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課題組依據(jù)共價(jià)鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類(lèi)型，構(gòu)筑了三類(lèi)TiO 2

本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達(dá)系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單本發(fā)明 公開(kāi)一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)。包括信號(hào)饋入單元、光學(xué)色散單元和信號(hào)檢 測(cè)單元。信號(hào)饋入單元采用集束光纖將傳導(dǎo)的信號(hào)光饋入光學(xué)色散單元;光學(xué)色散單元包含兩組級(jí)聯(lián)的 準(zhǔn) Littrow 結(jié)構(gòu)布局的單光柵色散系統(tǒng);信號(hào)檢測(cè)單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內(nèi)譜信號(hào)。在波長(zhǎng) 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產(chǎn)生的 Stokes 振轉(zhuǎn) Raman 譜中心波長(zhǎng)為 386.8nm，對(duì)稱(chēng)分布在兩 側(cè)的 O 支與 S 支譜各譜線(xiàn)在頻譜上等間距;本發(fā)明能提取 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線(xiàn)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì) N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的分辨與檢測(cè)，同時(shí)能對(duì) 354.8nm 附近光信號(hào)產(chǎn)生大幅抑制。

該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過(guò)合成一個(gè)柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導(dǎo)體的晶界，提升其機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)了柔性有機(jī)晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。

第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于電子和光電子等領(lǐng)域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術(shù)中的關(guān)鍵器件。將半導(dǎo)體晶片制成器件，其中的一個(gè)關(guān)鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學(xué)性質(zhì)極其惰性，半導(dǎo)體工業(yè)目前常用的化學(xué)機(jī)械拋光方法無(wú)法對(duì)其實(shí)現(xiàn)高效加工。對(duì)此，我們從原理上創(chuàng)新發(fā)展了一種光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，不僅可快速加工各種化學(xué)惰性半導(dǎo)體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達(dá)1.2 μm/h，比目前的化學(xué)機(jī)械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺(tái)階結(jié)構(gòu)的平滑表面。設(shè)備簡(jiǎn)單，技術(shù)具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

高速列車(chē)具有安全性好、正點(diǎn)率高、快速等優(yōu)點(diǎn)。能有效地改善交通環(huán)境, 帶動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。20世紀(jì)60年代以來(lái), 隨著鐵路電氣化的高速發(fā)展, 鐵路運(yùn)輸一再提速, 對(duì)于電氣化鐵路用接觸線(xiàn)的性能要求越來(lái)越高, 因?yàn)樵陔姎饣F路運(yùn)行過(guò)程中, 接觸導(dǎo)線(xiàn)不僅要承受較大的懸掛張力, 同時(shí)還經(jīng)受著通過(guò)電流時(shí)引起的熱作用。因此, 材料要求在具有良好導(dǎo)電性能的同時(shí)還應(yīng)具有高的抗拉強(qiáng)度, 而且在電流負(fù)荷增大、溫度升高時(shí)仍然要保持較高的強(qiáng)度。接觸線(xiàn)既要提供高速列車(chē)所需的動(dòng)力、照明和空調(diào)等用電, 又要承受較大的軸向拉力, 同時(shí)還可能工作在極冷、極熱、腐蝕性強(qiáng)等環(huán)境中,總的來(lái)說(shuō), 電力傳輸線(xiàn)必須具有以下性能: 能夠滿(mǎn)足高速列車(chē)速度和電流的要求, 具有足夠的抗拉強(qiáng)度來(lái)承受振動(dòng), 高導(dǎo)電率, 耐磨性好, 耐熱性好, 抗軟化溫度高, 軟化處理(300℃保溫2 h) 后其常溫抗拉強(qiáng)度不小于初始態(tài)的90% , 抗大氣腐蝕性能好,線(xiàn)膨脹系數(shù)小。我國(guó)鐵路廣深線(xiàn)、京鄭線(xiàn)等都大量或全部使用了法國(guó)或德國(guó)產(chǎn)品, 花費(fèi)了大量外匯。因此，對(duì)國(guó)產(chǎn)銅及銅合金接觸線(xiàn)的研制開(kāi)發(fā)具有重大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。本研究開(kāi)發(fā)的析出強(qiáng)化型Cu-Ag系、Cu-Cr系合金已經(jīng)能夠滿(mǎn)足工業(yè)化生產(chǎn)的需要。 主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb>580MPa； 2.延伸率>5%； 3.導(dǎo)電率>75%IACS； 4.設(shè)計(jì)使用壽命：15年。

聚天冬氨酸具有高生物可降解性，是一種公認(rèn)的環(huán)境友好型水處理藥劑，復(fù)配的聚天冬氨酸具有較好的緩蝕、阻碳酸鈣垢及分散氧化鐵作用。目前因其工藝復(fù)雜，規(guī)模生產(chǎn)受設(shè)備投資制約，本技術(shù)研制的主要設(shè)備固相聚合反應(yīng)器僅需10萬(wàn)元即可達(dá)到年產(chǎn)1000噸的規(guī)模，經(jīng)濟(jì)效益明顯。提供圖紙及制備工藝，也可代為加工制作。

基于肝細(xì)胞球技術(shù)的新一代生物人工肝支持系統(tǒng)SRBAL （Spheroids reservoir bioartificial liver）由美國(guó)Mayo Clinic醫(yī)學(xué)中心人工肝項(xiàng)目主任Scott L. Nyberg教授研發(fā)，目前處于Ⅰ期臨床試驗(yàn)研究階段。Mayo Clinic是全球著名醫(yī)療機(jī)構(gòu)，是美國(guó)排名第二的醫(yī)學(xué)中心，其消化科排名全美第一。Nyberg教授是Mayo Clinic血管外科中心主任，William J. von Liebeg移植中心外科學(xué)教授，肝臟疾病轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)“Advanced Liver Diseases Study Group”計(jì)劃負(fù)責(zé)人之一，人工肝項(xiàng)目主任，從事生物人工肝（BAL）研究21年。Nyberg教授帶領(lǐng)的BAL研究團(tuán)隊(duì)在Mayo Clinic完成了 HepatAssist BAL的Ⅲ期臨床試驗(yàn)，同時(shí)開(kāi)發(fā)了SRBAL系統(tǒng)，目前SRBAL系統(tǒng)因能容納超過(guò)400克的肝細(xì)胞，同時(shí)采用有利于肝細(xì)胞功能發(fā)揮的肝細(xì)胞球結(jié)構(gòu)，其肝臟支持性能在文獻(xiàn)已報(bào)道的BAL系統(tǒng)中處于領(lǐng)先地位。同時(shí)Nyberg教授小組在全球首先培育并利用FAH-deficient豬作為生產(chǎn)人源性肝細(xì)胞的生物“工廠(chǎng)”，創(chuàng)造性的解決了各種肝細(xì)胞治療，包括BAL 系統(tǒng)所面臨的高活性人源化肝細(xì)胞來(lái)源問(wèn)題。 ELAD(extraorporeal liver assistant device, ELAD) 體外肝臟支持系統(tǒng)是上世紀(jì)90年代，由Baylar設(shè)計(jì), 美國(guó)Vital治療公司研制開(kāi)發(fā)，運(yùn)用HepG2-C3A 人肝癌細(xì)胞株,包括四個(gè)中空纖維透析生物反應(yīng)器，每個(gè)反應(yīng)器含有大約100g的肝癌細(xì)胞。ELAD系統(tǒng)已經(jīng)進(jìn)入Ⅲ期臨床試驗(yàn)多年，是目前最接近上市的生物人工肝支持系統(tǒng)。SRBAL系統(tǒng)采用和ELAD系統(tǒng)不同的細(xì)胞來(lái)源，培養(yǎng)方式和生物反應(yīng)器形式，預(yù)期對(duì)ELAD系統(tǒng)肝臟支持功能有顯著改進(jìn)。

Turtle Bot 4 是一款低成本、完全可擴(kuò)展、支持ROS 的移動(dòng)機(jī)器人，旨在為機(jī)器人研究人員、開(kāi)發(fā)人員和教育工作者提供研究參考平臺(tái)。TurtleBot 4 有兩種型號(hào)--TurtleBot 4 標(biāo)準(zhǔn)版和TurtleBot 4 Lite。 兩者均基于 iRoboto Create3 教育機(jī)器人構(gòu)建，TurtleBot 4 提供一個(gè) OLED屏幕、 OAK-pro相機(jī)以及帶有可訪(fǎng)問(wèn)用戶(hù)電源和USB端口的安裝板。

小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機(jī)壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時(shí)；干燥后的坯體在氮?dú)鈿夥罩袩桑S爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時(shí)；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時(shí)；然后升溫至在1