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“自來水生產過程控制關鍵技術研究與自動化、信息化示范工程建設”項目通過對制水生產流程的關鍵性工藝流程的研究，針對整個工藝流程大時滯、大慣性和非線性的特點，在原有檢測和控制設備的基礎上，通過建立與實際工藝和設施相應吻合的系統數學模型，改進控制算法，開發臭氧投加，加礬和加氯系統的智能化自動控制系統，并進行大系統整合、優化，實現對自來水廠整個工藝流程的自動控制，進而提高和穩定出廠自來水的水質，并實現節能降耗。該成果已經在南京城北水廠、北河口水廠、蘇州相城水廠得到廣泛應用。

簡介內容文字控制在150-300字，主要說明成果的特點和技術創新點，應用領域（可以包括：主要技術、經濟性能指標，成熟程度，應用前景，投資規模，希望的合作方式、獲得的榮譽或專利情況等內容）“自來水生產過程控制關鍵技術研究與自動化、信息化示范工程建設”項目通過對制水生產流程的關鍵性工藝流程的研究，針對整個工藝流程大時滯、大慣性和非線性的特點，在原有檢測和控制設備的基礎上，通過建立與實際工藝和設施相應吻合的系統數學模型，改進控制算法，開發臭氧投加，加礬和加氯系統的智能化自動控制系統，并進行大系統整合、優化，實現對自來水廠整個工藝流程的自動控制，進而提高和穩定出廠自來水的水質，并實現節能降耗。該成果已經在南京城北水廠、北河口水廠、蘇州相城水廠得到廣泛應用。  ①平流池出水實際濁度值與設定濁度值的偏差在95%以上時間內應小于等于±1NTU（目前南京市自來水公司濁度內控標準允差±2NTU ）； ②出廠自來水余氯在95%以上時間內控制在0.6mg/L～0.8mg/L （目前南京市自來水公司出廠自來水余氯內控范圍為0.6mg/L～1.0mg/L）； ③（相比目前）年均節約礬耗≥8%； ④（相比目前）年均節省氯氣投加量≥10%； ⑤（相比目前）年均節省電耗≥5%； ⑥（相比目前）年均節約反沖洗水量≥10%； ⑦從自來水總公司調度控制中心，可實現對城北水廠一泵房（取原水）、二泵房（輸出自來水）遠程監視和遠程調度。獲得4項發明專利授權，5項軟件著作權授權 1.基于廢水排放比例采樣時刻低比例系數的確定方法 專利號：ZL201110280585.3 2.在線采集水質數據有效性的診斷方法             專利號：ZL200910185421.5 3.一種水廠臭氧接觸池進水流量的在線測量方法     專利號：ZL200910233689.14.基于RFID 的記憶式廢水留樣裝置                專利號：ZL201120354013.0   ① 平流池出水實際濁度值與設定濁度值的偏差 在 95% 以上時間內應小于等于± 1NTU （目前南京市自來水公司濁度內控標準允差± 2NTU ）； ②出廠自來水余氯在95%以上時間內控制在0.6mg/L～0.8mg/L （目前南京市自來水公司出廠自來水余氯內控范圍為0.6mg/L～1.0mg/L）； ③（相比目前）年均節約礬耗≥8%； ④（相比目前）年均節省氯氣投加量≥10%； ⑤（相比目前）年均節省電耗≥5%； ⑥（相比目前）年均節約反沖洗水量≥10%； ⑦從自來水總公司調度控制中心，可實現對城北水廠一泵房（取原水）、二泵房（輸出自來水）遠程監視和遠程調度。獲得4項發明專利授權，5項軟件著作權授權 1.基于廢水排放比例采樣時刻低比例系數的確定方法 專利號：ZL201110280585.3 2.在線采集水質數據有效性的診斷方法             專利號：ZL200910185421.5 3.一種水廠臭氧接觸池進水流量的在線測量方法     專利號：ZL200910233689.14.基于RFID 的記憶式廢水留樣裝置                專利號：ZL201120354013.0

在傳統貴金屬（金、銀等）之外發掘出具有高性能等離激元效應的非金屬新材料，是當前等離激元學基礎研究及應用研發的一個熱點與難點。金屬氧化物半導體材料具有豐富可調的光、電、熱、磁等性質，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結構，從而獲得豐富可調的等離激元效應；此處的一個關鍵性挑戰在于如何顯著提高金屬氧化物半導體材料內稟的低自由載流子濃度。基于該研究團隊新近發展的、理論模擬計算指導下的電子-質子協同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯合處理方法實現了金屬氧化物MoO3半導體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現了“本征半導體→準金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應從近紅外區移至可見光區，且兼具強增益及可調性。結合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進一步揭示出該協同摻氫所導致的準金屬能帶結構及相應的等離激元動力學性質。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強因子高達1.1×107（相較于一般半導體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創新性地發展出一種調控非金屬半導體材料系統中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現了具有強且可調的等離激元效應的準金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導體材料物化性質的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設計提供了嶄新的思路和指導。

本發明提供一種用于滲氮鋼的抗磨添加劑組合物,它包含(A)一定量的礦物油,或合成油作為稀釋油,含量為 0～15wt%;(B)至少一種含磷的抗磨添加劑,含量為20～90wt%;(C)至少一種含硼的極壓抗磨劑,含量為3～20wt%;(D)至少一種含鎢的抗磨添加劑,含量為1～15wt%;(E)至少一種二烷基二硫代磷酸鋅極壓抗磨劑,含量為5～20wt%.將上述添加劑組合物按0.6～1.4wt%加入到基礎油中,制備的抗磨潤滑油在滲氮鋼表面的抗磨性能優于基礎油在滲氮鋼表面的抗磨性能.

項目成果/簡介:在傳統貴金屬（金、銀等）之外發掘出具有高性能等離激元效應的非金屬新材料，是當前等離激元學基礎研究及應用研發的一個熱點與難點。金屬氧化物半導體材料具有豐富可調的光、電、熱、磁等性質，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結構，從而獲得豐富可調的等離激元效應；此處的一個關鍵性挑戰在于如何顯著提高金屬氧化物半導體材料內稟的低自由載流子濃度。基于該研究團隊新近發展的、理論模擬計算指導下的電子-質子協同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯合處理方法實現了金屬氧化物MoO3半導體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現了“本征半導體→準金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應從近紅外區移至可見光區，且兼具強增益及可調性。結合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進一步揭示出該協同摻氫所導致的準金屬能帶結構及相應的等離激元動力學性質。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強因子高達1.1×107（相較于一般半導體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創新性地發展出一種調控非金屬半導體材料系統中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現了具有強且可調的等離激元效應的準金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導體材料物化性質的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設計提供了嶄新的思路和指導。

本發明公開了一種面向物聯網的硅基SIW帶金屬柱懸臂梁可重構帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉接結構(3)和帶金屬柱的MEMS懸臂梁結構。帶金屬柱的MEMS懸臂梁結構包括MEMS懸臂梁(6)，MEMS懸臂梁依靠錨區(7)的支持懸浮在硅襯底(1)之上，MEMS懸臂梁的下表面上設置有金屬柱(11)，硅襯底對應金屬柱的位置開設有孔(14)，且該孔(14)穿過硅襯底(1)上的氮化硅層(10)和上表面金屬層(5)進入硅襯底(1)中。本發明只需要通過控制MEMS懸臂梁的狀態就能夠改變濾波器通帶的中心頻率，達到切換濾波器通帶中心頻率的目的，MEMS懸臂梁可以實現快速的DOWN態和UP態的轉換，可以有效地實現微波電路中對濾波器濾波范圍的控制。