新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

本發(fā)明涉及一種白光LED用含氮硅酸鹽綠色發(fā)光材料及制備方法。該發(fā)光材料的化學(xué)組成可表示為：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制備過(guò)程為：（1）以硝酸鈣（CaN2O6·4H2O）、硝酸銪（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）為原料，采用溶膠凝膠法，獲得前驅(qū)體，（2）將所得前驅(qū)體與氮化硅粉體混合均勻，在非還原性氣氛下于1000~1200℃焙燒2~4小時(shí)，獲得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+熒光粉。所得發(fā)光材料，發(fā)光性能顯著，在近紫外到紫光波長(zhǎng)范圍（300~400nm）有寬帶吸收，發(fā)射出強(qiáng)度高的綠色光（500~504nm）。通過(guò)氮化硅與前驅(qū)體的混合焙燒，在不需要任何還原氣氛下，將Eu3+還原為Eu2+，制備方法簡(jiǎn)單、安全。

本發(fā)明屬于量子點(diǎn) LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種高發(fā)光效率的量子點(diǎn)白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點(diǎn)硅納米球附著在 LED 芯片表面，熒光粉膠將量子點(diǎn)硅納米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光殼體直接安裝在基板上或通過(guò)一模塑料固定在基板上方，并將熒光粉膠、LED 芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)的空隙處填充有封裝膠。本發(fā)明還公開(kāi)了一種高發(fā)光效率的量子點(diǎn)白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點(diǎn) LED 能夠顯著提高白光LED 的發(fā)光效率，在生產(chǎn)中能夠更加便捷地控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光，且可顯著減少量子點(diǎn)的用量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

本發(fā)明屬于白光干涉測(cè)厚領(lǐng)域，并公開(kāi)了共焦白光偏振干涉的 多層透明介質(zhì)厚度測(cè)量裝置和方法。包括被測(cè)物、第三透鏡、第二透 鏡、第二小孔構(gòu)成共焦結(jié)構(gòu)，平行白光經(jīng)第二棱鏡后，一束作為測(cè)量 光束經(jīng)第三透鏡匯聚到被測(cè)表面，另一束作為參考光束經(jīng)過(guò)多次反射 后與從被測(cè)表面反射回來(lái)的測(cè)量光束發(fā)生干涉，在第二棱鏡和第二透 鏡之間設(shè)置提高干涉條紋的對(duì)比度的可旋轉(zhuǎn)偏振片，實(shí)現(xiàn)在第一圖像 傳感器上形成高對(duì)比度干涉條紋。本發(fā)明還公開(kāi)了利用上述裝置進(jìn)行 測(cè)量的方法。

本發(fā)明屬于量子點(diǎn) LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點(diǎn)硅納米球附著在 LED 芯片表面，透光殼體內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠，該透光殼體直接安裝在基板上或通過(guò)一模塑料固定在基板上方，并將LED 芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)還填充有封裝膠將量子點(diǎn)硅納米球和熒光粉膠隔離。本發(fā)明還公開(kāi)了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點(diǎn) LED 利用封裝膠將熒光粉膠和量子點(diǎn)硅納米球隔離，可降低量子點(diǎn)工作溫度，減少重吸收損失，提高白光 LED 的發(fā)光效率；還能減少量子點(diǎn)的用量，控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，得到所需的理想型發(fā)光。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于白光干涉定位原理的比較儀及其測(cè)量方法，該比較儀包括測(cè)量探針、測(cè)量物鏡、干涉顯微鏡、垂直掃描工作臺(tái)、滑塊、CCD 成像單元、立柱、移動(dòng)量檢測(cè)單元以及水平工作臺(tái)，其中垂直掃描工作臺(tái)設(shè)置在立柱上，并由粗驅(qū)機(jī)構(gòu)上下驅(qū)動(dòng)；干涉顯微鏡和 CCD 成像單元固定在設(shè)置于垂直掃描工作臺(tái)的滑塊上，并由精驅(qū)機(jī)構(gòu)上下驅(qū)動(dòng)；移動(dòng)量檢測(cè)單元對(duì)滑塊的移動(dòng)量進(jìn)行檢測(cè)輸出；測(cè)量探針可繞樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在與干涉顯微鏡鏡體豎直相連的支撐桿上，用于對(duì)被測(cè)對(duì)象相接觸；測(cè)量物鏡用于對(duì)光進(jìn)行匯聚并形成干涉條紋。通過(guò)本發(fā)明，能夠

太赫茲（THz）科學(xué)技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，也是國(guó)家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實(shí)現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用。本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。本項(xiàng)目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達(dá)到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無(wú)法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開(kāi)關(guān)速率達(dá)到0.1ms的太赫茲開(kāi)關(guān)、調(diào)制速率達(dá)到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達(dá)到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級(jí)摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開(kāi)關(guān)速率達(dá)到5MHz，空間調(diào)制面積達(dá)到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實(shí)現(xiàn)太赫茲波導(dǎo)低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽?dǎo)”與“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達(dá)到了實(shí)用化的要求。 這一研究成果既加深了對(duì)THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識(shí)別和應(yīng)用成像的多個(gè)關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題。本項(xiàng)目成果的實(shí)施，可望實(shí)現(xiàn)載波300GHz以上高速無(wú)線通信，為太赫茲波無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應(yīng)用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國(guó)際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)，獲得教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。跟國(guó)內(nèi)外綜合比較，本項(xiàng)目的研究成果總體上處于國(guó)際先進(jìn)水平，對(duì)推動(dòng)太赫茲科學(xué)快速進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義。

本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸越來(lái)越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來(lái)越薄，在這種趨勢(shì)下，將可控硅ESD防護(hù)器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護(hù)器件來(lái)泄放靜電電荷以保護(hù)柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護(hù)（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護(hù)的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進(jìn)行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號(hào)施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開(kāi)通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實(shí)驗(yàn)了ESD保護(hù)。

本項(xiàng)目以制備超快高儲(chǔ)能柔性器件為導(dǎo)向，建立基于界面納米復(fù)合材料的新技術(shù)。通過(guò)水熱法和電化學(xué)方法在柔性導(dǎo)電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復(fù)合電極，作為正極；通過(guò)水熱法和熱處理法在柔性導(dǎo)電基底上生長(zhǎng)多孔氧化鐵納米復(fù)合材料，作為負(fù)極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復(fù)合材料的多方面優(yōu)勢(shì)加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進(jìn)而達(dá)到超快高儲(chǔ)能的目的。基于納米復(fù)合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時(shí)間快10-100倍。這是國(guó)際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級(jí)電容器研究領(lǐng)域的一個(gè)重大突破。此外，本項(xiàng)目以開(kāi)發(fā)超快超柔儲(chǔ)能器件為導(dǎo)向，開(kāi)發(fā)了一種熱力學(xué)誘導(dǎo)自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過(guò)控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時(shí)擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。

"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學(xué)領(lǐng)域內(nèi)具有重要的應(yīng)用價(jià)值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長(zhǎng)，物理化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，是偏光和聲光器件的優(yōu)選材料。 山東大學(xué)在該系列晶體生長(zhǎng)和器件的研究方面具有獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可以生長(zhǎng)出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質(zhì)量（光學(xué)均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國(guó)際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達(dá)到高質(zhì)量冰洲石器件水平；聲光調(diào)Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長(zhǎng)處于世界領(lǐng)先水平，器件設(shè)計(jì)具有國(guó)際、國(guó)內(nèi)專利，總體水平處于國(guó)際領(lǐng)先。該成果獲得教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，主要用于先進(jìn)光學(xué)及其電學(xué)領(lǐng)域，如醫(yī)療、軍事、激光加工、激光雷達(dá)、激光探測(cè)等。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)聲光調(diào)制器件和偏光器件總產(chǎn)值約為2億元。而現(xiàn)有的材料已經(jīng)不能滿足相應(yīng)研究和產(chǎn)業(yè)的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現(xiàn)有要求的基礎(chǔ)上，填補(bǔ)了此類材料和器件在中紅外波段內(nèi)的國(guó)際空白。此外，獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán)有利于產(chǎn)品推廣，具有重要的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。 "