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鐵基形狀記憶合金
鐵基形狀記憶合金是一種新型結(jié)構(gòu)功能材料。自90年代，我校已研究成功幾種Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形狀記憶合金，這些合金的屈服強(qiáng)度可達(dá)300～450MPa，完全回復(fù)的形狀記憶應(yīng)變已達(dá)3%，予應(yīng)變?yōu)?%時(shí)凈回復(fù)應(yīng)變可達(dá)5%，具有良好的單程形狀記憶效應(yīng)和形狀記憶完全性，合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蝕性。鐵基形狀記憶合金的應(yīng)用如下： 1
西安交通大學(xué)
2021-01-12
鋁基復(fù)合材料
金屬基復(fù)合材料問世不足三年，但由于其制備工藝簡單，價(jià)格便宜，具有高比強(qiáng)、高比剛及高耐磨性等優(yōu)良性能，在國外已廣泛用于航空、航天、汽車、軍工等領(lǐng)域。我校于80年代開始進(jìn)行鋁基復(fù)合材料的制備、性能及應(yīng)用研究，已獲得許多重要成果，現(xiàn)已可用穩(wěn)定工藝制備管材、棒材及形狀較為復(fù)雜的零部件，如汽車連桿、汽缸套、油田抽油機(jī)缸套、汽車摩擦片、皮帶輪等機(jī)器構(gòu)件，還可用于開發(fā)各
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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垂直結(jié)構(gòu)?GaN?基?LED
可以量產(chǎn)/n在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍(lán)寶石襯底可以回收后重復(fù)利用多次，藍(lán)寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結(jié)構(gòu)LED發(fā)光效率可以達(dá)到121.57m/W@350mA隨著技術(shù)的不段進(jìn)步，近幾年最受人們關(guān)注的是固態(tài)通用照明領(lǐng)域的高亮度大功率LED應(yīng)用，然而這種應(yīng)用卻受到藍(lán)寶石異質(zhì)襯底所帶來的一系列技術(shù)問題的限制。除去了藍(lán)寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有優(yōu)良的光電熱方面的性能，能滿足固態(tài)通用照明對(duì)其性能的要求，采用垂直結(jié)構(gòu)LED方案是固態(tài)通用照明技術(shù)發(fā)展的 必然
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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水泥基自修復(fù)材料
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
布基白塑幕
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 采用高反射系數(shù)的塑料制成，屬線反射銀幕，幕面潔白均勻，光線反射柔和，視覺不易疲勞，價(jià)格低廉，適用于普通電化教學(xué)、電影放映等
江蘇省通州市長江銀幕廠
2021-08-23
奧華液基薄層細(xì)胞制片機(jī)染色機(jī)64通道
主要特點(diǎn)1、微電腦自動(dòng)控制，中文界面，液晶顯示，觸摸屏操作，簡捷、直觀、方便。全程電腦自動(dòng)控制，無需人工干預(yù)。2、每張標(biāo)本獨(dú)立沉降制片、獨(dú)立固定、獨(dú)立染色。獨(dú)立分化、獨(dú)立返藍(lán)、獨(dú)立傾倒廢液,標(biāo)本與耗材(一次性移液針筒、沉降倉等)一一對(duì)應(yīng)，不交叉使用，不反復(fù)使用，保證單獨(dú)制片染色，無標(biāo)本間交叉污染。3、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精，無堵塞管道、腐蝕管道風(fēng)險(xiǎn)，染色液無浪費(fèi)。4、隨著季節(jié)溫度變化，儀器自動(dòng)檢測溫度并自動(dòng)調(diào)整染色時(shí)間，保證最佳染色效果。(此功能可選擇)5、有效細(xì)胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區(qū)域上，制成細(xì)胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態(tài)完整、分布均勻的細(xì)胞涂片。6、上皮細(xì)胞、化生細(xì)胞、頸管細(xì)胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病變，也可查炎癥，HPV感染、滴蟲、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置，環(huán)保密封罩活性炭過濾，吸附有害氣體，保證儀器內(nèi)外空氣潔凈，保護(hù)操作者健康。8、單次制片染色1-64任意數(shù)值只標(biāo)本；9、巴氏、HE兩種染色方式，一鍵切換。10、婦科、非婦科1、非婦科2三種工作模式，一鍵切換。
孝感奧華醫(yī)療科技有限公司
2025-01-20
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一種多軸數(shù)控機(jī)床轉(zhuǎn)臺(tái)幾何誤差六位置辨識(shí)方法
本發(fā)明公開了一種多軸數(shù)控機(jī)床轉(zhuǎn)臺(tái)幾何誤差六位置辨識(shí)方法，包括：根據(jù)機(jī)床結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)臺(tái)位置，確定球桿儀在轉(zhuǎn)臺(tái)坐標(biāo)系上的六個(gè)安裝位置；結(jié)合球桿儀測量方向以及轉(zhuǎn)臺(tái)幾何誤差對(duì)機(jī)床精度影響模型，建立球桿儀讀數(shù)與轉(zhuǎn)臺(tái)幾何誤差之間的關(guān)系；根據(jù)球桿儀詳細(xì)坐標(biāo)和測量方向齊次向量建立轉(zhuǎn)臺(tái)的六個(gè)集成誤差表達(dá)式；根據(jù)轉(zhuǎn)臺(tái)垂直度誤差和位置偏差的性質(zhì)，分離得到轉(zhuǎn)臺(tái)十項(xiàng)幾何誤差的辨識(shí)公式；建立球桿儀安裝誤差對(duì)球桿儀讀數(shù)影響模型；安裝球桿儀，轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)臺(tái)得到各個(gè)安裝位置處球桿儀讀數(shù)；對(duì)球桿儀讀數(shù)進(jìn)行擬合，得到剔除安裝誤差后的球桿儀數(shù)據(jù)；利用十項(xiàng)幾何誤差辨識(shí)公式計(jì)算得到轉(zhuǎn)臺(tái)所有的幾何誤差。該方法操作簡單方便，辨識(shí)精度高，系統(tǒng)性好。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種新型韌性顆粒強(qiáng)化的鐵基非晶基復(fù)合涂層
本發(fā)明提供一種新型韌性顆粒強(qiáng)化的鐵基非晶基復(fù)合涂層，以 鐵基非晶合金粉末和韌性金屬粉末的機(jī)械復(fù)合粉末為原料，其中鐵基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的雜質(zhì)組成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韌性金屬粉末可以采用：不銹鋼粉末、鎳基金屬粉末、鈷基金屬粉末、 鋁基金屬粉末或銅基合金粉末；該涂層采用超音速火焰噴涂技術(shù)制得。 本發(fā)明獲得的鐵基非晶基復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)致密，孔隙率低，具有較高的 韌性以及與金屬基材良好的結(jié)合強(qiáng)度。該復(fù)合涂層水力及油氣田開發(fā) 設(shè)施、管道運(yùn)輸、船舶甲板等諸多工業(yè)領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用前景
華中科技大學(xué)
2021-04-13
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微孔淀粉基止血?jiǎng)?/span>
在構(gòu)建一種在物理性和化學(xué)性等多重止血機(jī)制的協(xié)同作用下發(fā)揮優(yōu)異的止血性能的材料， 它的止血將更為徹底有效，止血范圍也將顯著擴(kuò)大。 該項(xiàng)目以具有強(qiáng)吸水性和體內(nèi)酶促降解性的植物淀粉為原料，從成分設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)控制著 手，制備出具有多重功能的淀粉基微孔止血材料。一方面賦予材料多孔結(jié)構(gòu)和高比表面積以快 速吸收血液中的水分，提高創(chuàng)面附近凝血因子的濃度而實(shí)現(xiàn)物理性止血；另一方面通過對(duì)微 孔淀粉改性和功能化處理，激發(fā)與血液有效成分進(jìn)行反應(yīng)，啟動(dòng)和加快內(nèi)源性和外源性凝血途 徑，實(shí)現(xiàn)化學(xué)性止血。該項(xiàng)目拓寬了淀粉在生物醫(yī)學(xué)中的應(yīng)用；同時(shí)該離子負(fù)載型淀粉基微孔 止血材料的成功研發(fā)，對(duì)有效控制動(dòng)脈、靜脈和實(shí)質(zhì)性臟器等的大出血具有重要的臨床意義和 實(shí)用性。
華東理工大學(xué)
2021-04-11
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硅基GaN功率開關(guān)器件
寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。
電子科技大學(xué)
2021-04-10