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本發(fā)明公開(kāi)了一種旋轉(zhuǎn)軸系中軸承孔系的布置方法，通過(guò)對(duì)支 撐旋轉(zhuǎn)軸系各軸承的軸承孔軸線的位置和偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行布置，使單個(gè) 軸承沿周向同一位置、軸向的不同位置所受應(yīng)力或壓強(qiáng)基本一致，從 而實(shí)現(xiàn)對(duì)旋轉(zhuǎn)軸系的支撐并消除軸系軸承自身的偏磨，其特征在于， 所述各軸承按照順應(yīng)軸承的軸承孔型心處的軸系撓度曲線安裝布置。 本發(fā)明的方法針對(duì)軸承孔有 3 個(gè)或 3 個(gè)以上、軸系的撓度曲線在軸承 孔型心處的撓度值和轉(zhuǎn)角值超過(guò)制造公差和回轉(zhuǎn)使用公差的工作狀況 的旋轉(zhuǎn)軸系，在穩(wěn)定負(fù)載的條件

可以量產(chǎn)/n將常規(guī)育種和小孢子培養(yǎng)結(jié)合選育出了品質(zhì)優(yōu)良、經(jīng)濟(jì)性狀和農(nóng)藝性狀優(yōu)良的ECMS兩用系8110A、195A和245A等，將輪回選擇和小孢子培養(yǎng)結(jié)合選育出了品質(zhì)優(yōu)、經(jīng)濟(jì)性狀和農(nóng)藝性狀好的恢復(fù)系8759、1815、4270、9926等。并利用這些不育系和恢復(fù)系培育出"華油雜10號(hào)"等多個(gè)高產(chǎn)、優(yōu)質(zhì)、高抗的雜交品種。應(yīng)用前景：以"華油雜10號(hào)"為例，該品種取得了連續(xù)兩年國(guó)家區(qū)域試驗(yàn)參試品種產(chǎn)量第一的優(yōu)異表現(xiàn)，增產(chǎn)幅度達(dá)到20%以上，品質(zhì)優(yōu)于國(guó)家雙低油菜質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，含油量比對(duì)照提高2-3%，抗性與對(duì)照

所屬行業(yè)領(lǐng)域 鋁及鋁合金的釬焊材料 成果介紹 本研究成果是涉及一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點(diǎn)鋁基釬料及其制備方法，釬料合金中主要添加元素為Si、Ge、Zn，旨在解決當(dāng)前鋁基釬料所面臨的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題：1、熔化溫度低的加工成型性差（如Al-Si-Cu、Al-Ag-Cu等）；2、加工成型性好的熔化溫度高（如Al-12Si）。這兩大關(guān)鍵問(wèn)題直接制約著釬料合金的制備和使用，到目前為止，大量的性能

主要應(yīng)用領(lǐng)域：國(guó)防以及電力部門 特點(diǎn)： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級(jí)電磁脈沖場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為ns量級(jí)的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測(cè)量；線性測(cè)量范圍從100 V/m到超過(guò)100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級(jí)電磁脈沖場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要技術(shù)指標(biāo)：能夠?qū)ι仙龝r(shí)間、半寬均為μs量級(jí)的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進(jìn)行時(shí)域波形測(cè)量；線性測(cè)量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續(xù)波電場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng) 主要要技術(shù)指標(biāo)：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達(dá)20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學(xué)器件，部分取代電子學(xué)集成電路中的信號(hào)處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學(xué)器件具有像電子學(xué)集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時(shí)具有和電子學(xué)集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個(gè)世界性的難題。 光學(xué)所張家森教授團(tuán)隊(duì)與信息科學(xué)學(xué)院彭練矛教授團(tuán)隊(duì)合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長(zhǎng)和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無(wú)法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學(xué)》雜志。 相關(guān)文獻(xiàn)：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對(duì)微鉆在使用過(guò)程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結(jié)成微鉆硬質(zhì)合金的過(guò)程中，出現(xiàn)WC晶粒異常長(zhǎng)大，帶來(lái)性能的明顯降低這個(gè)問(wèn)題，研究了添加特種晶粒長(zhǎng)大抑制劑的作用和燒結(jié)過(guò)程優(yōu)化研究。現(xiàn)已能批量生產(chǎn)Ф3.75標(biāo)準(zhǔn)微鉆生產(chǎn)用納米晶硬質(zhì)合金棒材，該棒材強(qiáng)度高、硬度高、壽命長(zhǎng)、加工性能好、實(shí)物質(zhì)量水平已達(dá)同類產(chǎn)品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進(jìn)水平。市場(chǎng)前景分析：硬質(zhì)合金生產(chǎn)廠家生產(chǎn)納米硬質(zhì)合金制品，特別是為國(guó)內(nèi)需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質(zhì)合金棒材的生產(chǎn)。 2005年消耗量超過(guò)1000萬(wàn)只的PCB企業(yè)有16家，超過(guò)500萬(wàn)只的企業(yè)近40家。國(guó)內(nèi)PCB行業(yè)2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購(gòu)資金超過(guò)40億元，微鉆使用壽命短和鉆機(jī)換刀頻繁已成為制約整個(gè)PCB業(yè)提升利潤(rùn)空間和產(chǎn)出效率的瓶頸。市場(chǎng)迫切需要鉆孔質(zhì)量好、使用壽命高、價(jià)格適中的PCB微鉆產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)PCB微鉆生產(chǎn)用硬質(zhì)合金棒材每年需求量約200萬(wàn)公斤，一半以上需要進(jìn)口，需求量巨大。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：橫斷面彎曲強(qiáng)度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

通過(guò)對(duì)懸浮劑制備、貯存過(guò)程中存在質(zhì)量問(wèn)題的研究，確定出 優(yōu)化了的懸浮劑穩(wěn)定配方，解決了懸浮劑貯存過(guò)程中分層、析水率不合格、奧 氏熟化、結(jié)塊等問(wèn)題，并通過(guò)系統(tǒng)研究懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建、探討懸浮劑穩(wěn)定 機(jī)理、加工工藝及影響因素，集成了懸浮劑的研發(fā)應(yīng)用技術(shù)，為農(nóng)藥懸浮劑生 產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和推廣應(yīng)用提供指導(dǎo)，從而能夠應(yīng)用于農(nóng)業(yè)的病蟲草害防治 領(lǐng)域。研究成果在配方篩選方法、穩(wěn)定體系構(gòu)建、加工工藝以及藥效研究等方 面取得了多項(xiàng)創(chuàng)新，為開(kāi)發(fā)新型環(huán)保穩(wěn)定的懸浮劑產(chǎn)品提供了先進(jìn)的指導(dǎo)，必青島農(nóng)業(yè)大學(xué)科技成果介紹 2017 －58－ 將推動(dòng)農(nóng)藥懸浮劑的可持續(xù)發(fā)展。 本項(xiàng)目經(jīng)專家鑒定達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。利用農(nóng)藥懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建與集 成應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)相應(yīng)懸浮劑產(chǎn)品，對(duì)農(nóng)藥制劑行業(yè)的發(fā)展以及綠色農(nóng)業(yè)發(fā)展具 有重要指導(dǎo)意義。 

該項(xiàng)目是精神病學(xué)與精神衛(wèi)生學(xué)臨床、軟件工程和數(shù)據(jù)工程交叉方向，探討臨床研究業(yè)務(wù)過(guò)程與數(shù)據(jù)一體化集成平臺(tái)的建設(shè)與實(shí)施，優(yōu)化臨床研究數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)、交換、可視化和分析決策，為臨床研究提供更科學(xué)更高效的支撐方法與手段。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長(zhǎng)與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問(wèn)題，英國(guó)布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國(guó)馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過(guò)可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過(guò)單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過(guò)硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過(guò)普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無(wú)損集成。這種微盤-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長(zhǎng)場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無(wú)任何加工損傷；進(jìn)一步，通過(guò)同時(shí)集成多個(gè)片上微盤激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(zhǎng)(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長(zhǎng)相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長(zhǎng)表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來(lái)光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無(wú)損集成。