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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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化學(xué)鍍鎳及化學(xué)鍍鎳?yán)匣?em>液的再生技術(shù)
化學(xué)鍍鎳是指在不需外電流的情況下，利用次磷酸鈉做還原劑使溶液中的鎳離子還原，沉積在經(jīng)催化活化的金屬表面獲得Ni合金鍍層的過程。鍍層具有高耐蝕性、高耐磨性、良好的均鍍能力。近年來已成為推動涂飾科學(xué)發(fā)展的主要技術(shù)之一。技術(shù)特點(diǎn)：1、通過調(diào)整絡(luò)合劑與添加劑，提高沉積速度，改善鍍層光亮度，增加耐腐蝕能力等。2、運(yùn)用化學(xué)復(fù)合鍍技術(shù)，制備Ni－P－PTFE，Ni－P－SiC，Ni－P－Al2O3，Ni－P-MoS2，Ni-Cu-P，Ni-Mo-P,Ni-Cr-P，Ni-
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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一種含有朱砂浸出液的藥物組合物及其應(yīng)用
朱砂(Cinnabar)是常用的重鎮(zhèn)安神藥，在中藥中具有舉足輕重的地位，但朱砂在實(shí)際使用中卻面臨著諸多難題。首先，由于朱砂中汞含量很高，常有使用朱砂造成不良反應(yīng)，甚至引起死亡的報(bào)道，致使含朱砂類中藥的聲譽(yù)受到嚴(yán)重影響。其次，由于朱砂極其難溶，極少見到對朱砂的各種作用形態(tài)(成分)、作用機(jī)制、參與中成藥組方機(jī)理等重大基礎(chǔ)問題的系統(tǒng)相關(guān)研究。再者，由于朱砂常以未溶解狀態(tài)的粗糙的礦物原粉入藥，一方面造成用量大、毒性嚴(yán)重超標(biāo)，另一方面也會引起病人口服后的胃腸道刺激，以及藥物的吸收及藥效的發(fā)揮困難等問題。
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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大型（ 5 噸）電液自由鍛砧下直接隔振裝置
技術(shù)原理： 將 5 噸電液錘 127 噸重的砧座，通過挑梁、拉桿和橫梁懸 吊在 54 組 972 片迭板彈簧之上， 鍛打后砧座隨板簧伸縮產(chǎn)生 8～10mm 的 運(yùn)動，而通過板簧作用于基礎(chǔ)的動載荷下降至不隔時(shí)的 3％，既有效地保 護(hù)了環(huán)境，又確保了錘身上電氣液壓元件的安全，這項(xiàng)技術(shù)不僅從原理上 把積極隔振與消極隔振融為一體， 而且因取消慣性塊使工程造價(jià)比國際著 名的德國 Gerb 公司報(bào)價(jià)低
南昌大學(xué)
2021-04-14
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
快速檢測柑橘采后防腐保鮮液中抑霉唑濃度技術(shù)
可以量產(chǎn)/n選用溶于水而成半透明狀溶液的十二烷基苯磺酸鈉作為滴定劑，靛酚藍(lán)做指示劑，二氯甲烷用作有機(jī)相。溶解在二氯甲烷中的抑霉唑經(jīng)過酸化處理成無色的水溶狀態(tài)，水溶狀態(tài)的抑霉唑與滴定劑可以形成溶于有機(jī)相中的無色離子對配位化合物，存在于有機(jī)相中的指示劑與過量的滴定劑可以形成接近無色的離子對配位化合物。因此這種陰離子表面活性劑雙相滴定法可以用來檢測抑霉唑的含量。這是首次運(yùn)用滴定方法來檢測柑橘商品化處理生產(chǎn)線上殺菌體系中抑霉唑的含量。在滴定劑濃度為0.01mol/L 時(shí)，抑霉唑濃度低至50mg/L 仍能被檢
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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旋流式氣液分離器壓降計(jì)算模型的應(yīng)用探討
研究分析了制冷裝置中高 性能的氣液分離器，降低了壓縮機(jī)的故障率，減小旋流式分離器的壓降損失，維 持系統(tǒng)的高效運(yùn)行，促進(jìn)制冷技術(shù)的發(fā)展。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
光學(xué)液氮低溫恒溫器液氦變溫系統(tǒng) 制冷設(shè)備
北京錦正茂科技有限公司
2022-09-26
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一種海深自動補(bǔ)償型全海深液控截止閥
本發(fā)明屬于閥門領(lǐng)域，并具體公開了一種海深自動補(bǔ)償型全海 深液控截止閥，其包括閥體、閥套組件和閥芯組件，閥體側(cè)面開設(shè)有 入口和出口，閥套組件嵌裝在閥體內(nèi)，包括彈簧蓋、壓桿閥套、閥芯 蓋、閥座、壓片、推桿閥套基體和螺堵，彈簧蓋與閥體上端相連，其 上開設(shè)有壓桿平衡口，下端開設(shè)有安裝彈簧的凹槽，閥座內(nèi)開設(shè)有閥 口和閥座導(dǎo)流孔，閥芯蓋內(nèi)開設(shè)有閥芯蓋腔室和閥芯蓋通流孔，螺堵 與閥體下端相連，其內(nèi)開有控制口;閥芯組件包括壓桿、閥芯和推桿， 壓桿依次插入壓桿閥套和閥芯蓋，閥芯設(shè)于閥芯蓋腔室與閥口之間形成的空腔內(nèi)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學(xué)
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的發(fā)熱芯穿管裝置
本發(fā)明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的發(fā)熱芯穿管裝置。包括機(jī)架以及安裝在機(jī)架上的送管機(jī)構(gòu)和發(fā)熱芯夾裝機(jī)構(gòu)，機(jī)架包括機(jī)架上面板、機(jī)架下面板和面板撐桿，機(jī)架上面板和機(jī)架下面板的四角之間通過面板撐桿支撐連接，機(jī)架上面板的底面裝有用于裝夾發(fā)熱芯的發(fā)熱芯夾裝機(jī)構(gòu)，發(fā)熱芯夾裝機(jī)構(gòu)的側(cè)方設(shè)有將套管傳送的送管機(jī)構(gòu)。本發(fā)明采用發(fā)熱芯自動穿管技術(shù)，相比手工穿管技術(shù)，極大提高了生產(chǎn)效率。
浙江大學(xué)
2021-04-11