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儀器概述 　本儀器是根據石油和石油產品行業標準SH/T0109-2004《潤滑脂抗水淋性能測定法》的要求設計制造的，用于規定的實驗條件下，在38℃和79℃試驗時來評價潤滑脂抵抗被水沖出軸承能力的新型產品。崇尚國際流行的人性化設計理念，采用數字顯示器，簡單明了。浴溫控制精度高，抗干擾能力強，穩定可靠。 技術參數 1、工作電源：AC 220V±10%;50Hz 2、消耗功 率：600W 3、控溫方式：數字顯示溫控儀 4、水槽控溫范圍：室溫～100℃，可調 5、水槽控溫精度：±2℃ 6、溫度傳感器：Pt100(鉑電阻) 7、軸承套轉速：600±30r/min 8、噴射口水流速：5±0.5ml/s 9、水槽容量：≥750ml 10、環境溫度：20～30℃ 11、環境濕度：≤85% 性能特點 1、本儀器采用電加熱棒加熱方式，加熱速度快。 2、本機按標準來選購球軸承，計時器可精確到0.1S。 3、采用進口溫控儀器，確保試驗所需精度且穩定可靠。 4、水浴溫度通過PT100傳感器(電阻測溫包)輸入到溫控器，本傳感器反映靈敏，工作可靠。 5、本儀器壓縮機體積小、質量輕、運行穩定、無振動，很適合化驗室之用。 網址鏈接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=748  

產品詳細介紹HZ-6水熱反應釜-均相攪拌反應器   1.用途   HZ-6均相攪拌反應器可用于相同組分的介質在不同條件下的反應情況進行測試或用于不同組分的介質在相同條件下的反應情況進行測試。本產品采用電熱鼓風干燥箱作加熱恒溫裝置，通過電機減速機帶動箱體內的攪拌軸及安裝在攪拌軸上的微型反應器轉動 , 達到攪拌反應的目的。    2.特點   HZ-6均相攪拌反應器一般由箱體、旋轉系統、加熱系統、控制系統四部分組成。箱體大都由不銹鋼制作而成，旋轉系統由電機和旋轉支架組成。控制系統主要控制箱體內的溫度和轉速。均相反應器多用于多個水熱合成反應釜進行相同組分的介質在不同環境下反應情況的測試或用于不同組分的介質在相同條件下的反應情況實驗。由于支架的旋轉使得水熱反應釜中的介質得到充分的攪拌，因而反應速度快，反應充分徹底，比單純的恒溫效果更好。箱體內攪拌桿上設有固定位置（根據反應釜的大小設定），可以同時固定微型反應釜6套、8套、10套、12套，另可根據用戶需求設計定做。   HZ-6均相攪拌反應器溫度恒溫數顯表顯示，用戶可根據反應實驗所需溫度自行設定。攪拌系統裝有變速裝置，轉速0-200轉可任意調整。操作簡單，使用方便。是各大專院校、醫藥化工，科研單位等實驗室做水熱反應實驗的理想設備。   3.指標　    1.  電壓：220V/50Hz     2.使用溫度： ≤300℃    3.攪拌轉速： 0-200轉/分  水熱合成反應釜-旋轉式攪拌溫控箱使用說明書一、  旋轉式攪拌溫控箱根據不同的用戶所需而定制，箱體內可承載200毫升反應釜6臺；100毫升反應釜10臺；50毫升反應釜12臺，  25  毫      升反應釜12臺旋轉攪拌。二、 可為用戶設計制造不同規格旋轉式攪拌溫控箱，不同規格溫控箱最高溫度可達300℃。三、 旋轉式攪拌溫控箱和溫控箱使用前請詳細閱讀說明書，和溫控指示調節儀使用說明書。四、 本產品說明書附加溫度指示調節儀使用說明書，總接線圖一頁。五、 使用說明：1、外形尺寸950*640*550，箱內尺寸400*400*300，凈重80㎏，本產品采用電壓220V，加熱功率2000W，馬大功率180W，                           并裝有散熱風機2 臺各15w。該機總功率2210W，加熱器加熱在200℃度時，需要時間約20分鐘。2、馬達傳動有效轉數20~135轉，如裝載200毫升反應釜6臺轉數一般選定80轉~100轉。3、將裝滿溶液的反應釜準備裝在箱內固定架時，首先關閉電源，在將反應釜裝在箱內每個反應釜的固定位置，將壓板螺絲擰緊即可。然后將箱門關閉，送電開啟電源開關，將開關開啟在自動位置，這時加熱器開始加熱，同時將馬達開啟旋轉。4、如果需要溫度在220度時，可將溫度控制儀按鈕調至215度，當溫度升到215度時，自動停止升溫線路斷開，這時溫度會升高至220度，延時5分鐘后溫度自然下降到213度這時會自動在升溫。5、當準備取出反應釜時，首先將電源斷開、壓板螺母松開即可取出反應釜，每取出一個反應釜時 請將壓板合上并將螺母擰緊牢固，防止誤操作時馬達轉動壓板碰到箱壁發生故障。6、每次用完后，首先關閉電源，將箱門處于開門狀態，待箱體內溫度與室外溫度相同時將箱門關閉。六、其它：1、溫控箱應置于干燥通風和無腐蝕場所。          2、由于制造中的質量問題造成的故障，在出廠12個月內免費維修或更換。此范圍外收取費用。          3、加熱管保質期為6個月。HZ-6水熱反應釜-均相攪拌反應器  

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。 

本發明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結構；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發明具有全解耦、質量小、結構精巧、成本低和便于批量生產等優點，在單個器件內同時實現了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。

本發明屬于電子元器件的封裝設備技術領域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構、驅動機構和調距機構等，其中熱壓機構被設計為雙路結構，并 用于實現料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅動機構用于驅動熱壓機構實現垂直方向的上下運動；調距機構用于 調節工作臺兩側的間距以及兩側壓頭的間距，進而實現適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發明，能實現單側壓頭的溫度均勻分布，兩側 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結構緊湊，便

本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態的存在對器件中載流子傳輸的影響； 4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。