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該發明涉及一種尾礦全資源利用方法，屬于礦產資源綜合利用與礦物復合新材料技術領域。該發明能夠利用尾礦廢石制備多種資源化利用產品，所制備的產品強度較高，具有良好的綜合性能，應用范圍廣泛。該項發明綠色環保，可實現規模化批量制備。

針對國內泥土固化利用的狀況，進行了理論探索、實驗室研究和現場試驗，有效解決了傳統泥土固化材料兼容不好、生態適宜性差等難題，開展了離子型泥土生態固化新材料的原始創新和集成創新研究。已應用在抗鹽耐污防滲防水、軟土加固強化工程中，其合成方法、制備工藝及新材料應用設計均具技術創新。技術研發成果已列入水利部《2014年水利先進實用技術重點推廣指導目錄》，涉及技術研發、集成，成果轉化等過程。 對含水量大的淤泥軟土通過降粘脫水劑應用，加大有機質中水分子的活性，借助滲透擴散劑的迅速滲入與傳統材料中物

本發明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現三維片狀結構，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環穩定性，從而

電力行業、石化行業、鋁行業、工業爐等行業工程設計、應用、造價等技術人才 自動化控制、機械制造方面幾耐火材料方面

昊星自動化致力于引領實驗室環境監控的智慧化解決方案，助力中國創造。自1997年成立以來，昊星以匠心工藝和科技創新為驅動，專注于生物制藥、石化、科研機構、高校、醫療保健及檢測中心等行業的潔凈和通風智能化應用開發與實踐；為實驗人員構建安全、舒適且智能的工作環境，至今已成功落地1000+領先案例。公司總部設在珠海高新區，在南屏宇訊科技園建有3000+平方米的生產基地，年產高精密風量控制閥10000+套，傳感器15000+件和控制屏10000+件。秉持極致產品主義理念，昊星自主研發風閥全自動風量標定系統、高精度旋壓設備、SMT車間和精密測試工裝等10+臺先進研發設備及50+臺生產檢測設備。未來，昊星將繼續通過卓越品質和科技創新推動智慧化技術的發展，為各行業客戶提供安全、舒適、智能、可靠的智慧化解決方案。  

教育數字化是我國教育事業高質量發展的重要內容。康比特作為運動營養科技先行者，圍繞“測、評、練、吃、康復”技術核心，打造沉浸式智能實訓教學場景——數字化實訓室，實現課程教學、考試競賽、就業實踐等多維應用，推進運動健康營養人才培養數字化轉型和智能化升級。 健康風險評估室：根據“測、評、練、吃、康復”的主導思想和技術思路健康風險評估室圍繞國民體質健康管理、慢性疾病評估、學生體質健康測試，設置基礎測試區.進階評估區，對運動營養咨詢與指導前六大體質健康問題進行全面評估。 科學運動指導室：主要由數字化體脂評估與體重管理系統及配套的硬件設備組成。根據全民健康的科學運動需求制定個性化運動處方。通過制定科學的訓練計劃:智能化統計訓練強度、能量消耗等數據，以此精準配置運動訓練與營養搭配方案。 智慧營養實訓室：主要由合理膳食管理系統軟件及配套硬件構成，根據全民健康的合理膳食需求制定個性化膳食處方。智慧營養實訓室集參觀、實操等功能于一體將營養配餐進行數字化、信息化搭建，為運動營養配餐實操提供前沿的實踐經驗。 高效康復理療室：跟蹤合理膳食與科學運動后的執行成效，根據體質測試與健康管理平臺測試的數據分析得出個性化康復理療方案。高效康復理療室使“測、評、練、吃、康復”理論體系形成完整閉環。

青島海粟是一家專門從事色譜材料，自有技術循環生產的企業。主要有層析硅膠、高效硅膠、硅基色譜填料、貴重金屬清除劑、色譜耗材等高性能的提純分離材料，廣泛應用于制藥、化學合成、精細化工、科研分析制備等領域。 在科技國家高速發展的背景下，我們不能單純依靠國外幾十年前的技術水平，必須要創新突破，找到我們自己的道路。公司首先依靠產品的穩定性，再對產品特性堅持不斷的探索，對工藝環節流程認真優化，可提供常規和定制等不同的系列產品，滿足多樣化的市場需求。幫助客戶在分析和制備中減少項目問題和提高運行效率，共同向上發展。 公司自創立以來，始終堅持“尊重、謙和、正直”的做人做事理念，致力于更用心的產品和服務，尊重員工和客戶的各項建議反饋，希望彼此協作激勵，獲得更多的認可和信任，使公司未來發展的可持續性更好，也會協同各方積極為社會的發展做出更多的貢獻。

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。