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本發(fā)明屬高分子化學(xué)研究領(lǐng)域，具體涉及一種制備聚二氮雜環(huán)辛四烯的方法。利用均苯四甲酸二酐與取代苯進(jìn)行傅克反應(yīng)，制備取代苯甲?；鶎?duì)(間)苯二甲酸，并分離取代苯甲酰基對(duì)苯二甲酸和取代苯甲?；g苯二甲酸；取代苯甲酰基對(duì)(間)苯二甲酸在氯化試劑作用下反應(yīng)制備取代苯甲?；鶎?duì)(間)苯二甲酰氯，進(jìn)而與疊氮化鈉反應(yīng)生成苯甲?；鶎?duì)(間)苯甲酰疊氮。該疊氮化合物在高溫下通過(guò)Curtis重排生成異氰酸酯化合物，并在酸性條件下水解獲得取代苯甲酰基對(duì)(間)苯二胺，利用氨基與酮的縮合反應(yīng)，直接縮聚制備聚二氮雜環(huán)辛四烯。本發(fā)明制備聚二氮雜環(huán)辛四烯，使用原料價(jià)格低廉，反應(yīng)條件溫和，使其能夠應(yīng)用于光電材料、電驅(qū)動(dòng)聚合物、醫(yī)藥等領(lǐng)域。

以 3β-羥基-5α-雄甾烷-17-酮為原料先制得 3β,17-二羥基-20-炔-21-苯基(或?yàn)閷?duì)甲苯基，或?yàn)閷?duì)氧基苯基， 或?yàn)閷?duì)氟苯基， 或?yàn)殚g氟苯基)-5α-雄甾烷， 然后通過(guò) Meyer–Schuster重排得到 21-苯基(或?yàn)閷?duì)甲苯基， 或?yàn)閷?duì)氧基苯基， 或?yàn)閷?duì)氟苯基， 或?yàn)殚g氟苯基)-5α-雄甾-17(20)-烯-21-酮的合成路線。 該方法具有合成步驟少，成本低，反應(yīng)條件易控制，收率高，適于大量制備的優(yōu)點(diǎn)。

雙環(huán)戊二烯氧乙基甲基丙烯酸酯是一種特殊功能性單體，具有耐水性、耐溶劑性、柔韌性、附著力好等優(yōu)點(diǎn)，是光固化材料理想的活性稀釋劑?？蓮V泛地應(yīng)用在UV涂料、膠黏劑、油墨，以及樹(shù)脂的改性等領(lǐng)域。

我們?cè)趪?guó)家自然科學(xué)基金、上海市青年科技啟明星計(jì)劃和上海市納米技術(shù)專項(xiàng)等資 助下研制開(kāi)發(fā)的納米石墨相變儲(chǔ)能材料具有儲(chǔ)能密度高、導(dǎo)熱換熱效果優(yōu)異、安全穩(wěn)定、 阻燃和環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)。 技術(shù)指標(biāo)：與現(xiàn)有的相變儲(chǔ)能材料相比，納米石墨基相變儲(chǔ)能材料的導(dǎo)熱系數(shù)提高 1～2 個(gè)數(shù)量級(jí)，相變溫度在-40～+70°C 之間連續(xù)可調(diào)，儲(chǔ)能密度可達(dá) 150～250J/g 左右， 經(jīng) 1000 次循環(huán)后，性能劣化小于 5％。

本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨電極氣體開(kāi)關(guān)的充氣配比控制裝置、充 氣裝置及方法；充氣配比控制裝置包括第一可控壓力閥、第二可控壓 力閥、第三可控壓力閥、第四可控壓力閥、第一氣壓傳感器、第二氣 壓傳感器、第一機(jī)電控制器、第二機(jī)電控制器、控制終端，第一緩沖 氣室、第二緩沖氣室和混合氣室。按照一定的惰性氣體設(shè)置方案，通 過(guò)一定充氣配比方法，控制終端控制機(jī)電傳感器，使可控壓力閥動(dòng)作， 通過(guò)氣壓傳感器監(jiān)控壓力值，使緩沖氣室中的充入的氣體達(dá)到設(shè)定的 氣壓值，最終在混合氣室中得到所需的完成配比的混合氣體，并完成 對(duì)氣體開(kāi)關(guān)的

1.產(chǎn)品介紹 AA-1800EL型原子吸收光譜儀是采用國(guó)際新的技術(shù)和國(guó)內(nèi)高校的專家聯(lián)手研發(fā)完成，擁有幾十年光譜儀器的研發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。該產(chǎn)品包括火焰、石墨爐及氫化物發(fā)生系統(tǒng)，可配置多種附件，靈活的配置方案可滿足不同層次客戶的需求。全自動(dòng)多功能AA-1800EL型原子吸收光譜儀可進(jìn)行復(fù)雜的樣品分析，多種分析方法可自動(dòng)切換，做到無(wú)人全自動(dòng)分析。 AA-1800EL型原子吸收光譜儀廣泛應(yīng)用于科研、質(zhì)檢、疾控、環(huán)保、冶金、農(nóng)林、化工等行業(yè)，創(chuàng)新的軟、硬件設(shè)計(jì)確保樣品分析的準(zhǔn)確性、安全性、易用性，儀器維護(hù)簡(jiǎn)單便捷。   性能特點(diǎn) 2.1. 全反射消色差光學(xué)系統(tǒng)。 色散率為1800條/毫米刻線大面積光柵，新型自準(zhǔn)直單色器，所有鏡片均是石英鍍膜，寬廣的檢測(cè)范圍和光學(xué)穩(wěn)定性確保了分析的精度、閃耀波長(zhǎng)230nm光柵分光系統(tǒng)。 2.2. 八燈燈座 一燈工作，最多可以七燈預(yù)熱，節(jié)省了換燈和預(yù)熱時(shí)間，使元素測(cè)量更加快捷方便。 2.3. 全自動(dòng)化 儀器采用全自動(dòng)設(shè)計(jì)，除主機(jī)電源開(kāi)關(guān)外，儀器的燈架控制、波長(zhǎng)掃描、狹縫調(diào)節(jié)以及二維移動(dòng)平臺(tái)等功能全部通過(guò)軟件控制完成。 2.4. 背景校正系統(tǒng) 具備氘燈與自吸收兩種背景校正模式，背景信號(hào)1A時(shí)，扣背景能力60倍以上。 2.5. 自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，功能完善，性能強(qiáng)大的分析軟件 人性化的操作界面，讓您的操作易如反掌，可切換中英文Windows風(fēng)格軟件界面，全自動(dòng)定性、定量分析，自動(dòng)計(jì)算元素含量，自動(dòng)生成測(cè)試報(bào)告。 2.6. 火焰系統(tǒng)特點(diǎn) 2.6.1. 高分子霧化室 高分子材料抗腐蝕霧化室，耐酸堿，包括氫氟酸，無(wú)論是有機(jī)或是無(wú)機(jī)溶液都能得到較好的靈敏度和穩(wěn)定性； 2.6.2. 鈦燃燒器 鈦燃燒器，可選配50mm和100mm燃燒器，空冷預(yù)混合型，耐腐蝕，耐高鹽，大幅度提高火焰的效率和火焰分析的準(zhǔn)確度； 2.6.3. 高精度防堵塞霧化器。 高效型霧化器，霧化效率高，維護(hù)更換方便。 2.6.4. 質(zhì)量流量控制器實(shí)現(xiàn)乙炔流量控制。 質(zhì)量流量控制器精確控制乙炔流量，精度達(dá)1ml/min，并對(duì)流量進(jìn)行動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)，使用方便，安全可靠。 2.6.5. 更多的安全保護(hù)措施，使樣品分析更加安全可靠。 采用高靈敏度探測(cè)器，對(duì)乙炔泄露進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)； 采用高精度的壓力傳感器，對(duì)乙炔壓力進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)視； 采用高精度的壓力傳感器，對(duì)乙炔壓力進(jìn)行空氣壓力監(jiān)視； 采用微動(dòng)開(kāi)關(guān)及防火插銷，對(duì)燃燒頭狀態(tài)監(jiān)視； 采用光敏二極管，對(duì)火焰狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)視；   2.7. 石墨爐系統(tǒng)特點(diǎn) 2.7.1. 一體化設(shè)計(jì)。 石墨爐電源、原子吸收主機(jī)位于一臺(tái)儀器內(nèi)，縮短了電纜長(zhǎng)度，減少了石墨爐電源對(duì)外界的電磁干擾、提高了石墨管加熱效率。 2.7.2. 石墨爐控溫精度高，升溫速度快。 采用大功率變壓器、微阻電纜線以及光控升溫方式，并配合軟件、硬件溫度校正系統(tǒng)，高溫段控溫精度可達(dá)±1%。 2.7.3. 更多的安全保護(hù)措施，使樣品分析更加安全可靠。 石墨爐冷卻水具有流量實(shí)時(shí)監(jiān)視和保護(hù)； 2.7.4. 通過(guò)壓力傳感器對(duì)載氣壓力監(jiān)視 通過(guò)光敏二極管對(duì)石墨爐溫度監(jiān)視 2.7.5. 自動(dòng)載氣流量控制。 石墨爐內(nèi)氣，外氣全部由計(jì)算機(jī)根據(jù)軟件升溫流程自動(dòng)控制。 2.7.6. 150位轉(zhuǎn)盤(pán)式石墨爐自動(dòng)進(jìn)樣器。 極坐標(biāo)轉(zhuǎn)盤(pán)式石墨爐自動(dòng)進(jìn)樣器，定位精度高，運(yùn)行穩(wěn)定可靠，使用維護(hù)方便。   數(shù)據(jù)處理 高智能軟件，功能強(qiáng)大，友好的中文操作界面。全自動(dòng)儀器及附加控制，火焰、石墨爐工作模式可自動(dòng)切換，可自動(dòng)優(yōu)化，自動(dòng)稀釋；鼠標(biāo)操作，自動(dòng)設(shè)定菜單數(shù)據(jù)和校正方法； 石墨爐分析時(shí)，系統(tǒng)會(huì)給出全過(guò)程分析信息，包括測(cè)量值、溫度、程序、時(shí)間等， 并保存積分時(shí)間內(nèi)所有測(cè)量的信號(hào)曲線和溫度曲線；測(cè)量數(shù)據(jù)可以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)顯示。標(biāo)準(zhǔn)曲線可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)擬和；樣品測(cè)量準(zhǔn)確：采用向?qū)У姆绞綄?duì)樣品進(jìn)行設(shè)置，方便快捷；靈敏度校正功能：使測(cè)量的結(jié)果更為準(zhǔn)確；參數(shù)打印，數(shù)據(jù)結(jié)果打印，圖形打印，可導(dǎo)出WORD、EXCEL文檔.

本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過(guò)程簡(jiǎn)單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太陽(yáng) 電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。 于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太 陽(yáng)電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過(guò)DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過(guò)激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實(shí)現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。