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產品詳細介紹

產品詳細介紹磁光效應系統是研究磁性薄膜、磁性微結構以及樣品磁化強度和樣品各向異性最理想的測量工具。是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計.具有測量精度高、測量時間短等優點。可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。可以逐點測量也可以掃描測量，方便易懂的測量軟件以及友好的交互界面為測量提供了有力保障。本套磁光效應系統是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統功能和特點：測量靈敏度高，準確度高。非接觸式測量，是一種無損測量。可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜。可以將樣品放到真空中原位測量。可以測量同一樣品不同部位的磁化情況。

程1：-30mT～30mT，分辨率：0.02mT；量程2：-10mT～10mT，分辨率：0.01mT；撥鈕選擇，系統自動識別量程；可以測量磁體周圍以及通電閉合線圈周圍的磁場大小和方向。

利用磁場外推發現90%的事件在耀斑發生前存在磁繩結構，并且磁繩的三維結構比理論模型復雜得多。進一步的研究發現，當磁繩的torus不穩定性參數（即衰減因子）大于1.3或者kink不穩定性參數（即磁力線纏繞度）大于2時，90%以上的事件是爆發型耀斑；而且在所有事件中，利用以上兩個參數可以成功判斷70%耀斑事件的類型。因此，這兩個參數及其閾值可以為預報耀斑是否爆發提供重要參考。?  大氣科學學院周振軍副研究員及合作者通過分析2010年7月至2013年2月的16個失敗太陽暗條爆發的磁場和三維爆發形態，給出了控制磁繩爆發的關鍵參量，除了經典的衰減因子以外，暗條頂部的旋轉也是其中的一個重要影響因素。通過構建衰減因子和旋轉角度的相空間分布，他們發現達到或超過衰減因子之后，所有的爆發都具有強的旋轉（50°到130°）。這種旋轉可能引發內部或者外部的磁場重聯，進而破壞磁繩的結構，并最終導致失敗爆發。這一成果說明磁場重聯在決定磁繩是否爆發中起到了重要作用，突破了原有的單一控制因素決定磁繩爆發的理論。

已有樣品/n該項目所開發的儀器設備可以實現對FNRBCs 準確、高效、快速、低廉的分離與富集，并進行基因組層面的全面分析，為無創性產前診斷技術的發展及相關科學研究的深入提供有力的推動和支撐平臺。項目團隊在該研究領域進行了長期的研究工作，積累了大量經驗，并取得了一定成績。該成果，方法獨特，效果明顯并成功用于三體綜合癥檢測。

隨著人工智能、大數據、物聯網、區塊鏈等新一代信息技術興起，數據量呈現爆炸式增長，傳統計算系統的算力難以滿足海量數據的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統性能的路徑正面臨技術極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統，實現計算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經典馮·諾依曼計算架構下數據存儲與處理是分離的，存儲器與處理器之間通過數據總線進行數據傳輸，在面向大數據分析等應用場景中，這種計算架構已成為高性能低功耗計算系統的主要瓶頸之一：數據總線的有限帶寬嚴重制約了處理器的性能與效率，且存儲器與處理器之間存在嚴重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統把傳統以計算為中心的架構轉變為以數據為中心的架構，其直接利用阻變器件進行數據存儲與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實現存算一體的矩陣向量乘計算。憶阻器存算一體系統可以避免數據在存儲和計算中反復搬移帶來的時間和能量開銷，消除了傳統計算系統中的“存儲墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎的矩陣向量乘計算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應用的核心技術。 清華大學吳華強教授團隊實現了材料與器件、電路設計、架構和算法的軟硬件協同等多方面原始創新，解決了系統精度損失等被廣泛關注的難題： 材料與器件創新。科研團隊選擇了電學特性穩定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強層的新原理器件結構，成功抑制了憶阻器非理想特性的產生。 電路設計創新。開發了一套憶阻器與晶體管的混合電路設計方法，提出“差分電阻”設計思想，采取源線電流鏡限流設計，抑制了憶阻器電路中可能產生的各種計算誤差。 算法創新。提出了混合訓練算法，僅用小數據量訓練神經網絡并只更新最后一層網絡的權重，即可將存算一體硬件系統的計算精度達到與軟件理論值相同的水平。 “技術鏈”創新。從“單點技術突破”拓展到“技術鏈突破”，開發了針對憶阻器存算一體芯片的電子設計自動化（EDA）工具，打通了從電路模塊設計到系統綜合再到芯片驗證的設計全流程。 上述理論和方法發表于《自然》《自然·納米技術》《自然·通訊》等國際頂級期刊，以及被譽為“集成電路奧林匹克”的“國際固態電路大會”等頂級學術會議。研究成果被“國際半導體技術路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團隊已在該研究方向申請國內外專利72項，其中30項已獲得授權，知識產權完全自主可控。 團隊已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統，集成了8個憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計算設備的算力。全系統的計算能效比當前主流的人工智能計算平臺——圖形處理器（GPU）高兩個數量級。團隊還設計了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數據集上計算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產品近20倍，能效有近千倍的優勢。