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本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 DNA分子雜交技術(shù)，分子雜交爐、核酸分子雜交 一、用途特點(diǎn)：     此儀器是我廠與北京大學(xué)生物系、復(fù)旦大學(xué)遺傳所等科研單位參照國外最新產(chǎn)品聯(lián)合研制推出的國內(nèi)首創(chuàng)產(chǎn)品。TC-4YY型多功能核酸分子雜交儀，本儀器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國外同類產(chǎn)品水平?？商娲M(jìn)口雜交儀，本儀器采用獨(dú)特的滾動(dòng)式反應(yīng)架裝置，配套特制密封雜交管在水平軸上旋轉(zhuǎn)，使雜交管內(nèi)壁上的雜交反應(yīng)膜各處能均勻地雜交液反復(fù)地接觸，充分反應(yīng)?？蛇M(jìn)行生物大分子DNA、RNA及蛋白質(zhì)雜交反應(yīng)。不僅比塑料袋或其它容器在水浴中進(jìn)行分子雜交反應(yīng)效果好，并且還能減少雜交液體積，提高雜交效率，而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危險(xiǎn)。因此，本儀器廣泛應(yīng)用于生物大分子的雜交反應(yīng)或其它長時(shí)間振搖的化學(xué)、生化及免疫學(xué)反應(yīng)，是開展分子生物學(xué)技術(shù)不可缺少的儀器。     本儀器采用先進(jìn)的單片計(jì)算機(jī)進(jìn)行控制，人機(jī)界面采用點(diǎn)陣式液晶顯示器（LCD），直觀顯示系統(tǒng)的運(yùn)行狀況。溫度控制采用數(shù)字PID技術(shù)，輸出采用PWM方式，控制精度高，穩(wěn)定性好，并設(shè)有超溫保護(hù)裝置。儀器采用獨(dú)特滾動(dòng)式反應(yīng)裝置，每次可夾6根特制玻璃封管在水平軸旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)速度為每分鐘0～16轉(zhuǎn)/可調(diào)。TC-4YY型分子雜交儀除具有TC-3YY型所有功能外，雜交箱內(nèi)可放入直徑42mm長300mm雜交瓶。 托盤擺動(dòng)速度每分鐘5～50次/可調(diào)。 二、技術(shù)指標(biāo)： 1.電源電壓：AC220V±10％  50Hz  350W 2.使用環(huán)境：0℃～＋40℃，相對(duì)濕度：≤90%RH 3.溫控范圍：環(huán)境溫度＋5℃～100℃可調(diào) 4.溫度波動(dòng)值：±1℃ 5.溫度顯示精度：0.1℃ 6.溫度均勻性：±0.03℃ 7.瓶架轉(zhuǎn)速：0～16轉(zhuǎn)/分可調(diào) 8.雜交管規(guī)格：Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只（任選） 9.搖臺(tái)擺動(dòng)頻率：5～50次/分可調(diào) 10.工作室尺寸：330mm×270mm×310mm 儀器報(bào)價(jià)以公司網(wǎng)站為主 相關(guān)鏈接：http://www.tocan.cn/category.php?id=17    公司地址：上海市翔殷路165號(hào)B區(qū)211室 郵編：200433  聯(lián)系電話：021-51863860、13621641125         QQ：572980613 上海領(lǐng)成生物科技有限公司提供專業(yè)的產(chǎn)品、專業(yè)的售前、售中、售后服務(wù)，將使您的工作能夠收到事半功倍的效果。歡迎新老顧客來電咨詢，領(lǐng)成將為您提供最優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！

本實(shí)用新型公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其形成于硅片上，并包括摻雜粒子構(gòu)成的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，絕緣區(qū)與所述導(dǎo)電區(qū)摻雜的粒子的極性相反，所述導(dǎo)電區(qū)表面覆蓋有金屬電極，所述硅片的表面除所述金屬電極之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層。本實(shí)用新型硅通孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：通過粒子摻雜方式形成硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)的基體都還是硅片本身，避免了目前硅通孔技術(shù)中金屬和硅片熱膨脹系數(shù)不同造成的熱應(yīng)力問題，能夠提高器件的可靠性和壽命。

已有樣品/n成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫主要包括單模波導(dǎo)、Y-分支、光交叉器、耦合光柵等無源器件，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge 光電探測(cè)器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件（圖3），使微電子所硅光子平臺(tái)已具有為業(yè)界提供基于180nm工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路相位差為９

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)直接加熱式微波

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)間接加熱式微波

磁流變液是一種機(jī)敏材料，在外加磁場(chǎng)的作用下，液體的粘度發(fā)生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續(xù)可控。運(yùn)用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變?cè)骷?，它們可以用于車輛懸掛系統(tǒng)，土木工程結(jié)構(gòu)抗震、減振及大型能量動(dòng)力設(shè)備的基礎(chǔ)隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無級(jí)可調(diào)式健身器材。我們針對(duì)磁流變減振器具有很大的阻尼力，且

已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個(gè)數(shù)量級(jí)，驅(qū)動(dòng)電流增大2 倍，驅(qū)動(dòng)性能在低電源電壓下達(dá)到國際先進(jìn)水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價(jià)值。