔn)確、低成本的重構(gòu)出非均勻介質(zhì)中三維缺陷的形狀。 

成果簡(jiǎn)介： 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對(duì)導(dǎo)電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對(duì)導(dǎo)電金球的深淺、個(gè)數(shù)和偏位進(jìn)行準(zhǔn)確高效的自動(dòng)檢測(cè)，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當(dāng)LCD和驅(qū)動(dòng)芯片之間的導(dǎo)電通道，如金球壓合不好會(huì)造成導(dǎo)電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。 2、特色及先進(jìn)性： 1）金球深淺判斷。導(dǎo)電金球的壓合輕重程度沒有量化指標(biāo)，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數(shù)，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對(duì)應(yīng)無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測(cè)量情況多樣。當(dāng)BUMP比金手指尺寸大的時(shí)候，完全對(duì)準(zhǔn)的情況下看不到金手指，和剛好錯(cuò)開一個(gè)金手指的情況一樣。需保證調(diào)機(jī)良好情況下的3微米精度，對(duì)于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置繁多。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)智能分組的工具，在采集了所有視場(chǎng)的圖像后，將建標(biāo)的時(shí)候識(shí)別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點(diǎn)擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡(jiǎn)化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統(tǒng)的檢測(cè)流程需要根據(jù)被測(cè)屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動(dòng)對(duì)邊后相同特征不同片子產(chǎn)生的位置差異遠(yuǎn)大于線寬線距，則需要添加自動(dòng)尋找定位點(diǎn)，然后將其作為位置起點(diǎn)再進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)。 3、技術(shù)指標(biāo)： 金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數(shù)：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時(shí)間：2秒 ；計(jì)算時(shí)間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個(gè)；單個(gè)引腳金球個(gè)數(shù)：10~50個(gè)；整機(jī)檢測(cè)效率：一代機(jī)5 s，二代機(jī)3.5 s 4、關(guān)鍵問題和實(shí)施效果： 目前傳統(tǒng)液晶屏和觸摸屏生產(chǎn)線上，對(duì)于ACF熱壓后的金球壓合質(zhì)量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進(jìn)行人工檢測(cè)，8-10片抽檢一片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的全檢，一臺(tái)設(shè)備相當(dāng)于8-10個(gè)人，對(duì)于提高產(chǎn)能提升產(chǎn)品質(zhì)量具有非常重大的意義。該設(shè)備采用線陣相機(jī)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)0.7微米分辨率的圖像采集，其光學(xué)采集部分如下圖所示。

一種表面缺陷電磁超聲檢測(cè)方法，屬于無損檢測(cè)技術(shù)，解決現(xiàn) 有電磁超聲檢測(cè)方法中提離距離的變化影響檢測(cè)準(zhǔn)確度的問題。本發(fā) 明通過改變電磁超聲傳感器檢測(cè)探頭的提離距離，測(cè)量不同提離距離 下標(biāo)準(zhǔn)試樣的信號(hào)，并進(jìn)行信號(hào)處理，得到提離斜率，利用不同缺陷 深度下提離斜率與缺陷深度的關(guān)系，建立相應(yīng)的擬合函數(shù)；將檢測(cè)待 測(cè)缺陷所得到的提離斜率代入所述擬合函數(shù)，達(dá)到定量檢測(cè)缺陷的目 的。本發(fā)明簡(jiǎn)單易行，與現(xiàn)有的采用峰峰值強(qiáng)度和透射系數(shù)定量檢測(cè) 缺陷的方法相比，本發(fā)明可以減少檢測(cè)探頭提離距離的影響，而且不 用在檢測(cè)過程中

石墨烯中電子除了自旋這個(gè)內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡(jiǎn)單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對(duì)材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長(zhǎng)期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對(duì)石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實(shí)石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)其自旋磁矩調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測(cè)到石墨烯中單原子缺陷引入的對(duì)稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測(cè)量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實(shí)空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對(duì)于電子自旋有很多有意思的可觀測(cè)物理現(xiàn)象，那么對(duì)應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測(cè)的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準(zhǔn)粒子在石墨烯手性不同的兩個(gè)谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個(gè)原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測(cè)量需要借助于外加磁場(chǎng)，因?yàn)榇艌?chǎng)可以驅(qū)動(dòng)準(zhǔn)粒子沿閉合的軌跡絕熱運(yùn)動(dòng)，所以這一的結(jié)果提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的方法測(cè)量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測(cè)量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實(shí)空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測(cè)量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對(duì)雙層石墨烯進(jìn)行了詳細(xì)的研究，并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進(jìn)一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

石墨烯中電子除了自旋這個(gè)內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡(jiǎn)單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對(duì)材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學(xué)系何林教授課題組長(zhǎng)期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對(duì)石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關(guān)的電學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實(shí)石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)其自旋磁矩調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測(cè)到石墨烯中單原子缺陷引入的對(duì)稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測(cè)量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實(shí)空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學(xué)形式上類似于自旋。對(duì)于電子自旋有很多有意思的可觀測(cè)物理現(xiàn)象，那么對(duì)應(yīng)石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測(cè)的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準(zhǔn)粒子在石墨烯手性不同的兩個(gè)谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個(gè)原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測(cè)量需要借助于外加磁場(chǎng)，因?yàn)榇艌?chǎng)可以驅(qū)動(dòng)準(zhǔn)粒子沿閉合的軌跡絕熱運(yùn)動(dòng)，所以這一的結(jié)果提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的方法測(cè)量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測(cè)量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實(shí)空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測(cè)量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對(duì)雙層石墨烯進(jìn)行了詳細(xì)的研究，并將相關(guān)結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進(jìn)一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

本發(fā)明公開了一種缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學(xué)超材料板，包括彈性薄膜，兩塊復(fù)合材料板以及若干個(gè)質(zhì)量片，其中，兩塊所述復(fù)合材料板分別粘接于彈性薄膜上下兩側(cè)，所述復(fù)合材料板上設(shè)置有周期性排列的開口，若干個(gè)所述質(zhì)量片分別設(shè)置于開口處的彈性薄膜上，所述質(zhì)量片在分布中具有缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學(xué)超材料板，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)性好，所使用基礎(chǔ)材料皆為常規(guī)材料，易于批量化加工、生產(chǎn)，值得在業(yè)內(nèi)推廣。

本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識(shí)別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個(gè)步驟：步驟 一，對(duì)采集到的芯片圖片進(jìn)行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對(duì)圖片進(jìn)行截取；步驟二，對(duì)截取獲得的圖片進(jìn)行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對(duì)經(jīng)過預(yù)處理的圖片進(jìn)行分割， 獲取 blob 塊，對(duì) blob 塊進(jìn)行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對(duì)面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點(diǎn)以及四邊中點(diǎn)的位置，以中心點(diǎn)以及四邊

?  成果簡(jiǎn)介：磁記憶檢測(cè)技術(shù)是一種新型無損檢測(cè)技術(shù)，被譽(yù)為二十一世紀(jì)最有前景的綠色診斷技術(shù)。該技術(shù)可以對(duì)鐵磁性構(gòu)件和機(jī)械零部件受損程度進(jìn)行快速診斷，在檢測(cè)時(shí)不要求清理金屬表面和進(jìn)行人工磁化等預(yù)先處理，可以完成疲勞損傷的早期診斷，壽命評(píng)估和設(shè)備可靠性診斷。可以高精度確定滋生裂紋的位置、方向以及定位已生成的裂紋。可以有效發(fā)現(xiàn)超聲、渦流、漏磁等其它無損檢測(cè)方法難以察覺的微觀缺陷。該系統(tǒng)由探頭、調(diào)理電路、計(jì)算機(jī)、信號(hào)處理軟件等部分組成，可以根據(jù)需要，做成各種結(jié)構(gòu)的檢測(cè)裝置，如多探頭、單

該系統(tǒng)可對(duì)鋼輪轂中的焊縫缺陷進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別和判斷，并對(duì)缺陷大小進(jìn)行自動(dòng)統(tǒng)計(jì)，從而自動(dòng)判斷是否合格。其控制軟件具有圖像采集、數(shù)據(jù)通信、數(shù)據(jù)及工藝文件存儲(chǔ)、合格不合格統(tǒng)計(jì)及數(shù)據(jù)庫查詢、圖像的自動(dòng)處理與模式識(shí)別、加密、打印及幫助等功能。