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利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
成果簡介： 最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。 傳統的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發下發出黃色的光，通過藍光和黃光復合產生白光，但這種粉體不能應用于高能量的紫外LED芯片產生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區別，但在紫外光365nm激發下，不僅呈現出黃光發射，而且具有藍光發射，通過調控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發射出CIE坐標（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發出藍光和黃光兩種波段，進而復合產生白光，工藝簡單，技術領先。
電子科技大學
2017-10-23
一種產生寬譜帶可連續調諧相干極紫外光源的方法及裝置
本發明公開一種產生寬譜帶可連續調諧相干極紫外光源的方法及裝置，所述方法為：產生飛秒激光光束,將激光光束聚焦于工作氣體處，在真空環境下所述激光光束與所述工作氣體相互作用產生高次諧波；調整所述激光光束的入射能量或所述工作氣體的氣壓，以改變高次諧波的相位匹配條件，使得高次諧波頻率發生紅移或藍移，從而實現極紫外光源各階次諧波輻射波長的連續調諧。本發明還提供了實現上述方法的裝置。實施本發明可實現極紫外光源各階次諧波輻射波長的連續調諧。
華中科技大學
2021-04-14
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法
本發明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。
東南大學
2021-04-11
安徽大學謝峰老師課題組在寬禁帶半導體紫外探測和激光器研制方面取得新進展
近期，信息材料與智能感知安徽省實驗室謝峰老師課題組在寬禁帶半導體日盲紫外探測器和白光激光器研究方面取得新進展，相關研究成果相繼發表在國際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學信息材料與智能感知安徽省實驗室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。
安徽大學
2022-08-26