|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種微流控芯片的封裝方法
本發(fā)明公開了一種微流控芯片的封裝方法，用于對(duì)具有微通道 結(jié)構(gòu)的微米級(jí)基片和與基片相固定連接的蓋片進(jìn)行封裝得到微流控芯 片，包括下述步驟，S1 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備基片與蓋片；S2 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備與其圖案相同的自蔓延多層膜；S3 分別 將進(jìn)行表面處理后的所述基片和所述蓋片層疊在所述自蔓延多層膜兩 側(cè)面以形成封裝結(jié)構(gòu)；S4 對(duì)所述封裝結(jié)構(gòu)施加壓力并引燃所述自蔓延 多層膜，燃燒引起材料融化實(shí)現(xiàn)所述基片和所
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)方法
本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)方法，該方法包括: 在工作中，運(yùn)輸傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工作區(qū)域，調(diào) 整位姿之后，啟動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制，使探針與待 測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可以對(duì)其進(jìn)行 檢測(cè)。按照本發(fā)明的在線檢測(cè)方法，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電 機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 了倒裝 LED 芯片的高速精密測(cè)試，加快了芯片的檢測(cè)效率。按照本發(fā)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
行業(yè)協(xié)作機(jī)器人及先進(jìn)控制芯片模組
發(fā)揮上海交大自動(dòng)化系在預(yù)測(cè)控制多年的積累和優(yōu)勢(shì)，開創(chuàng)性地應(yīng)用非馮諾依曼架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的電機(jī)控制診斷模組，全球范圍內(nèi)首度實(shí)現(xiàn)控制器和診斷器的一體化，首度高性能AI芯片應(yīng)用到一體化關(guān)節(jié)，從基于存算一體電控芯片模組打造協(xié)作機(jī)械臂及路橋焊接工作站，到實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用芯片流片
上海交通大學(xué)
2023-05-09
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本實(shí)用新型公開了一種倒裝 LED 芯片測(cè)試裝置，該裝置包括：工作臺(tái)模塊、運(yùn)輸傳輸組件、收光測(cè)試組件、探針測(cè)試平臺(tái)以及精密對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳輸組件可以運(yùn)輸待測(cè)試倒裝 LED芯片到合適的工作區(qū)域，使待測(cè)試倒裝 LED 芯片對(duì)準(zhǔn)收光測(cè)試組件的收光口處，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探針測(cè)試平臺(tái)，使探針與待測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本實(shí)用新型的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了倒裝 LED芯
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本實(shí)用新型公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置，其包括：工作臺(tái)模塊、收光測(cè)試組件、運(yùn)輸傳輸組件、探針測(cè)試平臺(tái)、精密對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工作區(qū)域，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制，使探針與待測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本實(shí)用新型的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了倒裝 LED 芯片的高速精密測(cè)試，加快了芯片的檢測(cè)效率。按照本
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
GPS/BDS衛(wèi)星授時(shí)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)具有定位和授時(shí)功能，該項(xiàng)目專注于普通民用衛(wèi)星授時(shí)市場(chǎng)，研發(fā)衛(wèi)星授時(shí)專用芯片。由于省去了定位計(jì)算，與常用的衛(wèi)星導(dǎo)航芯片相比，在授時(shí)應(yīng)用時(shí)，該芯片的成本、功耗均可節(jié)約75%以上。芯片支持GPS和BDS，授時(shí)精度優(yōu)于20ms，可廣泛應(yīng)用于普通家用電子鐘、車載電子鐘、電子廣告牌、計(jì)時(shí)收費(fèi)設(shè)備、智能電表、工業(yè)自動(dòng)化控制及智慧農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。 芯片可提供24個(gè)時(shí)區(qū)格林威治時(shí)間，無需用戶進(jìn)行時(shí)區(qū)換算；提供年月日時(shí)分秒星期及中國(guó)的陰歷，免去了萬年歷的換算；具有守時(shí)功能，無需額外授時(shí)電路；提供
北京交通大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
集成低電壓電泳生化分析系統(tǒng)芯片
深入了研究低電壓芯片電泳的理論原理和控制方法，開展了低電壓電泳分離檢測(cè)相關(guān)基礎(chǔ)理論與關(guān)鍵加工技術(shù)的研究。通過芯片微流道中流體的電場(chǎng)和流場(chǎng)等的模擬分析，對(duì)低電壓電泳芯片進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提出集成非接觸高頻電導(dǎo)檢測(cè)器的硅基低電壓電泳芯片和玻璃基低電壓電泳芯片的新結(jié)構(gòu)；突破了SOI硅基芯片側(cè)壁微電極陣列及其與高頻非接觸電導(dǎo)檢測(cè)器一體化三維集成等關(guān)鍵加工技術(shù)，研發(fā)出基于SOI的集成低電壓電泳芯片和集成光學(xué)濾色薄膜的玻璃基低電壓電泳芯片的兩套加工工藝；成功研制出柱端集成非接觸高頻電導(dǎo)檢測(cè)器的兩種低電壓電泳芯片
重慶大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
一種柔性視網(wǎng)膜芯片及其制備方法
本發(fā)明公開了一種柔性視網(wǎng)膜芯片。頂層和底層聚合物薄膜之間設(shè)置有規(guī)則分布的硅島和通孔，硅島內(nèi)含有用于模擬生理性功能的功能單元，通孔與硅島交錯(cuò)分布，硅島與頂層聚合物薄膜之間設(shè)置有引線層；底層聚合物薄膜上的空隙處與頂層聚合物薄膜緊密粘合于一起；電極為功能單元的一部分、或者位于頂層聚合物薄膜或底層聚合物薄膜上。該芯片采用 MEMS 工藝流程化制作，實(shí)現(xiàn)了微功能單元和柔性基底的集成。本發(fā)明芯片表面布有密集的通孔，形成鏤空格柵狀，有利于芯片上下層組織間營(yíng)養(yǎng)物和代謝物的交流，保證了生物功能的完整性，保證整個(gè)視網(wǎng)膜
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置，其包括:工作 臺(tái)模塊、收光測(cè)試組件、運(yùn)輸傳輸組件、探針測(cè)試平臺(tái)、精密對(duì)準(zhǔn)系 統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工 作區(qū)域，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制， 使探針與待測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可 以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本發(fā)明的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)， 實(shí)現(xiàn)了倒裝 L
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)
中心通過“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家，對(duì)
南昌大學(xué)
2021-04-14