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工作的研究對象為無窮大固體表面以及在其上微納尺度的懸臂。該研究發現，隨著固體表面粗糙度增大，界面熱阻呈指數化增大，同時測量獲得的數據也更加彌散。單層石墨烯加入到固固界面之間能夠有效降低界面熱阻，同時測量的熱阻彌散度也快速減小。結合計算模擬的結果，這里發現的奇特熱阻的彌散現象（不確定性）可以解釋為當懸臂和界面粗糙度的尺度可以比較時，每次懸臂與無窮大固體表面的接觸面積將出現極大的差異。 單

本發明公開了一種同質包套熱等靜壓成形方法，該方法采用熱 等靜壓(HIP)/激光選區熔化(SLM)3D 打印復合工藝。本發明提出采用 SLM 成形出同質包套來解決傳統方法成形復雜形狀異質包套生產周期 長、制造成本高、包套除去過程繁瑣、連接界面發生擴散反應污染制 件等問題。同時將同質包套內側表面(在熱等靜壓中與粉末相接處的面) 設計成梯度多孔漸變結構，使得熱等靜壓后連接界面處組織呈現出梯 度變化結構，從而克服了因 SLM

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規模可控制備。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發明涉及一種基于氣液交界面耦合的調壓室通氣洞風速模擬方法，該方法通過建立調壓室水位液 面與通氣洞氣體分界面的氣液耦合模型，將通氣洞內的氣體與引水隧洞內的液體耦合在一起，再通過特 征線解法，實現通氣洞內的氣體與引水隧洞內的液體在過渡過程中非恒定流動的聯合模擬，精確地得到 通氣洞內風速的變化過程。本發明方法理論依據充分，實現方式簡單：通過氣液交界面的耦合，實現引 水隧洞液體與通氣洞氣體的同時、聯合模擬，能夠真實反映管道液體及調壓室水位波動對通氣洞風速的 影響，得到的風速模擬結果可信、精度高，并且計算穩定、速度快，模擬結果可直接用于指導調壓室與 通氣洞的設計，為通氣洞的體型設計與優化提供了可靠保障。 

使用自旋泵浦技術將自旋流從坡莫合金（Py）磁性電極穿過厚達40uc的LAO絕緣層注入到二維電子氣中，并進行逆Edelstein效應的測量。工作系統地測量了逆Edelstein效應隨頻率、功率、溫度和LAO厚度的變化關系，從各個方面證實了所觀察到的信號。實驗在室溫下展現了門電壓對自旋信號的調控作用。

本發明涉及一種直接界面法制備三維多級表面形貌多孔磷酸鈣納米陶瓷的方法，使用甲醇、水溶性鈣鹽、揮發性碳銨鹽、表面活性劑PVP和明膠等、磷酸氫二銨和磷酸氫二鉀等為原料采用界面法在聚氨酯泡沫支架上形成碳酸鈣多孔坯體，然后通過130℃或以上水熱處理及600-1000℃下高溫處理，即可得到具有三維多級表面形貌的多孔納米磷酸鈣陶瓷。所得到的最終制品平均孔徑可控制在50μm到1000μm之間，平均晶粒尺寸在200nm到1μm之間。孔呈三維貫通的海棉形態，孔壁的橫截面呈三角形。

南方科技大學材料科學與工程系助理教授任富增課題組提出通過調控合金界面結構和化學成分實現超高耐磨性能的新策略。相關研究成果發表在金屬材料領域頂級期刊Acta Materialia上。該研究成果對服役于極端環境的新型高強耐磨合金設計提供了新思路，將有助于開拓多主元合金在耐磨損領域的應用，對設計用于嚴苛環境的高強度、耐磨損、熱穩定合金具有一定意義，且為拓展界面相工程在多主元高熵合金領域的應用挖掘了潛在研究方向。本研究中開發出的TiMoNb合金除可用于高溫耐磨材料之外，其高強度、良好的生物相容性、耐腐蝕性使其在牙科、骨科等醫用植入材料領域亦有廣泛的應用前景。

本發明公開了低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物及其制備方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯經熔融共混制備得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超過20vol％。本發明還提供了所述低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物的制備方法。本發明加工過程操作簡單、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本發明所述三元共混物能夠在聚苯乙烯含量很低的情況下形成連續相結構，這樣的結構拓寬了共混物在低含量下的連續相結構應用以及其潛在的功能化結構設計。

環保型噴/涂持粘高分子防水涂料是一種采用特殊工藝，將超細、懸浮的改性陰離子乳化瀝青和合成高分子聚合物配制而成(A 組分)，再與特種固化劑(B 組分)，在設備噴口外霧狀混合、在結構表面發生破乳反應后生成的一種性能優異的無氯離子、持粘型防水涂料。

近日，來自中國科學技術大學物理學院、合肥微尺度物質科學國家研究中心，國際功能材料量子設計中心(ICQD),合肥國家實驗室的趙瑾教授研究團隊與王兵、譚世倞教授、以及北京大學李新征教授合作，發現固體-分子界面的超快電荷轉移與質子的量子動力學有很強的耦合，揭示了電荷轉移過程中核量子效應的重要作用。