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XM-WZ外周穿刺、中心靜脈穿刺插管模型 ? 一、功能特點(diǎn)： ■ XM-WZ外周穿刺、中心靜脈穿刺插管模型采用高分子材料制成，膚質(zhì)仿真度高。 ■ 模型為成人上半身軀干，右側(cè)上臂至腕部，取仰臥頭低位，頭偏向?qū)?cè)。 ■ 有明顯的體表標(biāo)志，包括鎖骨、胸骨上切跡和肋骨以及胸鎖乳突肌。 ■ 具有逼真的血管結(jié)構(gòu)，主要包括上腔靜脈、頸內(nèi)靜脈、鎖骨下靜脈、頭靜脈、貴要靜脈和肘正中靜脈等。 ■ 可進(jìn)行鎖骨下靜脈穿刺及頸內(nèi)靜脈穿刺，也可進(jìn)行肘窩靜脈穿刺，進(jìn)針有明顯的落空感。 ■ 可進(jìn)行心臟漂浮(Swan-Ganz)導(dǎo)管的插管練習(xí)。 ■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。 ■ 皮膚和靜脈血管可更換。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 外周穿刺、中心靜脈穿刺插管模型：1臺(tái) ■ 說(shuō)明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

本實(shí)用新型公開了一種光伏全覆蓋式漁光互補(bǔ)高密度魚類養(yǎng)殖系統(tǒng)，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)和魚類集約養(yǎng)殖系統(tǒng)，光伏發(fā)電系統(tǒng)包括太陽(yáng)能電池組件、光伏支架、防雷匯流箱、逆變器集成工作箱、升壓變壓器、電網(wǎng)、充放電控制器、蓄電池組和逆變器；魚類集約養(yǎng)殖系統(tǒng)包括提水增氧推水機(jī)、底增氧設(shè)備、吸污設(shè)備、增氧推水區(qū)、養(yǎng)殖區(qū)、糞便收集區(qū)、水質(zhì)凈化區(qū)、攔魚柵網(wǎng)片、養(yǎng)殖設(shè)施墻體、水流導(dǎo)向設(shè)施，太陽(yáng)能電池組件安裝在整個(gè)魚塘上部，太陽(yáng)能電池組件的光伏板以陣列方式安裝，陣列之間設(shè)4~12米的間距。本實(shí)用新型的光伏發(fā)電與魚類露天式集約養(yǎng)殖一體化復(fù)合生產(chǎn)系統(tǒng)，能有效提高水面利用效率，大幅提高單位水面面積的經(jīng)濟(jì)效益，為河網(wǎng)地區(qū)水域資源利用提供一種重要途徑。

本實(shí)用新型公開了一種基于偏振光相位調(diào)制的結(jié)構(gòu)光生成裝置。激光器發(fā)出線偏振光的光束入射到半波片上，經(jīng)過(guò)半波片偏振方向旋轉(zhuǎn)角度，再到電光相位調(diào)制器中分解成兩個(gè)偏振分量，被電光相位調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生相位差，接著經(jīng)擴(kuò)束鏡擴(kuò)束后入射到左、右偏振分光鏡拼接后形成的端面中間讓調(diào)制后的光束透過(guò)，然后兩路光束入射到偏振片上僅透過(guò)沿其光軸方向的分量形成一路光束，最終聚焦在聚焦鏡的焦點(diǎn)處發(fā)生干涉。本實(shí)用新型能應(yīng)用到熒光顯微成像上，能獲得更好的熒光信號(hào)信噪比和更強(qiáng)的組織內(nèi)部大深度成像能力。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹照度傳感器產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品介紹  GZD系統(tǒng)光照度變送器采用對(duì)弱光也有較高靈敏度的硅蘭光伏探測(cè)器作為傳感器；具有測(cè)量范圍寬、線形度好、防水性能好、使用方便、便于安裝、傳輸距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，適用于各種場(chǎng)所,尤其適用于農(nóng)業(yè)大棚、城市照明等場(chǎng)所。根據(jù)不同的測(cè)量場(chǎng)所，配合不同的量程，線性度好、  防水性能好 、可靠性高、  結(jié)構(gòu)美觀、安裝使用方便、抗干擾能力強(qiáng)。 使用標(biāo)準(zhǔn) 1個(gè)單位的照度大約為1個(gè)燭光在1米距離的光亮度。 夏日晴天強(qiáng)光下照度為10萬(wàn) Lux（3～30萬(wàn)Lux）； 陰天光照度為1萬(wàn) Lux； 日出、日落光照強(qiáng)度為    300～400Lux； 室內(nèi)日光燈照度為         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（陰暗的夜晚） 以上參數(shù)公供參考   技術(shù)參數(shù):   供電電壓：          12VDC～30VDC 感光體：         帶濾光片的硅藍(lán)光伏探測(cè)器； 波長(zhǎng)測(cè)量范圍：         380nm～730nm；   準(zhǔn) 確 度：                   ±7％ 重復(fù)測(cè)試：                  ±5%； 溫度特性：                 ±0.5%/℃；   測(cè)量范圍：                0～200000Lux   輸出形式：           二線制4～20mA電流輸出 三線制0～5V電壓輸出 液晶顯示輸出 232/485網(wǎng)絡(luò)輸出   使用環(huán)境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（帶液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不帶液晶) 大氣壓力： 80～110kPa 聯(lián)系我們： 電話： （010）57167501/7502 網(wǎng)址：   www.diysensor.com 手機(jī):  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)奧運(yùn)9#院  

未來(lái)裝配式建筑構(gòu)件若實(shí)現(xiàn)工業(yè)化、標(biāo)準(zhǔn)化和智能化制造，關(guān)鍵環(huán)節(jié)是要求構(gòu)件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復(fù)使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡(jiǎn)化預(yù)制混凝土構(gòu)件模具安裝而設(shè)計(jì)開發(fā)的一種新型無(wú)損模具固定裝置，旨在解決傳統(tǒng)螺栓錨定對(duì)生產(chǎn)平臺(tái)的破壞性、難拆卸、通用性差的技術(shù)難題。

為了追求極限性能，越來(lái)越多的電子系統(tǒng)需要在低溫條件下工作。例如，在量子計(jì)算機(jī)、高性能傳感器、深空觀測(cè)以及一些經(jīng)典信息處理系統(tǒng)中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區(qū)的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實(shí)現(xiàn)接近量子極限的性能。對(duì)于這一類低溫系統(tǒng)，信號(hào)讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導(dǎo)數(shù)字電路SFQ（單磁通量子技術(shù)）來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算和處理；第二種是將信號(hào)傳送至幾十K的溫區(qū)，再采用低溫CMOS技術(shù)對(duì)進(jìn)行信號(hào)處理。然而，不論采用何種技術(shù)路徑，數(shù)字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內(nèi)，從而保持極低溫的工作環(huán)境，維持低溫器件的高性能。隨著應(yīng)用需求的提高和低溫陣列器件規(guī)模的擴(kuò)大，低溫電子系統(tǒng)性能受到信號(hào)處理和傳輸技術(shù)的制約，急切需要新的方案進(jìn)行解決。 圖1. (a) 采用超導(dǎo)納米線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的12門控或邏輯門；(b) 超導(dǎo)納米線數(shù)字編碼器芯片照片。針對(duì)此問(wèn)題，南京大學(xué)吳培亨院士領(lǐng)導(dǎo)的超導(dǎo)電子學(xué)研究所團(tuán)隊(duì)，趙清源教授和康琳教授課題組設(shè)計(jì)出新型多門控超導(dǎo)納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經(jīng)典二進(jìn)制數(shù)字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時(shí)，他們還利用此編碼器對(duì)超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器陣列實(shí)現(xiàn)數(shù)字化讀出，為低溫陣列探測(cè)器的信號(hào)讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導(dǎo)納米線邏輯芯片實(shí)現(xiàn)對(duì)單光子探測(cè)器陣列的數(shù)字化讀取。半導(dǎo)體數(shù)字電路，經(jīng)歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規(guī)模集成電路的發(fā)展過(guò)程。每一代技術(shù)的升級(jí)變革，其核心推力都是基礎(chǔ)邏輯器件的更新?lián)Q代。前沿技術(shù)領(lǐng)域?qū)Τ瑢?dǎo)電子器件的應(yīng)用需求，也正將超導(dǎo)電子技術(shù)推向數(shù)字化的發(fā)展時(shí)代。南京大學(xué)吳培亨院士團(tuán)隊(duì)基于超導(dǎo)納米線技術(shù)，開展了新型超導(dǎo)邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導(dǎo)相變，實(shí)現(xiàn)高速低功耗的開關(guān)邏輯。

① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發(fā)的方法，得到一維的酞菁納米線；② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對(duì) 808 nm光敏感，可以迅速產(chǎn)生響應(yīng)，恢復(fù)時(shí)間短，課重復(fù)響應(yīng)。

在利用太陽(yáng)能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進(jìn)展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個(gè)光敏中心多個(gè)催化中心產(chǎn)氫器件構(gòu)筑的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將其植入到金屬有機(jī)框架材料中，模擬自然界酶催化環(huán)境中質(zhì)子和電子的傳輸與轉(zhuǎn)移，在有效規(guī)避分子基催化劑穩(wěn)定性差的同時(shí)，極大地提高了光催化產(chǎn)氫性能，為人工模擬光催化劑的設(shè)計(jì)和構(gòu)筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽(yáng)能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實(shí)現(xiàn)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為清潔的化學(xué)能，解決人類社會(huì)面臨的能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題的理想途徑。在早期，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了空間上相互獨(dú)立、功能上相互等價(jià)，集合8個(gè)光敏金屬有機(jī)釕中心和6個(gè)催化Pd2+中心于一體的金屬-有機(jī)分子籠產(chǎn)氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內(nèi)構(gòu)筑出多個(gè)相互獨(dú)立的能量傳遞和電子轉(zhuǎn)移通道，獲得了高達(dá)380 μmol h-1的初始產(chǎn)氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機(jī)分子籠提高了分子基催化劑的產(chǎn)氫性能，但光照條件下的穩(wěn)定性仍然是制約其進(jìn)一步應(yīng)用的決定因素。       最近，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)又基于配位組裝策略實(shí)現(xiàn)了Au25(SG)18納米簇在金屬有機(jī)ZIF-8主體框架內(nèi)部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內(nèi)，進(jìn)一步將ZIF-8轉(zhuǎn)化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。