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近年來(lái)二維磁性材料由于其豐富的物理性能以及廣闊的應(yīng)用前景吸引了廣泛的關(guān)注。在眾多的二維磁性材料中，CrI3由于層間反鐵磁相互作用弱，可以通過(guò)外加磁場(chǎng)、電場(chǎng)、摻雜與壓力等外部手段進(jìn)行調(diào)控，使得其在磁電存儲(chǔ)、自旋濾波、自旋晶體管等方面展現(xiàn)了潛在的應(yīng)用價(jià)值，從而成為近幾年來(lái)的研究焦點(diǎn)。 除了應(yīng)用前景以外，二維磁性材料還有許多新奇的物理性質(zhì)，例如最近人們?cè)陔p層CrI3中，發(fā)現(xiàn)層間反鐵磁序破壞了

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)和方法，包括充電樁、設(shè)于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號(hào)連接；信號(hào)處理模塊通過(guò)通信模塊與云 服務(wù)器信號(hào)連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了非接觸式的充電樁控制，簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車(chē)的充電操作，方便了運(yùn)營(yíng)商對(duì) 充電樁的管理，并可實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守情況下充電費(fèi)率的自動(dòng)調(diào)節(jié)，從而促進(jìn)城市智能充電網(wǎng)絡(luò)的

本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納

本發(fā)明公開(kāi)了一種聚((甲基)丙烯酸-b-丁二烯)嵌段共聚物及其制備方法。它是將0.5～10重量份的雙親性大分子可逆加成斷裂鏈轉(zhuǎn)移試劑加到20～80重量份水中,形成水相;將水相和0.001～0.05重量份引發(fā)劑一起移入高壓反應(yīng)釜,攪拌中通氮?dú)馀叛?0～30分鐘,抽真空,重復(fù)2～3次,加入5～30重量份丁二烯,加熱升溫至60～80℃,聚合反應(yīng)3～20小時(shí),冷卻出料。本發(fā)明流程設(shè)備簡(jiǎn)單,過(guò)程環(huán)保節(jié)能,產(chǎn)物聚((甲基)丙烯酸-b-丁二烯)嵌段共聚物在膠粘劑、相容劑、分散劑等許多領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。

徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓?fù)洳牧系姆诸?lèi)越來(lái)越豐富和多樣化。到目前為止，拓?fù)洳牧系难芯恐饕性谫M(fèi)米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進(jìn)一步發(fā)展，拓?fù)涞牟Ｉ酉到y(tǒng)也越來(lái)越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓?fù)洮F(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓?fù)渎曌拥难芯肯鄬?duì)緩慢。理論研究表明，拓?fù)渎曌訉?duì)研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓?fù)渎曌訜崞骷染哂兄匾饔?。因此，在現(xiàn)實(shí)材料中尋找拓?fù)渎曌討B(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類(lèi)似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓?fù)溥吘墤B(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計(jì)算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對(duì)進(jìn)一步研究拓?fù)渎曌討B(tài)以及其實(shí)際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓?fù)洳牧系睦碚擃A(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。

本發(fā)明涉及一種檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法，尤其是一種檢測(cè)氣體中鄰苯二甲酸酯含量的裝置及方法。裝置包括：真空泵、抽氣管、緩沖罐、顆粒過(guò)濾裝置和吸附塔，顆粒過(guò)濾裝置與吸附塔連接，吸附塔與緩沖罐連接，真空泵通過(guò)抽氣管與緩沖罐相連接，顆粒過(guò)濾裝置中橫置有第一多孔隔板，第一多孔隔板上平鋪有活化后的玻璃纖維濾膜，吸附塔至少為一個(gè)，每個(gè)吸附塔中均橫置有第二多孔隔板，第二多孔隔板上設(shè)置有不銹鋼網(wǎng)，不銹鋼網(wǎng)上承載有吸附樹(shù)脂。它可使檢測(cè)濃度在最大程度上接近真實(shí)濃度，可適應(yīng)不同的檢測(cè)環(huán)境，可使進(jìn)樣氣體流速、流量保持穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于安裝操作，不易引入外源污染物，也不會(huì)污染樣品，不必消耗大量的有機(jī)溶劑，更加環(huán)保。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

PH06是一款無(wú)源同軸塑殼吸（吊）頂音箱，由5個(gè)1寸的釹磁球頂高音單元和1個(gè)6.5寸釹磁中低音單元構(gòu)成一個(gè)動(dòng)態(tài)余量極大的組合，高音同軸弧形陣列式排布在中低音上方，聲像定位更準(zhǔn)，減少墻壁和地板的反射，聲場(chǎng)覆蓋均勻。產(chǎn)品完全自主創(chuàng)新設(shè)計(jì)，已申請(qǐng)專(zhuān)利。音色清晰明亮、厚實(shí)飽滿(mǎn)，可外漏頂部吊掛式安裝，也可以半隱藏頂部鎖扣固定式安裝，可以完美應(yīng)用于各類(lèi)室內(nèi)擴(kuò)聲場(chǎng)合。

本發(fā)明涉及一種四氧化三鈷納米線(xiàn)陣列、其制備方法以及作為鋰離子電池負(fù)極的用途。該四氧化三鈷納米線(xiàn)陣列，其形貌為菱形結(jié)構(gòu)，菱形的邊長(zhǎng)為100nm~500nm，菱形內(nèi)角的銳角為30°~60°，陣列長(zhǎng)度為5μm~20μm。本發(fā)明還提供了制備該四氧化三鈷納米線(xiàn)陣列的方法，以一定摩爾比的鈷鹽、化學(xué)結(jié)合劑、堿性反應(yīng)物和水在常溫下進(jìn)行混合攪拌，將混合均勻的溶液移入反應(yīng)釜中，并將干凈的襯底置于溶液中進(jìn)行水熱反應(yīng)后取出沖洗，再在惰性氣氛中熱處理，得到四氧化三鈷納米線(xiàn)陣列。本發(fā)明的四氧化三鈷納米線(xiàn)陣列可直接作為鋰離子電池負(fù)極，能明顯提高電池的比容量和循環(huán)性能，放電容量高達(dá)1000mAh/g以上，是一種理想的鋰離子電池電極材料。