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本發(fā)明公開(kāi)了一種電流源型數(shù)模綜合仿真系統(tǒng)接口和物理仿真 子系統(tǒng)接口。電流源型數(shù)模綜合仿真系統(tǒng)接口包括物理仿真子系統(tǒng)接 口、測(cè)量單元、數(shù)字仿真子系統(tǒng)接口和控制系統(tǒng)；物理仿真子系統(tǒng)接 口包括：三個(gè)輸入變壓器，三個(gè)電流源型整流器，三個(gè)電流源型跟隨 器，多個(gè)儲(chǔ)能電感，以及三相輸出濾波器；每個(gè)電流源型整流器包括M 個(gè)電流源型三相全橋整流器，每個(gè)電流源型跟隨器包括 N 個(gè)電流源 型單相全橋逆變器，M、N 為正整數(shù)。該電流源型數(shù)模綜合仿真系統(tǒng) 接口可以將物理仿真子系統(tǒng)和數(shù)字仿真子系統(tǒng)綜合起來(lái)，構(gòu)成整個(gè)電 力系統(tǒng)的

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)高能核物理課題組與美國(guó)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（LBNL）、布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室等單位合作，在RHIC-STAR 質(zhì)心能量3 GeV和7.2 GeV的重離子打靶實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了超氚核（H3L）與超氫-4核（H4L）壽命目前最精確的測(cè)量，并首次測(cè)量了3 GeV能量下這兩種超核的產(chǎn)額。

其他成果/n一種復(fù)合物理場(chǎng)協(xié)同強(qiáng)化菜籽蛋白糖基化改性的方法，包括如下步驟：1)菜籽蛋白的制備；2)菜籽蛋白溶液的配制；3)蛋白質(zhì)?糖混合溶液的配制；4)微波?超聲波復(fù)合物理場(chǎng)協(xié)同處理；5)離心分離；6)透析與干燥。其中，步驟3)中，微波的功率為200～500W，超聲波的功率為100～300W，反應(yīng)體系的溫度為60～70℃，反應(yīng)時(shí)間為6～10min。本發(fā)明利用微波快速加熱效應(yīng)和超聲波的機(jī)械攪拌與加速擴(kuò)散作用，可避免反應(yīng)體系出現(xiàn)局部高溫現(xiàn)象，使糖基化反應(yīng)更為均勻；同時(shí)微波的電磁場(chǎng)與超聲波的空穴作用會(huì)在反應(yīng)體系中形成超臨界高溫與高壓的微環(huán)境及界面濃縮現(xiàn)象，從而避免傳統(tǒng)濕熱法下由于長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)高溫作用而產(chǎn)生褐變物質(zhì)，消除了色澤對(duì)產(chǎn)品的影響。

這一項(xiàng)目以新一代大型電站鍋爐、核反應(yīng)堆及蒸汽發(fā)生器、流化床、石油天然氣高效開(kāi)采和儲(chǔ)運(yùn)等設(shè)備中的復(fù)雜多相流與傳熱傳質(zhì)問(wèn)題為具體研究對(duì)象，同時(shí)對(duì)上述具體工業(yè)應(yīng)用中帶共性的基本現(xiàn)象進(jìn)行重點(diǎn)研究，以便得出具有普遍意義的多相流熱物理理論，取得深入系統(tǒng)的成果，既為上述工業(yè)發(fā)展提供扎實(shí)的理論基礎(chǔ)，又為建立多相流熱物理新年的學(xué)簡(jiǎn)直體系作出貢獻(xiàn)。

本項(xiàng)目針對(duì)礦井瓦斯爆炸早期探測(cè)與抑制的技術(shù)難題，采用實(shí)驗(yàn)與光譜分析方法，得到了瓦斯爆炸感應(yīng)器內(nèi)自由基變化的光學(xué)特征及其辨識(shí)方法，并以此為基礎(chǔ)，利用量子化學(xué)軟件分析瓦斯爆炸微觀動(dòng)力學(xué)過(guò)程，得出了瓦斯爆炸感應(yīng)器內(nèi)的關(guān)鍵基元反應(yīng)、自由基和其圍觀動(dòng)力學(xué)參數(shù)，以及微觀反應(yīng)與宏觀現(xiàn)象的關(guān)系，為瓦斯爆炸抑爆技術(shù)提供理論支持，受到國(guó)內(nèi)相關(guān)研究人員的普遍認(rèn)可。項(xiàng)目成果在國(guó)內(nèi)外重要期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文13篇（9篇已刊出，4篇已錄用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收錄），CA收錄2篇，CSCD收錄及中文核心期刊5篇，完成碩士學(xué)位論文2篇。

我校物理與材料科學(xué)學(xué)院新組建的天體物理團(tuán)隊(duì)，與中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái)合作，在太陽(yáng)暗條感應(yīng)爆發(fā)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 太陽(yáng)暗條是懸浮于太陽(yáng)高溫稀薄大氣中冷而密的等離子體。暗條爆發(fā)是觸發(fā)太陽(yáng)耀斑和日冕物質(zhì)拋射等嚴(yán)重影響近地空間環(huán)境太陽(yáng)爆發(fā)事件的重要誘因。多個(gè)暗條間的感應(yīng)爆發(fā)是一種常見(jiàn)的暗條爆發(fā)形式，但是，由于高質(zhì)量觀測(cè)數(shù)據(jù)積累有限等客觀條件的限制，對(duì)于此類(lèi)暗條爆發(fā)完整過(guò)程的觀測(cè)報(bào)道較為罕見(jiàn)，因此，相應(yīng)的物理圖像也難以獲得直接的觀測(cè)證據(jù)支持。近期，安徽大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院天體物理團(tuán)隊(duì)張軍、宋志平、汪鵬和中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái)侯義軍、李婷等人綜合利用空基和地基太陽(yáng)觀測(cè)數(shù)據(jù)，并借助非線(xiàn)性無(wú)力場(chǎng)外推方法，對(duì)一個(gè)典型暗條感應(yīng)爆發(fā)事件的完整物理過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)研究。從感應(yīng)爆發(fā)發(fā)生前的磁場(chǎng)位型、發(fā)生時(shí)的觀測(cè)特征和發(fā)生后的磁場(chǎng)重構(gòu)等角度構(gòu)建一個(gè)完備的演化證據(jù)鏈條，揭示了暗條感應(yīng)爆發(fā)過(guò)程的完整物理圖像，并指出發(fā)生在兩個(gè)暗條上覆磁場(chǎng)間的外部磁重聯(lián)及其造成的上覆磁場(chǎng)重構(gòu)觸發(fā)了暗條間的感應(yīng)爆發(fā)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類(lèi)型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類(lèi)、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線(xiàn)，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線(xiàn)圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線(xiàn)圈繞線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線(xiàn)圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線(xiàn)圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明公開(kāi)了一種在低信噪比情況下提取設(shè)備物理指紋特征的方法，接收機(jī)接收到低信噪比的信號(hào)后，在不破壞設(shè)備物理指紋的情況下進(jìn)行降噪處理，然后從降噪后的信號(hào)中提取設(shè)備的物理指紋特征，方法中涉及的信號(hào)需要包括重復(fù)序列，或重復(fù)發(fā)送的多幀信號(hào)內(nèi)有不變的部分，包括步驟：接收到低信噪比信號(hào)后，估計(jì)信號(hào)的頻率和相位，估計(jì)信號(hào)重復(fù)序列上調(diào)制的信息數(shù)據(jù)，獲得極性相同的多個(gè)重復(fù)序列，并將其對(duì)齊和疊加以提高信噪比；最后通過(guò)物理層指紋提取方法提取設(shè)備的物理指紋并用于設(shè)備身份識(shí)別。本發(fā)明可以在信噪比低的情況下有效地提取設(shè)備的物理層指紋特征，有效地解決了基于設(shè)備物理指紋的設(shè)備識(shí)別方法在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中必須面臨的低信噪比問(wèn)題。

本發(fā)明提供了一種基于粒子群多物理場(chǎng)協(xié)同優(yōu)化的高效感應(yīng)電機(jī)輕量化方法,包括:根據(jù)高效感應(yīng)電機(jī)的主要尺寸、額定數(shù)據(jù)等參數(shù),給出高效感應(yīng)電機(jī)的電磁設(shè)計(jì)總體目標(biāo)；對(duì)電機(jī)定轉(zhuǎn)子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行選擇,確定電機(jī)的可行性方案集；選定高效感應(yīng)電機(jī)電磁設(shè)計(jì)初步方案；采用智能算法對(duì)高效感應(yīng)電機(jī)進(jìn)行成本優(yōu)化,得到高效感應(yīng)電機(jī)的成本最優(yōu)；采用磁路法及電磁場(chǎng)有限元并行方式對(duì)高效感應(yīng)電機(jī)的工作特性和主要運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算；采用有限元法對(duì)高效感應(yīng)電機(jī)的溫度場(chǎng)進(jìn)行校核；對(duì)優(yōu)化后電機(jī)的重量與電磁設(shè)計(jì)初步方案中計(jì)算出的重量相比較進(jìn)行計(jì)算。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了高效感應(yīng)電機(jī)輕量化的目標(biāo),并采用多物理場(chǎng)對(duì)優(yōu)化后的結(jié)果進(jìn)行校核,保證計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于配電網(wǎng)物理模擬的故障指示器檢測(cè)平臺(tái) 的建模方法，該方法包括如下步驟：(1)建立雙電源模型；(2)建立線(xiàn)路 模型，并在每條線(xiàn)路的末端接入故障模擬單元和模擬負(fù)載；(3)利用經(jīng) 過(guò)所述步驟(1)中的電源模型和經(jīng)過(guò)所述步驟(2)中獲得的線(xiàn)路模型組 網(wǎng)搭建低壓配電網(wǎng)模型；(4)在所述步驟(3)中獲得的配電網(wǎng)模型中的模 擬電纜線(xiàn)路、模擬架空線(xiàn)路上加裝升壓器、升流器，將線(xiàn)路運(yùn)行參數(shù) 轉(zhuǎn)化為實(shí)際配電網(wǎng)運(yùn)行參數(shù)，由此完成故障指示器檢測(cè)平臺(tái)的建模。 按照本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的基于配電網(wǎng)物理模擬的故障指示器檢測(cè)