新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

簡(jiǎn)單介紹： 大小鼠水迷宮視頻分析系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)是一種強(qiáng)迫實(shí)驗(yàn)動(dòng)物（大鼠、小鼠）游泳，學(xué)習(xí)尋找隱藏在水中平臺(tái)的一種實(shí)驗(yàn)，主要用于測(cè)試實(shí)驗(yàn)動(dòng)物對(duì)空間位置感和方向感（空間定位）的學(xué)習(xí)記憶能力。被廣泛應(yīng)用于學(xué)習(xí)記憶、老年癡呆、海馬/外海馬研究、智力與衰老、新藥開(kāi)發(fā)/篩選/評(píng)價(jià)、藥理學(xué)、毒理學(xué)、預(yù)防醫(yī)學(xué)、神經(jīng)生物學(xué)等；大小鼠水迷宮視頻分析系統(tǒng)是醫(yī)學(xué)院校開(kāi)展行為學(xué)研究尤其是學(xué)習(xí)與記憶研究的優(yōu)選經(jīng)典實(shí)驗(yàn)。 詳情介紹： 技術(shù)參數(shù)： 1、水池材質(zhì):304不銹鋼/PVC材質(zhì) 2、加熱功率:2000瓦 3、溫度波動(dòng)度:±1℃   4、大鼠水池規(guī)格:直徑150cm，高60cm,  尺寸可定制 5、小鼠水池規(guī)格:直徑120cm，高40cm    ，尺寸可定制 6、大鼠站臺(tái)規(guī)格:直徑12cm，高度在20～35cm之間    7、小鼠站臺(tái)規(guī)格:直徑8cm，高度在20～35cm之間 8、水池帶輪子，可隨意移動(dòng)位置 9、攝像針頻速率:28/30貞600X，  10、攝像分辨率:640×480    11、攝像機(jī)類(lèi)型:2.8~12mm自動(dòng)變焦 12、加密狗類(lèi)型:USB2.0接口 13、視頻采集模塊:USB視頻采集卡 14、信號(hào)傳輸方式:信號(hào)電源一體線10米 15、文檔式保存方式，使多人使用不相互影響、可進(jìn)行離線分析、軌跡回放，進(jìn)行對(duì)比、分析數(shù)據(jù)可導(dǎo)入Excel,軌跡圖自動(dòng)生成 16、軟件分析指標(biāo)：      總路程（總活動(dòng)度）、總時(shí)間、潛伏期、平均速度、上臺(tái)時(shí)間、上臺(tái)前路程、上臺(tái)前速度、一象限活動(dòng)路程、一象限活動(dòng)時(shí)間、**象限活動(dòng)路程、**象限活動(dòng)時(shí)間、第三象限活動(dòng)路程、第三象限活動(dòng)時(shí)間、第四象限活動(dòng)路程、第四象限活動(dòng)時(shí)間、中心活動(dòng)路程、中心活動(dòng)時(shí)間、周?chē)顒?dòng)路程、周?chē)顒?dòng)時(shí)間、站臺(tái)周?chē)秶鶬活動(dòng)路程、站臺(tái)周?chē)秶鶬活動(dòng)時(shí)間、站臺(tái)周?chē)秶鶬I活動(dòng)路程、站臺(tái)周?chē)秶鶬I活動(dòng)時(shí)間、站臺(tái)周?chē)秶鶬II活動(dòng)路程、站臺(tái)周?chē)秶鶬II活動(dòng)時(shí)間、站臺(tái)周?chē)秶鶬V活動(dòng)路程、站臺(tái)周?chē)秶鶬V活動(dòng)時(shí)間、站臺(tái)穿越次數(shù)、初始角、搜索策略等指標(biāo)    

?? 國(guó)家現(xiàn)有食品檢測(cè)可以保障食品的基本安全，但如何加快合格食品檢測(cè)的時(shí)間？如何戰(zhàn)勝日益增多的未知有害物質(zhì)挑戰(zhàn)，讓國(guó)人飲食更安全？ ? 為迎接這些挑戰(zhàn)，旭月“食品安全檢測(cè)儀”以國(guó)家現(xiàn)有的食品檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)，利用創(chuàng)新的NMT生物檢測(cè)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了食品的更快和更安全檢測(cè)。 ? 旭月“食品安全檢測(cè)儀”的創(chuàng)新在于，無(wú)需事先推斷可能污染被測(cè)食品的有害微生物種類(lèi)，有效避免了漏檢的可能性，而且無(wú)需進(jìn)行微生物培養(yǎng)等長(zhǎng)時(shí)間的前處理，能夠?qū)崿F(xiàn)快速檢測(cè)。其操作簡(jiǎn)單，靈敏度極高，能夠發(fā)現(xiàn)有害微生物可能存在的相互間協(xié)同加強(qiáng)危害性的現(xiàn)象，結(jié)果準(zhǔn)確可靠，適宜在一般餐飲企業(yè)和普通家庭大規(guī)模推廣使用。 ? ? 特點(diǎn)：更簡(jiǎn)單、更靈敏、更安全、成本更低，檢測(cè)速度更快。 ? ? 該產(chǎn)品和服務(wù)由旭月（北京）科技有限公司自主生產(chǎn)和提供，擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)（發(fā)明專(zhuān)利號(hào)：ZL201210462141.6），憑借十年磨一劍的技術(shù)和優(yōu)質(zhì)服務(wù)，該產(chǎn)品和相關(guān)檢測(cè)服務(wù)已為國(guó)內(nèi)企業(yè)和百姓提供服務(wù)，并已成功打入歐美市場(chǎng)

項(xiàng)目 Smart Plus-N Smart Plus-NT Smart Plus-NE Smart Plus-NET Smart Plus-EP Smart Plus-EPT Smart Plus-P Smart Plus-PT 進(jìn)水水源 ＜ 400μS/cm（市政自來(lái)水） RO或蒸餾水 進(jìn)水壓力 0.1-0.5 MPa - RO脫鹽率 ≥98%（在特定進(jìn)水條件下） - RO制水量 30L/H@25℃ 30L/H@25℃ 15L/H，雙級(jí)RO - RO電導(dǎo)率* < 20 μS/cm - - - 高純水電阻率 - ＞10MΩ.CM ＞10MΩ.CM - 配置EDI 否 是 是 否 TOC在線監(jiān)測(cè) NT型含有 NET型含有 EPT型含有 PT型含有 超純水電阻率 18.2 MΩ?cm@25℃ 總有機(jī)碳TOC** ＜10ppb 顆粒物 < 1/ml （配 0.22 μm 終端濾器時(shí)） 微生物 < 1cfu/ml （配 0.22 μm 終端濾器時(shí)） 熱源含量 < 0.001 Eu/ml （配進(jìn)口超濾柱時(shí)） *典型值，RO產(chǎn)水的電導(dǎo)率受自來(lái)水進(jìn)水電導(dǎo)率的影響 **TOC含量直接受到進(jìn)水條件和采樣操作環(huán)境的影響 備注：含超濾時(shí)，超純水產(chǎn)水量會(huì)下降30%左右

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車(chē)輛、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、列車(chē)牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。

本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過(guò)程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo)     建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染，無(wú)三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來(lái)電路及其芯片的散熱問(wèn)題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時(shí)，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時(shí)由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開(kāi)發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過(guò)100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過(guò)150攝氏度）。