一種溴鉛銫單晶制備方法
本發明公開了一種溴鉛銫單晶制備方法,采用鍍有碳膜的具有 圓錐形尖端的安瓿裝載溴鉛銫粉料,具體包括如下步驟:將安瓿抽真 空密封;對安瓿按其圓錐形尖端到溴鉛銫粉料頂端的方向梯度加溫, 使置于安瓿中的溴鉛銫粉料充分熔化;對安瓿緩速降溫,直到溴鉛銫 粉料頂端的溫度比溴鉛銫的凝固點低 0~5℃后保溫,完成溴鉛銫單晶 生長;對溴鉛銫單晶分階段降溫:第一階段快速降溫,使溴鉛銫單晶 快速冷卻;第二階段慢速降溫,實現溴鉛銫單晶晶體相變轉化。本發 明提供的上述溴鉛銫單晶制備方法,在單晶生長中與單晶降溫中采用 了不同的降溫速度,且采用了分階段降溫的方法,兼顧了晶體生長質 量與生長周期,有效解決現有技術在單晶制備過程因內應力導致溴鉛 銫單晶開裂的問題。
華中科技大學
2021-04-11