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產(chǎn)品詳細(xì)介紹該型號(hào)電腦元素分析系統(tǒng)是國內(nèi)新型的材料元素檢測儀器，她基于強(qiáng)大的windows操作平臺(tái)以及先進(jìn)的生產(chǎn)工藝、技術(shù)將傳統(tǒng)的生產(chǎn)方式合而為一，一套設(shè)備可滿足碳鋼、合金鋼、不銹鋼、高錳鋼、耐磨材料、生鑄鐵、球鐵、合金鑄鐵等材料中碳硫元素的定量分析。 儀器配置：    1 品牌電腦主機(jī)1臺(tái)     2 品牌19吋寬屏液晶顯示器1臺(tái)      3 臺(tái)式噴墨打印機(jī)1臺(tái) 4 電弧燃燒爐1臺(tái)  5 碳硫分析箱1臺(tái) 6 碳硫控制箱1臺(tái)7 電子天平1臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)：測定范圍：碳0.02-10.00%（需改變稱樣量）      硫0.001-2.00%；測量時(shí)間：45秒左右；測量精度：測量精度：符合GB/T223.69–1997標(biāo)準(zhǔn)，GB/T223.68-1997標(biāo)準(zhǔn)； 電源電壓：220V±10%50HZ 主要特點(diǎn)：電腦全程自動(dòng)控制，動(dòng)態(tài)顯示整個(gè)工作流程；可儲(chǔ)存多條工作曲線，對(duì)鋼、鐵及其它材料可選用不同的工作曲線；碳、硫零點(diǎn)電腦自動(dòng)采集，滿度自動(dòng)跟蹤，徹底消除人為誤差；電子天平連機(jī)不定量稱樣，極大地提高了分析速度；電腦自動(dòng)處理數(shù)據(jù)、自動(dòng)換算；根據(jù)需求可保存日期，測試結(jié)果等相關(guān)數(shù)據(jù)，也可任意查詢、打印保存的原始檔案；氣體容量法定碳（液體吸收或固體吸收），注射式滴定法定硫。采用先進(jìn)的冷光源技術(shù)，硅光電池控制自動(dòng)滴定，快慢分速明顯，滴定終點(diǎn)更穩(wěn)定，測試精度明顯高于同類產(chǎn)品。配置了品牌電腦，臺(tái)式打印機(jī) 打印測量結(jié)果；金牛儀器服務(wù)承諾：1、所售化驗(yàn)儀器三包一年，終身服務(wù)，產(chǎn)品售后服務(wù)熱線電話24小時(shí)開通，定期回訪客戶； 2、免費(fèi)為客戶安裝、調(diào)試、代辦托運(yùn)化驗(yàn)儀器 ；3、免費(fèi)培訓(xùn)化驗(yàn)人員，現(xiàn)場培訓(xùn)或來公司培訓(xùn)均可；4、提供材料分析工藝，代辦化驗(yàn)儀器配套理化檢測設(shè)備和配件；協(xié)助籌建化驗(yàn)室 5、常年提供化驗(yàn)儀器所需各種配件(特制硅鉬粉、純錫粒、各種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)、玻璃器皿、分析天平、添加劑等儀器所需的各種配件)。http://www.jnfxyq.com

產(chǎn)品詳細(xì)介紹  南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類碳硫分析儀器，微機(jī)碳硫分析儀器，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測儀，碳硫聯(lián)測分析儀, 化驗(yàn)室儀器，碳分析儀器，電腦碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，非水碳硫分析儀器，非水碳硫儀，硫分析儀器，紅外碳硫分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，高頻紅外碳硫儀，數(shù)顯碳硫分析儀器，數(shù)顯碳硫儀，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動(dòng)分析儀器，智能化驗(yàn)儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、化學(xué)分析儀，分析儀器，化驗(yàn)儀器，化驗(yàn)設(shè)備，不銹鋼成分測定儀,化學(xué)元素分析儀, 電化學(xué)分析儀,實(shí)驗(yàn)室分析儀器, 智能元素分析儀，微機(jī)元素分析儀，三元素分析儀器，可測定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗(yàn)儀器、鑄造化驗(yàn)設(shè)備、機(jī)械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com) 025-57357222 13851978239)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類碳硫聯(lián)測分析儀 ，碳硫分析儀，定碳儀、數(shù)顯碳硫儀，高速碳硫分析儀器，碳硫聯(lián)測分析儀,碳硫儀，硫分析儀，碳硫元素含量化驗(yàn)儀，南京品牌碳硫分析儀，碳含量測定儀，硫含量測定儀器，爐前分析儀，微量多元素分析儀器，快速碳硫分析儀器，高速分析儀，管式碳硫分析儀，高頻紅外碳硫分析儀器，電腦碳硫分析儀,碳硫高速分析儀、碳硫快速分析儀器，測碳測硫儀， 碳硫錳硅磷分析儀,智能碳硫分析儀，自動(dòng)碳硫分析儀器，管式碳硫儀，微機(jī)電腦碳硫分析儀，高速碳硫分析儀、爐前碳硫化驗(yàn)儀，爐前鐵水分析儀，金屬微量元素分析儀, 金屬元素測定儀，多元素分析儀，生鐵分析儀器，鑄造化驗(yàn)儀器，黑色金屬分析儀器，金屬材料化驗(yàn)儀器，硅碳分析儀，熱分析儀，可測定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗(yàn)儀器、鑄造化驗(yàn)設(shè)備、機(jī)械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com) 025-57357222 13851978239)

本發(fā)明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設(shè)置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結(jié)構(gòu)，筒體筒壁為中空夾層結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)壁用于包覆設(shè)置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內(nèi)壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設(shè)置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發(fā)明還公開了具有

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對(duì)稱Si-H鍵插入反應(yīng)，高效構(gòu)筑了一類新型手性有機(jī)硅化合物。該反應(yīng)使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進(jìn)羰基-烯-炔底物發(fā)生分子內(nèi)環(huán)化現(xiàn)場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進(jìn)而對(duì)硅烷的Si-H鍵發(fā)生高對(duì)映選擇性的插入反應(yīng)，給出相應(yīng)的手性有機(jī)硅化合物。該反應(yīng)的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產(chǎn)物的ee值都能達(dá)到90%以上。所得的手性烯丙基硅產(chǎn)物能夠進(jìn)一步轉(zhuǎn)化，例如發(fā)生烯丙基乙酰化反應(yīng)，對(duì)映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機(jī)合成中具有一定的應(yīng)用潛力。動(dòng)力學(xué)實(shí)驗(yàn)表明，反應(yīng)對(duì)雙銠催化劑、硅烷展現(xiàn)出一級(jí)動(dòng)力學(xué)效應(yīng)，對(duì)底物則表現(xiàn)出零級(jí)動(dòng)力學(xué)特征，說明銠卡賓對(duì)Si-H鍵的插入步驟是反應(yīng)的決速步，這與動(dòng)力學(xué)同位素實(shí)驗(yàn)的結(jié)果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發(fā)生高對(duì)映選擇性的Si-H鍵插入反應(yīng)，結(jié)合炔烴化學(xué)在從簡單原料構(gòu)筑復(fù)雜產(chǎn)物上的優(yōu)勢，為結(jié)構(gòu)多樣性有機(jī)硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號(hào)，這是因?yàn)樽贤獠ǘ蔚墓獠ㄔ诙嗑Ч柚写┩干疃群苄。?lt;2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術(shù)的日趨發(fā)展，人們?cè)絹碓叫枰獙?duì)紫外波段進(jìn)行更深的探測分析與認(rèn)識(shí)。紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測器件。當(dāng)前最先進(jìn)的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因?yàn)镃CD、CMOS具有靈敏度強(qiáng)、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進(jìn)光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測的使用。 在技術(shù)發(fā)達(dá)國家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀(jì)中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達(dá)0.01nm,光波長在600nm和300nm時(shí)QE分別達(dá)到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應(yīng)范圍更是達(dá)到165～1000nm，在200nm時(shí)的分辨率達(dá)到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達(dá)0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠(yuǎn)紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個(gè)CCD檢測器設(shè)計(jì)，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達(dá)0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達(dá)國家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領(lǐng)域已取得相當(dāng)?shù)某删汀Ｖ饕夹g(shù)指標(biāo)和創(chuàng)新點(diǎn)（1）  我們?cè)趪鴥?nèi)首次提出紫外增強(qiáng)的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強(qiáng)成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實(shí)現(xiàn)對(duì)190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達(dá)到0.1V/lex.s。（3）  增強(qiáng)成像探測器件的紫外響應(yīng)的同時(shí)，盡量不削弱探測器件對(duì)可見波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無機(jī)材料，克服有機(jī)材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實(shí)驗(yàn)和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設(shè)計(jì)樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實(shí)現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強(qiáng)的市場推廣應(yīng)用價(jià)值。

北京大學(xué)物理學(xué)院“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”王劍威研究員和龔旗煌院士領(lǐng)導(dǎo)的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學(xué)者合作，實(shí)現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計(jì)算模擬的應(yīng)用，奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果于近日發(fā)表在國際頂級(jí)物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術(shù)，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學(xué)等前沿學(xué)科，通過半導(dǎo)體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實(shí)現(xiàn)對(duì)光量子信息的高效處理、計(jì)算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽?dǎo)集成技術(shù)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)勢，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與布里斯托爾大學(xué)、丹麥科技大學(xué)、奧地利科學(xué)院、赫瑞-瓦特大學(xué)和西澳大利亞大學(xué)科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術(shù)和應(yīng)用方面取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導(dǎo)的強(qiáng)四波混頻非線性效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對(duì)源，達(dá)到了對(duì)4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達(dá)到了92%。團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團(tuán)隊(duì)在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對(duì)兩對(duì)糾纏光子對(duì)進(jìn)行量子比特焊接操作，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對(duì)兩對(duì)糾纏光子中各一個(gè)光子進(jìn)行貝爾投影操作，實(shí)現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個(gè)芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達(dá)到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團(tuán)隊(duì)研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方法小了約5-6個(gè)數(shù)量級(jí)，不僅達(dá)到了器件的微型化，同時(shí)具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點(diǎn)，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報(bào)道的其它物理實(shí)現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術(shù)，為片上量子物理基礎(chǔ)研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計(jì)算模擬的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)。

本發(fā)明的首要目的是提供一種含硅含硼水性聚氨酯，本發(fā)明的另外一個(gè)目的是提供一種上述含硅含硼水性聚氨酯的制備方法，包括以下步驟：a、稱取大分子二元醇與TDI混合，在N2保護(hù)下升溫至70～90°C，反應(yīng)1～3h，然后先加入DMPA反應(yīng)1～2h，再加入BDO反應(yīng)1～3h，降溫至60～70°C，接著滴加氨基封端的硅氧烷反應(yīng)0.5～1.5h，降溫至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、將硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的轉(zhuǎn)速條件下,先加入TEA進(jìn)行乳化、中和20～30min，再加入硼酸繼續(xù)乳化

環(huán)氧樹脂作為一種運(yùn)用廣泛的高分子材料，主要優(yōu)點(diǎn)有：①耐濕性、耐堿性、耐酸性和耐溶劑性好；②固化收縮率低；③介電絕緣性、力學(xué)性能優(yōu)良；④與多種基材的粘接性能優(yōu)異。但是，環(huán)氧樹脂耐熱阻燃性能差，極大限制了它在高性能化方向的應(yīng)用。本項(xiàng)目采用磷、硅、氮三者協(xié)同阻燃體系改性環(huán)氧樹脂，不僅使環(huán)氧樹脂的阻燃性能達(dá)到不燃物標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)各元素比重都較低，相對(duì)降低由于某一種元素含量過高造成對(duì)環(huán)氧固化體系基體性能的過多影響。